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[发明专利]硅通孔阵列-CN202110450323.0有效
发明人：张卫;刘子玉;蒋涵;陈琳;孙清清 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开涉及一种硅通孔阵列，属于半导体器件领域，能够抑制信号的耦合，提高信号的完整性。一种硅通孔阵列，该硅通孔阵列包括信号硅通孔和屏蔽接地硅通孔，其中，所述信号硅通孔和所述屏蔽接地硅通孔交错排布成正N边形，N≥5。
硅通孔阵列

[发明专利]硅通孔阵列结构的射频模型方法-CN201210362613.0有效
发明人：黄景丰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅通孔阵列结构的射频模型方法，用于建立硅通孔阵列结构的射频模型，硅通孔阵列结构包括多个平行排列的条形硅通孔。本发明方法考虑到了硅通孔阵列结构中条形硅通孔的寄生电感、寄生电阻和趋肤效应，以及条形硅通孔之间的耦合电容、条形硅通孔之间的互感，以及硅通孔和衬底的寄生电容，以及衬底效应等，能很好的表征硅通孔阵列结构的高频特征，模拟出准确的硅通孔阵列结构的寄生电感、寄生电容与频率的关系。
硅通孔阵列结构射频模型方法

[实用新型]一种功分器-CN201921318514.6有效
发明人：张开宁;崔立成;彭茂;邓达;杨磊 -专利权人：苏州子波电子科技有限公司
申请日： 2019-08-14 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：功分器包括：基片、分别位于基片相对设置的两个表面上的第一金属层和第二金属层，以及多个贯穿基片、第一金属层和第二金属层的金属化通孔；金属化通孔在基片上形成输入端口、第一输出端口、第二输出端口和凹槽结构；输入端口包括由多个金属化通孔形成的第一通孔阵列和第二通孔阵列；第一输出端口包括由多个金属化通孔形成的第三通孔阵列和第四通孔阵列；第二输出端口包括由多个金属化通孔形成的第五通孔阵列和第六通孔阵列；凹槽结构位于第四通孔阵列和第六通孔阵列之间，且凹槽结构朝向输入端口的方向凹陷
一种功分器

[发明专利]一种基片集成波导圆极化天线、阵列天线及天线系统-CN201910054697.3在审
发明人：苏道一 -专利权人：广东曼克维通信科技有限公司
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种基片集成波导圆极化天线、阵列天线及天线系统，包括依次设置的第一金属层、介质层以及第二金属层。其中，第一金属层具有第一通孔阵列和三个刻蚀出的矩形缝隙；矩形缝隙用于调整圆极化辐射参数；介质层由电介质材料制成，并具有与第一通孔阵列相匹配的第二通孔阵列和第一馈电通孔；第二金属层与接地端相连，具有与第一通孔阵列相同的第三通孔阵列和与第一馈电通孔相匹配的第二馈电通孔；第一通孔阵列、第二通孔阵列以及第三通孔阵列用于与第一金属层和第二金属层共同形成用于限制电磁波的限制腔。可见，使用本发明所描述的基片集成波导圆极化天线、阵列天线及天线系统，能够形成较宽的轴比带宽，并且实现低剖面。
通孔阵列基片集成波导第二金属层第一金属层圆极化天线馈电通孔天线系统阵列天线矩形缝隙介质层匹配电介质材料圆极化辐射依次设置轴比带宽电磁波低剖面接地端三通孔限制腔刻蚀

[发明专利]具导电通孔阵列基板的电子装置-CN202010987166.2在审
发明人：洪胜哲;吴仕先;黄昱玮 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本发明公开一种具导电通孔阵列基板的电子装置，其包含一导电通孔阵列基板及至少一外层板。导电通孔阵列基板具有多个第一导电通孔。外层板具有多个第二导电通孔。外层板设置于导电通孔阵列基板的一侧，第一导电通孔的分布密度或数量大于第二导电通孔的分布密度或数量，使得部分第一导电通孔电连接于第二导电通孔，部分第一导电通孔为电性浮动。
导电阵列电子装置

[发明专利]集成FEM和ANFIS的硅通孔阵列峰值温度快速预测方法及系统-CN202111120059.0有效
发明人：谌东东;李国良;单光宝;李迪;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本申请涉及集成FEM和ANFIS的硅通孔阵列峰值温度快速预测方法及系统，具体设置半导体封装技术领域。本申请提供的集成FEM和ANFIS的硅通孔阵列峰值温度快速预测方法，方法包括：通过获取硅通孔阵列的硅通孔半径、硅通孔间距和绝缘层厚度；并将硅通孔半径、硅通孔间距和绝缘层厚度代入到预设神经模糊推理系统模型中，计算得到硅通孔阵列的峰值温度；由于本申请的预设神经模糊推理系统模型通过多组数据计算得到，进而使得通过使用该预设神经模糊推理系统模型得到的硅通孔阵列的峰值温度的准确度和可信度较高，并且由于本申请只需要将硅通孔阵列的硅通孔半径、硅通孔间距和绝缘层厚度等参数代入该预设神经模糊推理系统模型就可以得到硅通孔阵列的峰值温度。
集成 fem anfis 硅通孔阵列峰值温度快速预测方法系统

[发明专利]电阻变化型非易失性存储装置-CN201180003847.X有效
发明人：池田雄一郎;岛川一彦;东亮太郎 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：提供一种在读出电路的设计中不用设置余量、而能够以最小间隔来对存储单元阵列的位线和字线进行布线的非易失性存储装置。多个基本阵列面的每一个基本阵列面具有仅将该基本阵列面内的偶数层的位线相互连接的第1通孔群、与仅将该基本阵列面内的奇数层的位线相互连接的第2通孔群，第1基本阵列面内的第1通孔群与在Y方向上与第1基本阵列面邻接的第2基本阵列面内的第2通孔群在Y方向上相互邻接，并且，第1基本阵列面内的第2通孔群与第2基本阵列面内的第1通孔群在Y方向上相互邻接，在将第1基本阵列面的第1通孔群与第1基本阵列面的第1全局线连接时，将第2基本阵列面的第2通孔群从第2基本阵列面的第2全局线切断。
电阻变化型非易失性存储装置

[发明专利]具导电通孔阵列基板的电子装置-CN202210904340.1在审
发明人：洪宗益;吴仕先 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本发明公开一种具导电通孔阵列基板的电子装置包含基板、外层板、导电线路层及可切换式电路芯片。基板具有多个第一导电通孔。外层板设置于基板的一侧且具有多个第二导电通孔。第一导电通孔的分布密度或数量大于第二导电通孔的分布密度或数量，使部分的第一导电通孔电连接于第二导电通孔，部分的第一导电通孔为电性浮动。导电线路层设置于外层板上且具有多个导电线。导电线电连接于第二导电通孔。可切换式电路芯片电连接于第一导电通孔。导电线电连接于可切换式电路芯片。可切换式电路芯片用以控制导电线与第一导电通孔之间的电连接关系及导电线之间的电连接关系。
导电阵列电子装置

[发明专利]具导电通孔阵列基板的电子装置-CN202211157314.3在审
发明人：洪宗益;吴仕先 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本发明公开一种具导电通孔阵列基板的电子装置，其包含导电通孔阵列基板、上导电层及下导电层。基板具有多个内层导电通孔且具有上下表面。上导电层包含设置于上表面的上接地导电迹线及上信号导电垫。上接地导电迹线电连接于多个接地导电通孔且具有暴露出部分的上表面的上镂空部。上信号导电垫设置于上镂空部所暴露出的上表面且电连接于信号导电通孔。下导电层包含设置于下表面的下接地导电迹线及下信号导电垫。下接地导电迹线电连接于多个接地导电通孔且具有暴露出部分的下表面的下镂空部。下信号导电垫设置于下镂空部所暴露出的下表面且电连接于信号导电通孔。
导电阵列电子装置

[发明专利]长跨度微孔阵列通孔检测仪-CN201010247442.8无效
发明人：翁希明;纪成绸;翁夏翔;何承安 -专利权人：翁希明
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种长跨度微孔阵列通孔检测仪，包括基座、第一壳体、第二壳体、用于产生定向光源的射光仪、凸透镜、用于固定待测物的定位座和用于与计算机连接并采集通孔状态的摄像仪，所述第一壳体、定位座和第二壳体固定在基座上有益效果是：本发明的长跨度微孔阵列通孔检测仪能够快速测定通孔是否贯通，采用与摄像机连接的计算机进行处理，能够智能化对待测物内密集排布的通孔阵列进行检测，由于通孔具有光通性，检测的可靠性高，且本发明操作简单
跨度微孔阵列检测

[发明专利]一种具有通孔阵列的平板电容结构制造方法及电子设备-CN201910606403.3有效
发明人：于中尧;武晓萌;王启东;杨芳;方志丹 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01G13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有通孔阵列的平板电容结构的制造方法，包括：在具有通孔阵列的平板上沉积第一金属层，使平板及通孔的侧壁上均覆盖第一金属层；在平板上的第一金属层上形成可溶性保护层，形成可溶性保护层的可溶性材料同时填充于通孔阵列中；去除平板上的可溶性保护层，保留通孔阵列中填充的可溶性材料；在平板上的第一金属层上电镀第二金属层；去除通孔阵列中填充的可溶性材料，使通孔侧壁上的第一金属层暴露；蚀刻平板上的金属层和通孔侧壁上的金属层，完全去除通孔侧壁上的金属层，部分去除平板上的金属层，得到带有通孔阵列的平板电容结构。本发明的带有通孔阵列的平板电容结构制造方法，制造工艺简单，成本低。
一种具有阵列平板电容结构制造方法电子设备

[实用新型]一种制作一次成型组织芯片的模具-CN201020588037.8无效
发明人：林爱芬;包卫光;颜卫华 -专利权人：浙江省台州医院
申请日： 2010-11-02 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本制作一次成型组织芯片的模具，包括阵列孔铜板、阵列针铜板和两个L形铜垫片，阵列孔铜板上设有矩形的阵列通孔，阵列针铜板的一侧设有与上述阵列通孔一一对应的阵列针，阵列针的横截面和高度与阵列通孔的截面和深度相同，阵列针插接在阵列通孔中，上述两个L形铜垫片拼成矩形，并垫在阵列孔铜板和阵列针铜板之间，上述的阵列针位于两个L形铜垫片内。
一种制作一次成型组织芯片模具

[发明专利]一种图案化纳米阵列模板及其制备方法和应用-CN202010466833.2在审
发明人：黄璐 -专利权人：中山大学
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： B29C33/38 文献下载
摘要：本申请属于纳米阵列材料的技术领域，尤其涉及一种图案化纳米阵列模板及其制备方法和应用。本申请提供了一种图案化纳米阵列模板，包括微米通孔模板层和纳米孔模板层；所述微米通孔模板层的微米通孔的孔径为5～30μm；所述微米通孔模板层的微米通孔按照图案化排列；所述纳米孔模板层的纳米孔的孔径为10～300nm；所述微米通孔模板层可拆卸性固定在所述纳米孔模板层的纳米孔面上。本申请的图案化纳米阵列模板能制得具备特定图案和不同尺寸的阵列结构，有效解决现有的纳米孔阵列模板法只能制备无图案的、尺寸单一的纳米柱阵列的技术缺陷。
一种图案纳米阵列模板及其制备方法应用

[发明专利]设计平面通孔阵列滤光层的方法、滤光层及LCD背光屏-CN202010534748.5有效
发明人：邓文俊;朱伟明;臧冠兴 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用sinc函数系设计平面通孔阵列滤光层的方法、滤光层及LCD背光屏，方法包括采用LCD背光光源的辐射功率谱得到三种类型通光孔的面积比值；根据R/G/B子像素通光孔的数量，采用反傅立叶变换计算R/G/B子像素通光孔的宽度比和长度比；计算另外两种类型子像素通光孔的宽度比和长度比；根据三种类型通光孔长度比和宽度比及应用场景，确定每个通光孔的实际尺寸；将确定实际尺寸后的所有通光孔按照分布周期排列为子阵列后，并将子阵列中的通光孔旋转预设次数m，得到m+1组不同旋向的子阵列；根据分布周期，将m+1组子阵列等距排列成一个p*q的阵列，并分布于滤光层形成平面通孔阵列滤光层。
设计平面阵列滤光方法 lcd 背光

[发明专利]晶圆级镜头模组阵列、阵列组合及两者的制作方法-CN201210587814.0在审
发明人：邓辉;夏欢 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆级镜头模组阵列、阵列组合及两者的制作方法，所述晶圆级镜头模组阵列包括透明基板，具有第一表面和第二表面；通孔基板，位于所述透明基板的所述第一表面，所述通孔基板包括多个通孔，所述通孔暴露出所述透明基板的部分所述第一表面；所述晶圆级镜头模组阵列还包括第一镜头阵列和第二镜头阵列中的至少其中之一，所述第一镜头阵列位于所述通孔基板的所述通孔位置；所述第二镜头阵列位于所述透明基板的第二表面。本发明所提供的晶圆级镜头模组阵列结构简单，可适于大量生产，具有广阔的市场前景。
晶圆级镜头模组阵列组合两者制作方法

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