专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果7094718个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]低温多晶薄膜晶体管及其制造方法-CN200410054469.X有效
  • 郭政彰 - 广辉电子股份有限公司
  • 2004-07-22 - 2006-01-25 - H01L29/786
  • 一种低温多晶薄膜晶体管,其包括闸极、闸电层、图案化硅层、图案化绝缘层、欧姆接触层以及源极/漏极层。闸极与闸电层依序配置在基板上,图案化硅层与图案化绝缘层则依序配置在闸极上方的闸电层上。且图案化硅层包括多晶通道区以及非晶子抑制区。欧姆接触层配置在部分的闸电层与非晶子抑制区上方的部分图案化绝缘层上,并连接非晶子抑制区,源极/漏极层则配置在闸电层以及欧姆接触层上。非晶子抑制区位于欧姆接触层与多晶通道层之间,用以抑制热子效应,减少漏电流,进而改善晶体管的效能。
  • 低温多晶薄膜晶体管及其制造方法
  • [实用新型]低温多晶薄膜晶体管-CN200420065978.8无效
  • 郭政彰 - 广辉电子股份有限公司
  • 2004-07-22 - 2005-08-10 - H01L29/786
  • 一种低温多晶薄膜晶体管,其包括闸极、闸电层、图案化硅层、图案化绝缘层、欧姆接触层以及源极/漏极层。闸极与闸电层依序配置在基板上,图案化硅层与图案化绝缘层则依序配置在闸极上方的闸电层上。且图案化硅层包括多晶通道区以及非晶子抑制区。欧姆接触层配置在部分的闸电层与非晶子抑制区上方的部分图案化绝缘层上,并连接非晶子抑制区,源极/漏极层则配置在闸电层以及欧姆接触层上。非晶子抑制区位于欧姆接触层与多晶通道层之间,用以抑制热子效应,减少漏电流,进而改善晶体管的效能。
  • 低温多晶薄膜晶体管
  • [发明专利]壁半石墨化纳米粒及其制备方法和用途-CN201410025448.9在审
  • 黄容琴;王义 - 复旦大学
  • 2014-01-20 - 2015-07-22 - A61K47/04
  • 本发明属制药领域,涉及壁半石墨化纳米粒及其制备方法和在制备联合治疗脑胶质瘤药物中的用途。本发明采用中,将纳米粒合成过程中的有毒模板剂半石墨化,合成壁半石墨化的纳米粒TsGMSN,药后用于化疗-光热联合治疗脑胶质瘤,具有协同作用。本发明所合成的TsGMSN与现有的纳米粒MSN相比,保留了MSN的优良性能,免除了残留模板剂的毒性;制备成肿瘤药物DOX负载的纳米递药系统TsGMSND,具有优异的功能如热触发释放药物性能、pH敏感释放药物性能本发明提供了一种经济实用的壁半石墨化纳米粒的制备方法及其应用途径。
  • 孔壁半石墨化介孔硅纳米及其制备方法用途

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top