专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种水体增氧机-CN201320000891.1有效
  • 庾健航;郭瀚櫆 - 东莞市金达照明有限公司
  • 2013-01-05 - 2013-12-25 - A01K63/04
  • 上固设有n条上连接杆(31)和n条下连接杆(32);叶片(3)的上端所连接的上连接杆(31)较其下端所连接的下连接杆(32)相对于立轴(2)的相位角提前1/n圆周;在叶片上端处,叶片迎水面(30)和水平面近乎平行;渐变到叶片下端处,则叶片迎水面30和水平面近乎垂直,且叶片迎水面(30)也近乎垂直于该叶片下端所连接的下连接杆(32)的轴线。
  • 一种水体增氧机
  • [发明专利]近乎无衬底的复合功率半导体器件及其方法-CN201110088476.1有效
  • 冯涛;何约瑟 - 万国半导体股份有限公司
  • 2011-03-29 - 2011-10-05 - H01L29/06
  • 提出了一种近乎无衬底的复合功率半导体器件(VSLCPSD)及方法。该近乎无衬底的复合功率半导体器件具有一个功率半导体器件(PSD),一个由载体材料制成的前端面器件载体(FDC),以及一个中介粘合层(IBL)。载体和中介粘合层的材料都可以是导电的或不导电的。功率半导体器件具有一个背面衬底部分以及一个正面半导体器件部分,正面半导体器件部分带有带图案的前端面器件金属垫,以及一个衬底近乎消失的减少的器件的厚度TPSD。前端面器件载体还具有一个足够大的厚度TFDC,能够为近乎无衬底的复合功率半导体器件提供充足的结构刚性。
  • 近乎衬底复合功率半导体器件及其方法

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