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[发明专利]一种超高纯硫酸的连续生产方法-CN201510212836.2有效
发明人：刘兵;高小云;陈利华 -专利权人：苏州晶瑞化学股份有限公司
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： C01B17/74 文献下载
摘要：本发明涉及一种超高纯硫酸的连续生产方法，以工业三氧化硫为原料，通过依次且连续进行的汽化、氧化酸洗、气体过滤、吸收与冷却，得到硫酸半成品，控制吸收与冷却后的硫酸半成品的温度为50~60℃，然后进行热过滤，过滤后的硫酸中，大于等于0.2μm颗粒浓度降低至25个/mL以下，得到超高纯硫酸，所述超高纯硫酸中各项金属离子含量小于100 ppt，除硫酸根离子，其余阴离子杂质含量低于50ppb，适用于大规模集成电路制造行业
一种高纯硫酸连续生产方法

[发明专利]超纯氨免污染充装方法-CN201110129503.5无效
发明人：吴纳新 -专利权人：吴纳新
申请日： 2011-05-19 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： F17C5/00 文献下载
摘要：超纯氨免污染充装方法，它涉及超高纯电子气体的纯化和充装技术领域。它包含产品罐、热水器、温控仪、充装钢瓶。产品罐分别与热水器和充装钢瓶连接，温控仪与热水器连接；本发明采用热水器，用电加热或蒸汽加热的方法把热水的温度升高，然后通过热水器把热水送入盛有超高纯液氨的产品罐的水夹套内，使产品罐内的超高纯液氨温度升高
超纯氨免污染方法

[发明专利]一种半导体用超高纯氯化氢气体的制备装置及其工艺-CN202111321362.7在审
发明人：杜大艳;曹小林;吴祥虎 -专利权人：湖北和远气体股份有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C01B7/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体用超高纯氯化氢气体的制备装置及其工艺，以工业产品气体为原料，采用高分子渗透膜、金属阳离子交换树脂、稀土金属化合物脱水与高压精馏的结合，可将组分中CO2杂质脱除至0.1ppm以下、金属离子含量脱除至10ppt以下；所述制备工艺摆脱了现有技术对原料的依赖，在生产超高纯氯化氢气体的同时产生多种品质的氯化氢气体，尾气减少的同时易于处理，适用于工业化推广
一种半导体高纯氯化氢气体制备装置及其工艺

[发明专利]一种超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的电解抛光工艺-CN202010688599.8有效
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;王少平 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C25F3/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的电解抛光工艺。本发明的超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的电解抛光工艺，包括如下步骤：1)对超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材待分析面进行研磨；2)对经步骤1)研磨后的待分析面采用电解抛光液进行电解抛光。本发明的超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材的电解抛光工艺，适用于芯片用超高纯Cu及Cu合金靶材的晶粒尺寸、晶向、织构等晶体学分析，特别适用于细晶、超细晶超高纯Cu或超高纯Cu合金靶材，用于指导超高纯Cu或超高纯
一种高纯 cu 合金电解抛光工艺

[发明专利]超高纯氮、氧生成装置-CN96118992.4无效
发明人：山本隆夫;富田伸二;田亮 -专利权人：缔酸株式会社
申请日： 1996-11-01 - 公布日： 1997-07-16 - 主分类号： F25J3/06 文献下载
摘要：提供一种能够同时生成超高纯液氮和超高纯液氧的装置。在第一级精馏塔6内具有上精馏部分12、中间精馏部分13和下精馏部分14。位于上精馏部分12上面的上部分11与氮冷凝器8相连。超高纯液氮从第二级精馏塔7的中间精馏部分22和上精馏部分12之间被回收，在这里它与靠位于精馏部分22下面的再沸器24蒸发的气体逆流接触，因此低沸点组份从其中分离出来。这样，超高纯液氧从第二级精馏塔7的精馏部分22的下面回收。
高纯生成装置

[发明专利]一种组合膜法制备超高纯硫酸的方法-CN201910052512.5在审
发明人：金炳生;赵俊男;高小云;刘兵;胡建康 -专利权人：苏州晶瑞化学股份有限公司
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： C01B17/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种组合膜法制备超高纯硫酸的方法，该方法以三氧化硫为原料，包括依次且连续进行的如下步骤：(1)汽化，得到三氧化硫气体；(2)氧化酸洗，去除还原性杂质；(3)膜吸收器吸收，三氧化硫气体透过膜吸收器的微孔膜被超纯水吸收，得到硫酸；(4)两级微孔膜滤芯过滤，将硫酸溶液泵入两级微孔膜滤芯中过滤；(5)超微膜过滤器精滤：将硫酸溶液泵入超微膜过滤器中进行精滤，得到超高纯硫酸。本发明能够高效去除制备的硫酸中的杂质，制得高品质的超高纯硫酸产品，且生产成本低，可批量生产，具有显著的经济效益。
硫酸超高纯三氧化硫气体微孔膜滤芯硫酸溶液组合膜精滤两级去除过滤汽化还原性杂质生产成本低微膜过滤器过滤器硫酸产品三氧化硫超纯水超微膜高品质膜吸收透过膜微孔膜吸收器氧化酸泵入吸收制备生产

[发明专利]超高纯铝/铝合金样品的预处理方法及氧含量检测方法-CN202010455825.8在审
发明人：姚力军;潘杰;王学泽;边逸军;周佳焕 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G01N1/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种超高纯铝/铝合金样品的预处理方法及氧含量检测方法。所述预处理方法包括：将块状的超高纯铝/铝合金样品置于氢氟酸中进行清洗；然后依次进行水洗、丙酮清洗和烘烤，完成预处理。所述氧含量检测方法包括：按照上述预处理方法对块状的超高纯铝/铝合金样品进行预处理，然后将预处理后的样品放入石墨坩埚中，在通有氦气的气体分析检测仪中高温熔融，以未加样品的石墨坩埚为对照，分别检测生成的二氧化碳气体量
高纯铝合金样品预处理方法含量检测

[实用新型]一种超高纯材料的惰性气体包装设备-CN201721327361.2有效
发明人：卢鹏荐;蔡斌 -专利权人：武汉鑫融新材料有限公司
申请日： 2017-10-16 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： B65B31/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及高纯材料包装技术领域，尤其是一种超高纯材料的惰性气体包装设备，包括支撑座，支撑座上表面的两端设有第一支撑板，第一支撑板远离支撑座的一端之间设有第二支撑板，第一支撑板上表面中心设有伸缩座，伸缩座的顶端连接有套装桶本实用新型使得超高纯材料在储存的过程中处于充满惰性气体的密闭包装袋中，不与空气中的活性气体发生反应，有利于超高纯材料的储存。
一种高纯材料惰性气体包装设备

[发明专利]一种超高纯电子级磷酸的生产方法-CN201110092973.9有效
发明人：罗培华 -专利权人：罗培华
申请日： 2011-04-14 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C01B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高纯电子级磷酸的生产方法，包括：(1)将高纯三氯氧磷加热气化；三氯氧磷蒸气进入磷酸发生器；(2)高纯水加热制得水蒸汽，水蒸气进入磷酸发生器；(3)调节在磷酸发生器里水蒸气与三氯氧磷蒸气的质量比例，进行反应，生成超高纯磷酸和氯化氢蒸气，磷酸加入集液槽，氯化氢经除沫后进入盐酸集液器；(4)所得磷酸经加热，真空脱出氯化氢之后即得到超高纯电子级磷酸；(5)所得盐酸进入蒸发器，蒸出氯化氢气体并用吸收液循环吸收得到高纯盐酸本方法通过三氯氧磷和水蒸汽进行气相反应，增大反应物接触面，有效控制反应速度，并控制磷酸中水和氯化氢含量，可制得超高纯电子级磷酸，副产高纯盐酸。
一种高纯电子磷酸生产方法

[发明专利]一种低氧超高纯砷棒成型装置-CN202211003058.2在审
发明人：陈方平;张吉林;刘允华;吴才顺;邹同贵 -专利权人：峨眉山嘉美高纯材料有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C22B9/05 文献下载
摘要：本发明涉及了一种低氧超高纯砷棒成型装置，包括支架、安装在支架上的砷棒成型炉胆；砷棒成型炉胆包括炉体，炉体的内部形成炉腔；炉腔内安装有成型模具固定座，成型模具固定座上设置有安装槽，用于安装砷棒成型模具；炉体的外侧还设置有气体管路组件，气体管路组件与炉腔连通，用于对炉腔中的气体进行控制；支架还安装有平转机构，平转机构与砷棒成型炉胆联接，用于驱动砷棒成型炉胆平转；支架还安装有加热机构，加热机构与砷棒成型炉胆配合，用于对砷棒成型炉胆加热本发明的一种低氧超高纯砷棒成型装置，可有效的辅助降低成型的砷棒的氧含量，还可有效的辅助提高成型的砷棒的致密度且使砷棒表面光滑平整；满足相应行业对超高纯砷棒的要求。
一种低氧高纯成型装置

[实用新型]低氧超高纯砷棒成型装置-CN202222190310.7有效
发明人：陈方平;张吉林;刘允华;吴才顺;邹同贵 -专利权人：峨眉山嘉美高纯材料有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C22B9/05 文献下载
摘要：本实用新型涉及了低氧超高纯砷棒成型装置，包括支架、安装在支架上的砷棒成型炉胆；砷棒成型炉胆包括炉体，炉体的内部形成炉腔；炉腔内安装有成型模具固定座，成型模具固定座上设置有安装槽，用于安装砷棒成型模具；炉体的外侧还设置有气体管路组件，气体管路组件与炉腔连通，用于对炉腔中的气体进行控制；支架还安装有平转机构，平转机构与砷棒成型炉胆联接，用于驱动砷棒成型炉胆平转；支架还安装有加热机构，加热机构与砷棒成型炉胆配合，用于对砷棒成型炉胆加热本实用新型的低氧超高纯砷棒成型装置，可有效的辅助降低成型的砷棒的氧含量，还可有效的辅助提高成型的砷棒的致密度且使砷棒表面光滑平整；满足相应行业对超高纯砷棒的要求。
低氧高纯成型装置

[实用新型]超高纯气体分配供气系统-CN202223251771.7有效
发明人：赵英杰 -专利权人：上海洁安流体科技有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： F17D3/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超高纯气体分配供气系统，第一过滤器通过气动隔膜阀与调压阀相连，调压阀的出气口设置有压力表，调压阀还通过第二过滤器与两路的第一主控隔膜阀、第二主控隔膜阀相连，第二过滤器还与真空发生器相连本实用新型安全性能好，气动隔膜阀控制气路开关，有气体泄漏时会紧急切断，后端还有真空发生器负压吹扫，适用于超高纯气体上，一进两出气体分配，使用方便可靠，实用性强。
高纯气体分配供气系统

[发明专利]一种超高纯CuAl合金及其制备方法与用途-CN202210915916.4在审
发明人：姚力军;潘杰;慕二龙;汪焱斌;周友平;廖培君 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C22C1/03 文献下载
摘要：本发明涉及一种超高纯CuAl合金及其制备方法与用途，所述超高纯CuAl合金由超高纯电解Cu和超高纯Cu‑xAl中间合金组成，其中5at％≤x≤15at％。所述制备方法包括：将超高纯电解Cu和超高纯Cu‑xAl中间合金放置在真空感应熔炼炉的坩埚中，进行熔炼、垂直拉锭后，得到超高纯CuAl合金。所述超高纯Cu‑xAl中间合金中Al元素可以全部固溶在Cu的基体中形成Cu的固溶体，可以有效避免由于Al元素烧损导致合金成分不符合要求的问题，可用于集成电路芯片布线所需的超高纯CuAl靶材，能够大幅度改善芯片薄膜的电导率均匀性能
一种高纯 cual 合金及其制备方法用途

[发明专利]集成电路芯片用大尺寸超高纯钒溅射靶材及其制备工艺-CN202210072450.6在审
发明人：徐从康;马赛;贺涛;陈箫箫 -专利权人：亚芯半导体材料（江苏）有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C23C16/14 文献下载
摘要：本发明属于难熔金属钒溅射靶材技术领域，具体涉及一种集成电路芯片用大尺寸超高纯钒溅射靶材及其制备工艺，包括以下步骤：步骤S1，将钒与氟气在高温条件下反应，制备出粗品五氟化钒；步骤S2，将粗品五氟化钒经真空蒸馏法、吸附法和金属还原法提纯后，得到高纯度五氟化钒；步骤S3，将高纯度五氟化钒采用化学气相沉积法还原成超高纯金属钒；步骤S4，将超高纯金属钒沉积到基体材料上，一步法生产出大尺寸超高纯钒溅射靶材；本发明制作的超高纯钒溅射靶材以高纯氮气稀释的氟气、高纯钒粉和氢还原气体为原料，在特制的化学气相沉积(CVD)设备中一步完成，反应过程为连续气相反应，产品各向一致性和批次间一致性远优于传统的钒靶材，所制备的钒靶材纯度达到99.9999％。
集成电路芯片尺寸高纯溅射及其制备工艺

[发明专利]一种超高纯铜铝铸锭及其制备方法和用途-CN202110943191.5在审
发明人：易骛文;姚力军;潘杰;孙银祥 -专利权人：宁波微泰真空技术有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C22C9/01 文献下载
摘要：本发明提供一种超高纯铜铝铸锭及其制备方法和用途，所述超高纯铜铝铸锭的纯度为6N～6N7；所述超高纯铜铝铸锭中铝的质量含量为0.05％～5％；所述超高纯铜铝铸锭的铝质量含量不均匀值小于2％。所述制备方法主要包括将铝锭切块、表面处理和真空包装后得到超高纯铜铝铸锭用铝块；向真空熔化后的铜原料中加入所述超高纯铜铝铸锭用铝块，晃动摇匀，浇铸，冷却，得到所述超高纯铜铝铸锭。所述制备方法简单，操作方便，具有良好的工业化应用前景；所述超高纯铜铝铸锭可用于集成电路芯片布线用超高纯铜铝靶材。
一种高纯铸锭及其制备方法用途