专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]超导电路、量子芯片及超导电路的制备方法-CN202210298097.3在审
  • 马亮亮;张润潇 - 合肥本源量子计算科技有限责任公司
  • 2022-03-24 - 2022-12-06 - H01L39/22
  • 本申请公开了一种超导电路、量子芯片及超导电路的制备方法,属于量子计算技术领域。所述超导电路包括:位于衬底上的第一超导;位于所述第一超导的一侧面的势垒层,所述侧面垂直于所述衬底;以及,覆盖所述势垒层的第二超导,且所述第二超导、所述势垒层和所述第一超导之间具有约瑟夫森效应。在本申请的结构中由于势垒层位于第一超导的垂直于所述衬底的一个侧面上,因而可通过调整第一超导的厚度调整势垒层的尺寸,克服了现有技术当中势垒层仅可通过第一超导和/或第二超导的线宽调整势垒层大小的难题
  • 超导电路量子芯片制备方法
  • [实用新型]超导电路、量子芯片-CN202220659171.5有效
  • 马亮亮;张润潇 - 合肥本源量子计算科技有限责任公司
  • 2022-03-24 - 2022-11-18 - H01L39/22
  • 本申请公开了一种超导电路、量子芯片及超导电路的制备方法,属于量子计算技术领域。所述超导电路包括:位于衬底上的第一超导;位于所述第一超导的一侧面的势垒层,所述侧面垂直于所述衬底;以及,覆盖所述势垒层的第二超导,且所述第二超导、所述势垒层和所述第一超导之间具有约瑟夫森效应。在本申请的结构中由于势垒层位于第一超导的垂直于所述衬底的一个侧面上,因而可通过调整第一超导的厚度调整势垒层的尺寸,克服了现有技术当中势垒层仅可通过第一超导和/或第二超导的线宽调整势垒层大小的难题
  • 超导电路量子芯片
  • [发明专利]一种分布式光纤快速监测超导温度系统-CN201911364173.0在审
  • 刘昌霞;钟少龙;李健 - 上海拜安传感技术有限公司
  • 2019-12-23 - 2020-04-10 - G01K11/32
  • 本发明公开了一种分布式光纤快速监测超导温度系统,包括分布式单模光纤拉曼测温设备、超导、聚酰亚胺单模光纤、液氮槽、函数发生器和示波器,所述的超导表面进行开槽,所述的聚酰亚胺单模光纤安装在超导的表面槽内,本发明的有益效果是:1、分布式光纤快速检测超导温度系统,可以实现液氮环境中,对超导进行状态监测。2、分布式光纤快速检测超导温度系统,可以高空间分辨率和高精度的测量出超导的温度。在液氮环境中,温度测量精度±2℃。3、分布式光纤快速检测超导温度系统,可以超快速的对温度变化进行响应,响应速度为0.1s。4、分布式单模光纤拉曼测温设备稳定,便于携带。
  • 一种分布式光纤快速监测超导体温度系统
  • [发明专利]一种高温超导材料的制备方法-CN201711326639.9在审
  • 陈小丽 - 绵阳市吉富精密机械有限公司
  • 2017-12-13 - 2018-05-18 - H01B13/00
  • 本发明公开了一种高温超导材料的制备方法,涉及材料技术领域,超导材料为、铝、镍、锂、锌的氧化物构成,其中、铝、镍、锂和锌的物质的量比为1∶5‑7∶1‑3∶3‑5∶7‑10。一种高温超导材料的制备方法,制备步骤如下:A按配置的硝酸盐混合溶液;B加入柠檬酸,调节pH;C溶胶凝胶至燃烧;D粉体研磨;E将研磨后的粉体放入高温炉中煅烧,冷却,取出,即得到超导材料。本发明提供的超导材料及其制备方法,是一种金属氧化物构成的超导,由、铝、镍、锂和锌五种氧化物构成,这种‑铝‑镍‑锂‑锌组成的材料在较高温度下即具有超导现象,临界温度较高。
  • 一种高温超导材料制备方法
  • [发明专利]一种超导材料及其制备方法-CN201410519834.3有效
  • 翟红波;杨振枢;韦洪屹 - 苏州博利迈新材料科技有限公司
  • 2014-09-30 - 2015-01-28 - C04B35/10
  • 一种超导材料及其制备方法,涉及材料技术领域,超导材料为、铝、镍、锂、锌的氧化物构成,其中、铝、镍、锂和锌的物质的量比为1:5-9:1-3:2-6:3-7。一种超导材料的制备方法,制备步骤如下:(1)按配置的硝酸盐混合溶液;(2)加入柠檬酸,调节pH;(3)溶胶凝胶至燃烧;(4)粉体研磨;(5)将研磨后的粉体放入高温炉中煅烧,冷却,取出,即得到超导材料。本发明提供的超导材料及其制备方法,是一种金属氧化物构成的超导,由、铝、镍、锂和锌五种氧化物构成,这种-铝-镍-锂-锌组成的材料在较高温度下即具有超导现象,临界温度较高。
  • 一种超导材料及其制备方法
  • [发明专利]降低单畴钆超导块材成本的制备方法-CN201310304068.4有效
  • 杨万民;王妙;李佳伟;杨志娟 - 陕西师范大学
  • 2013-07-18 - 2013-11-20 - C04B35/45
  • 一种降低单畴钆超导块材成本的制备方法,采用顶部籽晶金属氧化物熔化生长(Top Seeded-Metal Oxides Melt Growth,简称TS-MOMG)方法制备单畴钆块材,将Gd2O3、无水BaO以及CuO三种金属氧化物,在高温状态下直接熔化反应,并在籽晶诱导下进行外延生长,完成单畴钆超导块材生长,整个熔化生长过程不需要烧结任何先驱粉体,在不降低超导块材性能的前提下,大大缩短了制备时间,简化了操作步骤,提高了超导块材的制备效率,降低了单畴超导块材的制备成本。本发明可用于制备钆超导块材,也可用于制备Yb、Y、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。
  • 降低单畴钆钡铜氧超导成本制备方法
  • [发明专利]氧化物超导导体及其制造方法-CN02127243.3无效
  • 尾锅和宪;齐藤隆;鹿岛直二;长屋重夫 - 株式会社藤仓;中部电力株式会社
  • 2002-06-20 - 2003-02-05 - H01B12/00
  • 本发明的目的在于,提供具有优异的强度和超导特性的氧化物超导导体及其制造方法。本发明为了达到上述目的,提供一种氧化物超导导体,其特征在于是在具备在含有Ag的基材或在其他金属母材的至少一面形成的具有轧制织构的Ag层的氧化物超导形成用基材上,通过使氧化物超导的原料气体发生化学反应在所述基材上成膜的方法得到的氧化物超导层的氧化物超导导体,在所述基材的氧化物超导层测的表层部形成在Ag中扩散了Cu的扩散层,在该扩散层上形成所述的氧化物超导层;以及提供一种氧化物超导导体,其特征在于是在具备在Ag基材或在其他金属母材的至少一面形成的具有轧制织构的Ag层的氧化物超导形成用基材的Ag层上,通过CVD法顺次生成多层含有Cu的氧化物超导的氧化物超导导体,在所述多层的氧化物超导层中,基材之上的所述氧化物超导层的Cu含量比其他所述氧化物超导层的Cu
  • 氧化物超导导体及其制造方法
  • [发明专利]一种高磁浮性能的高温超导磁浮系统-CN202110679783.0在审
  • 周大进;程翠华;赵勇 - 福建师范大学
  • 2021-06-18 - 2021-08-03 - B60L13/04
  • 本发明公开一种高磁浮性能的高温超导磁浮系统,其包括冷源、超导排列和永磁轨道;超导排列和冷源设置在永磁轨道上方,超导排列由多个超导组成,超导的籽晶点面向永磁轨道,冷源连接超导并对超导进行冷却,永磁轨道提供应用外磁场;超导沿永磁轨道的中心轴线对称偏置排列,且偏置距离为0~5mm。本发明在单磁极或多磁极永磁轨道中,使超导沿单磁极轴线或对称分布的多磁极轴线进行对称偏置排列,可以抑制系统下压过程中的导向不稳定性,当选择合适的偏置距离时,可以抑制偏置对悬浮力衰减的影响,从而使系统兼顾导向稳定性的同时
  • 一种高磁浮性能高温超导系统
  • [实用新型]一种高磁浮性能的高温超导磁浮系统-CN202121360107.9有效
  • 周大进;程翠华;赵勇 - 福建师范大学
  • 2021-06-18 - 2021-12-03 - B60L13/04
  • 本实用新型公开一种高磁浮性能的高温超导磁浮系统,其包括冷源、超导排列和永磁轨道;超导排列和冷源设置在永磁轨道上方,超导排列由多个超导组成,超导的籽晶点面向永磁轨道,冷源连接超导并对超导进行冷却,永磁轨道提供应用外磁场;超导沿永磁轨道的中心轴线对称偏置排列,且偏置距离为0~5mm。本实用新型在单磁极或多磁极永磁轨道中,使超导沿单磁极轴线或对称分布的多磁极轴线进行对称偏置排列,可以抑制系统下压过程中的导向不稳定性,当选择合适的偏置距离时,可以抑制偏置对悬浮力衰减的影响,从而使系统兼顾导向稳定性的同时
  • 一种高磁浮性能高温超导系统
  • [发明专利]高温超导与半导体接口实现方法-CN201510628437.4在审
  • 顾士平;顾海涛 - 顾士平
  • 2015-09-22 - 2016-04-06 - H01L21/84
  • 本发明涉及一种高温超导与宽带隙电力电子连接的方法,在高温超导陶瓷上,利用外延工艺直接生长SiC、Si、ZnO、GaAs、GaN等半导体;高温超导与半导体电力电子的直接结合带来了新的器件特性;在高温超导陶瓷(101)上,利用外延工艺生长SiC、Si、ZnO、GaAs、GaN等半导体材料。在高温超导和半导体衬底之间利用金属作为超导与半导体之间的连接线,实现高温超导与半导体之间导电。高温超导陶瓷(301)和宽禁带半导体(302)衬底之间利用化学气相沉积或物理气相沉积的方法沉积一层半导体材料。本发明解决了高温超导与宽带隙电力电子,作为未来电力控制和电力传输的两项重要的技术结合起来将有新的现象和性质。
  • 高温超导体半导体接口实现方法

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