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[发明专利]氨合成催化剂-CN202180010960.4在审
发明人：永冈胜俊;小仓优太;佐藤胜俊;宫原伸一郎 -专利权人：国立研究开发法人科学技术振兴机构
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C01F11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种由金属元素L的氧化物和金属元素N的氧化物形成的复合氧化物，是用下述通式(1)的组成表示，并且满足以下(a)～(d)的复合氧化物：LnN1－n(1)(a)金属元素L是，(i)第1族元素、(ii)第2族元素、或者(iii)第1族元素和第2族元素；(b)所述金属元素N，由除了金属元素L以外的第1族或第2族元素组成；(c)n在0.001以上0.300以下；(d)金属元素L的氧化物与金属元素N的氧化物没有形成固溶体，而是金属元素L的氧化物粒子堆积在金属元素N的氧化物粒子的表面。另外，本发明提供一种在该复合氧化物上担载从钴、铁、镍所构成的群组中选择的至少1种金属粒子M而成的金属担载物以及氨合成用催化剂。
合成催化剂

[发明专利]表面处理方法及其所处理的装置-CN201310686904.X在审
发明人：王世忠;彭文庆;劳伦斯·B·库;郝楠;徐悟生;郭明虎;周宏;古彦飞;杨朝晖 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： C23C20/00 文献下载
摘要：本发明涉及表面处理方法及其所处理的装置，其中的表面处理方法包括：将基底材料与处理材料相接触，基底材料含有金属元素，处理材料含有碱土金属元素、碱金属元素、或其任意组合；及，在基底材料上形成表面层，该表面层含所述碱土金属元素、碱金属元素、或其任意组合的氧化物和所述金属元素的氧化物。一种装置，其包括：含有金属元素的基底层；及含有碱土金属元素、碱金属元素、或其任意组合的氧化物和所述金属元素的氧化物的表面层。
表面处理方法及其装置

[发明专利]金属氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管、制备方法及装置-CN201510379122.0有效
发明人：袁广才;闫梁臣;徐晓光;王磊;彭俊彪;兰林锋 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;华南理工大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L29/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管、制备方法及装置，属于平板显示领域。所述金属氧化物半导体薄膜的成分为金属氧化物；所述金属氧化物包括第一金属元素、第二金属元素和第三金属元素；所述第一金属元素为钪元素、钇元素、稀土元素、铝元素和铟元素中的至少一者；所述第二金属元素为钙元素、锶元素和钡元素中的至少一者；所述第三金属元素为钛元素和锡元素中的至少一者。
金属氧化物半导体薄膜薄膜晶体管制备方法装置

[发明专利]金属氧化物膜结构物-CN201480038097.3有效
发明人：金沃律;金沃珉 -专利权人：株式公司品维斯;金沃律;金沃珉
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： C23C30/00 文献下载
摘要：本发明涉及形成于基材表面的金属氧化物膜结构物，涉及由于组成金属氧化物膜的金属元素的原子个数和氧元素的原子个数呈现出非化学计量的特性，从而使金属氧化物膜的密度致密地形成为涂敷前的金属氧化物密度的90％～100％，且无裂痕及气孔的金属氧化物膜结构物，本发明提供金属氧化物膜结构物，形成于基材的表面，上述金属氧化物膜结构物的特征在于，当由XaYb标记的金属氧化物形成为金属氧化物膜结构物时，上述金属氧化物膜结构物的金属元素原子百分比大于{a/(a+b)}×100(％)，其中，X为金属元素，Y为氧元素，a为金属元素原子个数，b为氧元素原子个数，上述金属氧化物膜结构物包含纳米结晶质粒子和纳米非结晶质粒子，用于构成上述金属氧化物膜结构物的粒子不伴随基于热的生长及基于热而变为结晶质，上述金属氧化物膜结构物无裂痕及气孔。
金属氧化物膜结构

[发明专利]金属氧化物颗粒及其应用-CN200580005446.2无效
发明人：武田光生;相泽龙司;森弓子;桑本知幸 -专利权人：株式会社日本触媒
申请日： 2005-02-17 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： C01B13/14 文献下载
摘要：本发明的一个目的是要提供一种具有更好紫外线吸收性的金属氧化物颗粒。作为达到这一目的的手段，本发明的金属氧化物颗粒为这样一种金属氧化物颗粒，以致在含有金属元素(M)的氧化物的颗粒中含有源自不同于金属元素(M)的金属元素(M’)的组分，所述金属氧化物颗粒的特征在于：金属元素(M)为选自Zn、Ti、Ce、In、Sn、Al和Si中至少一种，而金属元素(M’)为选自Cu、Ag、Mn和Bi中至少一种。
金属氧化物颗粒及其应用

[发明专利]用于电化学氧化还原反应中的组合物和电池-CN201010138533.8有效
发明人：邱可豫 -专利权人：台湾立凯电能科技股份有限公司
申请日： 2010-03-19 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01M4/136 文献下载
摘要：本发明提供一种用于电化学氧化还原反应中的组合物和电池。其中组合物包含第一材料和金属或金属氧化物组分；所述第一材料是以通式M1xM2yXO4表示，其中M1表示碱金属元素；M2表示过渡金属元素；X表示磷；O表示氧；x是0.6到1.4；并且y是0.6到1.4。另外，所述金属或所述金属氧化物组分包含至少两种选自由以下组成的群组的材料：过渡金属元素、半金属元素、IIA族元素、IIIA族元素、IVA族元素、其合金以及上述金属元素和合金的氧化物，其中所述两种材料包含不同的金属元素此外，所述第一材料与所述金属或所述金属氧化物组分是共结晶的或是以物理方式结合，并且所述金属或所述金属氧化物组分占所述组合物的小于约30％。
用于电化学氧化还原反应中的组合电池

[发明专利]用于电化学氧化还原反应中的组合物和电池-CN201310417985.3有效
发明人：邱可豫 -专利权人：台湾立凯电能科技股份有限公司
申请日： 2010-03-19 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于电化学氧化还原反应中的组合物，其包含第一材料和金属原子或金属氧化物组分。所述第一材料是以通式M1xM2yXO4表示，其中M1表示碱金属元素；M2表示过渡金属元素；X表示磷；O表示氧；x是0.6到1.4；并且y是0.6到1.4。另外，所述金属原子或所述金属氧化物组分包含至少两种选自由以下组成的群组的材料：过渡金属元素、半金属元素、IIA族元素、IIIA族元素、IVA族元素、其合金以及上述金属元素和合金的氧化物，其中所述两种材料包含不同的金属元素但不包括锂此外，所述第一材料与所述金属原子或所述金属氧化物组分是共结晶的或是以物理方式结合，并且所述金属原子或所述金属氧化物组分占所述组合物的小于约30%。
用于电化学氧化还原反应中的组合电池

[发明专利]一种非金属元素修饰的层状钙钛矿氧化物氧还原电极材料-CN201711082405.4有效
发明人：陈登洁;张振宝;谭绍早;雷浩;周伍兰;陈子龙 -专利权人：暨南大学
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01M4/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种非金属元素修饰的层状钙钛矿氧化物氧还原电极材料。该材料是在层状钙钛矿氧化物的晶格内部或表面引入非金属元素，使其形成非金属元素修饰的高活性层状钙钛矿氧化物氧还原电极材料。本发明所制备的非金属元素修饰层状钙钛矿氧化物氧还原电极材料的氧还原活性较没有非金属元素修饰的层状钙钛矿氧化物在中低温操作范围内具有更高的氧还原活性，同时为固体氧化物燃料电池阴极材料的设计与开发提供一种简单有效的策略，可以极大的推进固体氧化物燃料电池操作温度低温化的进程。
一种非金属元素修饰层状钙钛矿氧化物还原电极材料

[发明专利]半导体装置、半导体存储装置及半导体装置的制造方法-CN202210077247.8在审
发明人：石丸友纪;森伸二;松尾和展;泽敬一;虎谷健一郎 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；第一氧化物半导体层，其设置于第一电极与第二电极之间，包含In、Zn及第一金属元素，第一金属元素为选自由Ga、Mg及Mn构成的组中的至少一种金属元素；第二氧化物半导体层，其设置于第一氧化物半导体层与第二电极之间，包含In、Zn及第一金属元素；第三氧化物半导体层，其设置于第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层之间，包含In、Zn及第二金属元素，第二金属元素为选自由Al、Hf、La、Sn、Ta、Ti、W、Y及Zr构成的组中的至少一种金属元素；栅极电极，其与第三氧化物半导体层相向；以及栅极绝缘层，其设置于第三氧化物半导体层与栅极电极之间。
半导体装置存储制造方法

[发明专利]叠层式压电元件-CN200710135994.8无效
发明人：古川正仁;坂本典正 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2007-03-15 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：其为复数个压电层(1)和复数个内部电极(2)交替叠层的叠层式压电元件，压电层(1)含有包含碱金属元素和铌(Nb)或铋(Bi)的氧化物，内部电极(2)由贱金属构成。氧化物为包含碱金属元素和铌(Nb)的氧化物，作为碱金属元素优选含有钠(Na)、钾(K)和锂(Li)。或者，氧化物为包含碱金属元素和铋(Bi)的氧化物，作为碱金属元素优选含有钠(Na)或钾(K)。
叠层式压电元件

[发明专利]一种含氧钛合金或含氧锆合金的制备方法-CN201810108235.0在审
发明人：刘日平;张星;周奕年;马明臻;刘曙光;罗雷;景勤;张新宇 -专利权人：中鼎特金秦皇岛科技股份有限公司;燕山大学
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： C22C14/00 文献下载
摘要：本发明以金属氧化物作为氧源，与合金原料混合后熔炼，得到含氧钛合金或含氧锆合金；所述金属氧化物的熔点为2500℃以下；所述金属氧化物中的金属元素的活泼性低于钛或锆。本发明以低熔点，且金属元素的活泼性低于钛或锆的金属氧化物作为氧源，与合金原料混合后熔炼过程中，金属氧化物能在高温熔融状态和熔融状态的钛或锆发生置换反应，使金属氧化物中的氧固溶于金属基体中，能得到成分均匀的含氧钛合金或含氧锆合金；由于加入的金属氧化物量很少且氧化物中的金属元素为钛合金、锆合金中常见的合金元素，由金属氧化物带入的金属元素对合金性能影响不大。
金属氧化物含氧钛合金锆合金金属元素合金原料活泼性熔炼氧源制备高温熔融状态熔点合金元素金属基体熔融状态性能影响置换反应低熔点氧化物固溶合金

[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置-CN202280002817.5在审
发明人：卢志高;张宜驰;郭晖 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10K50/17 文献下载
摘要：其中，空穴注入层(6)的材料包括第一金属氧化物和第二金属氧化物，第一金属氧化物和第二金属氧化物均包含第一金属元素，第一金属氧化物中的第一金属元素与第二金属氧化物中的第一金属元素的最外层电子数不同，也即两种金属化合物中的第一金属元素的价态不同
显示面板及其制备方法显示装置

[发明专利]双功能多金属氧化物催化剂-CN94192917.5有效
发明人：周红星 -专利权人：周红星
申请日： 1994-07-29 - 公布日： 2001-12-12 - 主分类号： B01J23/86 文献下载
摘要：一种双功能多金属氧化物催化剂，其特征在于在氧化硅和氧化铝以重量比为１∶１．２—２．５混合成型的载体的外表面和／或内表面上，附着有占该催化剂总重量为３—３０％的活性组份金属氧化物，该金属氧化物中的金属元素选自化学元素周期表第４周期过渡金属元素和镧系过渡金属元素中的至少两种金属元素。
功能金属氧化物催化剂

[发明专利]五价金属元素掺杂金属氧化物薄膜的制备方法及应用-CN202210346612.0在审
发明人：王朋;刘粲;魏亚菊;林宇昊;吴越;吴小平;崔灿 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：本发明涉及五价金属元素掺杂金属氧化物薄膜的制备方法及应用，方法包括：一、将金属氧化物粉末和五价金属元素氧化物研磨混合，并置于蒸发舟中，其中，五价金属元素氧化物包括五氧化二钒粉末、氧化铌粉末或氧化钽粉末，金属氧化物粉末包括三氧化钨粉末或三氧化钼粉末；二、将衬底插入热蒸发设备腔体顶部的样品槽中；三、将腔体抽真空，直到真空度小于10‑3Pa；四、缓慢增加电流到90A后，打开挡板开始蒸镀，蒸镀一定厚度后关闭挡板，然后关闭电源，自然冷却后取出样品，即可得到五价金属元素掺杂金属氧化物薄膜，五价金属元素掺杂金属氧化物薄膜包括钒、铌或钽掺杂的氧化钨薄膜，以及钒、铌或钽掺杂的氧化钼薄膜有效减少氧化钼或氧化钨中的氧空位。
金属元素掺杂金属氧化物薄膜制备方法应用

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201480012341.9有效
发明人：北角英人 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体装置(1001)包括由基板(1)支承的氧化物半导体层(7)和导电体层(13a、13b、13c、13s)，该半导体装置中，氧化物半导体层(7)包含第一金属元素，导电体层(13a、13b、13c、13s)具有层叠构造，该层叠构造包括：包含第一金属元素的第一金属氧化物层(m1)；配置在第一金属氧化物层上且包含第二金属元素的氧化物的第二金属氧化物层(m2)；和配置在第二金属氧化物层上且包含第二金属元素的金属层(M)，第一金属氧化物层(m1)和氧化物半导体层(7)由同一氧化物膜形成，在从基板的法线方向看时，第一金属氧化物层(m1)与所述氧化物半导体层(7)不重叠。
半导体装置及其制造方法

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