专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果1445956个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种结合强度高的包铜复合带材及其制备方法-CN202211247732.1在审
  • 张立;张衡;杨诚;何志远 - 湖南康达科新材料有限公司
  • 2022-10-12 - 2022-12-06 - H01B5/02
  • 本发明涉及复合金属带材技术领域,公开了一种结合强度高的包铜复合带材及其制备方法,从内至外包括棒状铜芯、过渡金属管和最外层的管;铜芯与过渡金属管间,过渡金属管与管间相互扩散;铜芯两端被管全封闭;过渡金属管为钛、锰、铬、银、镧中的一种;铜和加热时生成阻碍扩散的固溶体,原子间相互扩散时难度较大,从中加入与铜均易发生互扩散的过渡金属层,使不同金属层之间扩散难度大大降低,在加热后加压情况下,过渡金属与铜和间相互结合扩散,填充不同金属间的细微裂缝,令不同金属间结合强度大大增加。因特别设定的过渡金属材料和温度参数令包铜带材具有不同金属层间结合强度高的优点。
  • 一种结合强度镍包铜复合及其制备方法
  • [发明专利]陶瓷金属化基板金属表面电镀金处理方法及制成的陶瓷金属化基板-CN201010564506.7有效
  • 岑福星;吴燕青 - 上海申和热磁电子有限公司
  • 2010-11-29 - 2011-05-04 - H05K3/24
  • 本发明涉及一种陶瓷金属化基板金属表面电镀金处理方法,首先在陶瓷金属化基板上制作线路;然后采用陶瓷沉积金属技术对陶瓷金属化基板沉积金属层,从而实现线路的连通;使用抗电镀金专用油墨覆盖线路的间距内的沉积金属层从而形成抗电镀金专用油墨覆盖层;祛除线路的表面上残留的抗电镀金专用油墨以及沉积的金属层,并研磨出平整、具有一定粗糙度的金属面进行电镀金;祛除抗电镀金专用油墨覆盖层;祛除沉积金属层。还提供了由此制造陶瓷金属化基板。本发明的方法设计独特巧妙,从而克服金属层线路表面化学金处理所带来的弊端,大大提高焊盘的可焊性以及焊点的可靠性,并解决电镀金带来的镀层突沿等问题,适于大规模推广应用。
  • 陶瓷金属化金属表面电镀处理方法制成
  • [发明专利]一种从铂族金属料液中选择性分离铜、的方法-CN201510797313.9在审
  • 黄虎军;潘从明;黄国生;李明;谢振山;郭晓辉;王立;刘成 - 金川集团股份有限公司
  • 2015-11-18 - 2016-02-03 - C22B7/00
  • 一种从铂族金属料液中选择性分离有价杂质金属的方法,其步骤是将含铂族金属的溶液用固体NaOH调整pH值,在热态加入固体草酸进行恒温反应,使铜、以沉淀的形式予以分离,降温过滤后,用纯水对铜渣进行洗涤至洗液无色,洗液与滤液合并后提取铂族金属,滤渣分离并提取铜。此方法工艺流程简单,操作方便,铜提取效率高,铂族金属几乎不损失。本发明的工艺对物料适应性广,操作简单,可以从各类含铜的铂族金属溶液中高效分离铜并产出高品位铜渣。采用本发明的工艺,铜的提取效率分别达到95%和99%以上。该方法极大提升了铂族金属精炼过程中铜等有价元素的资源利用率,同时有效消除了铜等贱金属对铂族金属分离及精炼过程造成的影响。
  • 一种金属料液中选择性分离方法
  • [发明专利]半导体器件制造方法-CN201110391447.2有效
  • 罗军;赵超;钟汇才;李俊峰;陈大鹏 - 中国科学院微电子研究所
  • 2011-11-30 - 2013-06-05 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种半导体器件的制造方法,包括:在包含硅元素的衬底上形成栅极堆叠结构;在衬底以及栅极堆叠结构上沉积金属层;执行第一退火,使得衬底中的硅与金属层反应形成富金属硅化物;执行离子注入,将掺杂离子注入富金属硅化物中;执行第二退火,使得富金属硅化物转化为金属硅化物源漏,并同时在金属硅化物源漏与衬底的界面处形成掺杂离子的分离凝结区。依照本发明的半导体器件制造方法,通过向富金属硅化物中注入掺杂离子后再退火,提高了掺杂离子的固溶度并形成了较高浓度的掺杂离子分离凝结区,从而有效降低了金属硅化物与硅沟道之间的肖特基势垒高度,提高了器件的驱动能力
  • 半导体器件制造方法
  • [发明专利]一种硅烷偶联剂与金属离子共沉积的方法-CN201310364728.8无效
  • 周琦;赵珍花 - 沈阳理工大学
  • 2013-08-19 - 2013-12-11 - C25D3/12
  • 一种硅烷偶联剂与金属离子共沉积的方法,第一步、前处理。第二步、在镀液中加入硅烷偶联剂,制得硅烷偶联剂和金属离子共沉积的镀液,硅烷偶联剂在硅烷偶联剂和金属离子共沉积的镀液的浓度为0.01~40ml/L,硅烷偶联剂和金属离子共沉积的镀液pH值为3.5经过前处理的工件放入硅烷偶联剂和金属离子共沉积的镀液中,进行电镀和电泳共沉积,在工件表面产生硅烷偶联剂和金属的共沉积复合膜。第三步、将上述经过共沉积后的工件用流动自来水冲洗,烘干。本方法进行电镀和电泳共沉积,比不添加硅烷偶联剂而单独使用镀液制成的镀层光亮效果好。
  • 一种硅烷偶联剂金属离子沉积方法
  • [发明专利]金属硅化物制造方法-CN201210118972.1有效
  • 罗军;邓坚;赵超;钟汇才;李俊峰;陈大鹏 - 中国科学院微电子研究所
  • 2012-04-20 - 2013-10-30 - H01L21/28
  • 本发明公开了一种金属硅化物制造方法,包括步骤:在含硅衬底上形成特征线条;在含硅衬底和特征线条上形成金属层,其中金属层的厚度大于由源漏结深确定的形成金属硅化物所需的最小厚度;执行第一退火,使得金属层与含硅衬底反应形成均匀厚度的第一金属硅化物;去除未反应的金属后,执行第二退火,使得第一金属硅化物转化为均匀厚度的第二金属硅化物。依照本发明的半导体器件制造方法,通过提高金属薄层的厚度,利用金属硅化物自对准工艺并控制工艺参数,分两步退火形成了具有均匀厚度的金属硅化物,从而均匀地降低了源漏电阻,进一步提高了器件的性能。
  • 金属硅制造方法
  • [发明专利]金属工件上镀纳米层的方法-CN200910038642.X无效
  • 陈仲禾 - 陈仲禾
  • 2009-04-15 - 2009-10-07 - C25D3/12
  • 本发明涉及一种在金属工件上镀纳米层的方法,先将金属工件烘烤碳化后清洗,使金属工件表面的毛细孔杂质彻底烧除碳化并洗净;然后把金属工件放入带有槽液的电镀槽中电镀,其中由金属工件作为电镀槽的阴极,纯靶材作为电镀槽的阳极,电镀槽内的槽液为氨基磺酸溶液,并在电镀槽内循环流动;在电镀过程中,使阳极的纯靶材电解成纳米级的离子沉积于阴极的金属工件表面毛细孔中,并依序整齐的排列成层状的纳米膜;最后从电镀槽中取出金属工件,其中,采用电镀工艺,将纳米级离子钻填于金属工件表面的毛细孔中,其后纳米级离子又可依序排列成叠层于金属工件表面,从而可大幅增加金属工件的表面韧性,以补强金属工件脆度。
  • 金属工件纳米方法
  • [发明专利]一种磁性固态SERS基底及其制备方法和应用-CN202210923261.5在审
  • 胡玉玲;葛琨;李攻科 - 中山大学
  • 2022-08-02 - 2022-11-25 - G01N21/65
  • 本发明公开了一种磁性固态SERS基底及其制备方法和应用,该磁性固态SERS基底包括银纳米粒子、金属有机框架材料和磁性棒;所述磁性棒表面包覆金属有机框架材料;所述金属有机框架材料上负载银纳米粒子本发明中的磁性固态SERS基底中的金属有机框架材料的包覆不需要额外添加金属源。本发明中的磁性固态SERS基底中的金属有机框架材料具有较好的吸附性能,可以通过对目标物的吸附显著提高SERS信号;银纳米粒子能显著提高SERS灵敏度;磁性棒具有优异的磁分离作用,可以制备成固态的SERS
  • 一种磁性固态sers基底及其制备方法应用
  • [发明专利]一种用于超级电容器的复合材料及其制备方法-CN202010039886.6有效
  • 姜金龙;郑璇;朱维君;毕田甜;靳方舟;魏智强 - 兰州理工大学
  • 2020-01-15 - 2022-11-11 - H01G11/24
  • 本复合材料采用化学镀方法,在碳纳米管表面沉积金属;将金属盐、金属钴盐和硫源溶解到乙二醇和水的水混合液中,然后将镀碳纳米管加入,得到所述复合材料。本发明通过在碳纳米管和钴硫化物之间引入金属为界面层,解决碳纳米管在钴硫化物中的团聚现象;金属作为钴硫化成核生长的锚点,有助于实现钴硫化物完全包覆碳纳米管;金属与硫离子形成配位,提高两种材料的界面结合强度;碳纳米管均匀分散及其与钴硫化物形成强界面结合,有效发挥碳纳米管高导电特性,充分实现碳纳米管和金属硫化物在电化学过程中的协同作用,从而提高复合材料的比电容和循环稳定性。
  • 一种用于超级电容器复合材料及其制备方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top