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[发明专利]半导体芯片和半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN200410098090.9有效
发明人：汤泽秀树 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2004-12-08 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种集成电路设计自由度高的半导体芯片和半导体装置及其制造方法。半导体芯片包含形成集成电路(13)的半导体基片(12)。半导体芯片具有多个电极(20)，呈面阵状设置在半导体基片(12)上，被分成分别沿多条平行的第1直线(110)的多个第1组(310)进行排列，半导体基片(12)内部保持电连接。
半导体芯片装置以及制造方法

[发明专利]半导体芯片-CN200910006138.1无效
发明人：汤泽秀树 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2004-12-08 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种集成电路设计自由度高的半导体芯片和半导体装置及其制造方法。半导体芯片包含形成集成电路(13)的半导体基片(12)。半导体芯片具有多个电极(20)，呈面阵状设置在半导体基片(12)上，被分成分别沿多条平行的第1直线(110)的多个第1组(310)进行排列，半导体基片(12)内部保持电连接。
半导体芯片

[发明专利]半导体装置和设计装置-CN201610045085.4有效
发明人：岩田浩幸 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明的各个实施例涉及半导体装置和设计装置。在压缩扫描中，在不降低检测效率的情况下，减少了测试步骤的数量。半导体装置包括：一个或者多个扫描链，其中每个扫描链包括串联连接的一个或者多个MMSFF；以及组合电路；并且半导体装置可以在扫描移位操作与捕获操作之间切换。
半导体装置设计

[发明专利]侦测半导体装置的方法及系统、半导体装置及其制造方法-CN201410059737.0无效
发明人：庄严;洪哲伦;李筱玲 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明是有关于一种侦测半导体装置的方法及系统、半导体装置及其制造方法。其提供用以检测在半导体、半导体装置或基板中的缺陷的方法及系统。也提供具有新形测试图案及/或设计的半导体、半导体装置或基板。其中具有多个线路图案的半导体、半导体装置或基板产生一反应。多个线路图案对应于一反应刺激物（如电子束辐射）。
侦测半导体装置方法系统及其制造

[发明专利]具有非电连接的半导体装置-CN202010266528.9在审
发明人： W·哈特纳;F·阿尔乔尼;B·赫勒;M·R·涅斯纳;C·韦希特尔;M·沃杰诺维斯基 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体装置。该半导体装置包括：具有高频电路和高频端子的半导体芯片；外部高频端子；以及布置在半导体芯片的高频端子与外部高频端子之间的非电连接，其中该非电连接被设计为传输高频信号。
具有连接半导体装置

[发明专利]半导体装置及半导体装置的版图设计方法-CN200710102009.3无效
发明人：嶋田纯一;木村文浩;松村阳一;大桥贵子;岩内宣之;藤野健哉;荒木章之;桥本幸治;安井卓也;田口浩文 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-04-26 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有天线保护元件的半导体装置，相比现有技术可以更适于设计制造。
半导体装置版图设计方法

[外观设计]半导体晶片处理装置-CN201930607750.9有效
发明人：埃勒·Y·尤科 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： 15-09 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：半导体晶片处理装置。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于加工半导体晶片。3.本外观设计产品的设计要点：在于本外观设计产品的形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.立体图、主视图、后视图、左视图、右视图、俯视图、仰视图显示了具有半导体晶片处理工具（即组件1）的半导体晶片处理装置；组件1主视图、后视图、左视图、右视图、俯视图、仰视图、立体图显示了组件1（即半导体晶片处理工具
半导体晶片处理装置

[实用新型]半导体温控装置和EPS控制器-CN202320905403.5有效
发明人：李茂隆;周勇 -专利权人：采埃孚汽车科技（上海）有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L23/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子器件散热技术领域，提供半导体温控装置和EPS控制器。半导体温控装置包括：制冷制热半导体，包括串联的P型半导体、导热导体和N型半导体；继电器，包括正极开关、负极开关、连接P型半导体的第一触点和第四触点及连接N型半导体的第二触点和第三触点；当正极开关接通第一触点，负极开关接通第三触点，供电电流自P型半导体流至N型半导体；当正极开关接通第二触点，负极开关接通第四触点，供电电流自N型半导体流至P型半导体。本实用新型利用制冷制热半导体的材料特性和继电器的精确控制，实现对电子器件的散热/加热，提高电子器件的可靠性；且半导体温控装置可以嵌入电子器件中，实现紧凑、封闭的结构设计。
半导体温控装置 eps 控制器

[发明专利]半导体装置、其制造方法和设计方法、以及电子装置-CN201110070318.3有效
发明人：高桥洋;助川俊一;井上启司 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置、该半导体装置的制造方法和设计方法、以及电子装置。该半导体装置的制造方法包括如下步骤：通过将多个半导体晶片层叠并粘合起来形成含有所述多个半导体晶片的层叠结构，各所述半导体晶片设置有形成于表面侧的布线层且设置有半成品状态的电路；然后对所述层叠结构的上层半导体晶片进行减薄；然后从所述上层半导体晶片形成开口，由此形成连接孔和贯通连接孔，所述连接孔到达形成于所述上层半导体晶片表面侧的配线，所述贯通连接孔穿过所述上层半导体晶片并到达形成于下层半导体晶片表面侧的配线，所述贯通连接孔的直径大于所述连接孔的直径
半导体装置制造方法设计以及电子

[外观设计]半导体制造装置用密封件-CN201830163481.7有效
发明人：辻和明;櫻井貴史 -专利权人：株式会社华尔卡
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： 08-08 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：半导体制造装置用密封件。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于对干刻装置等半导体制造装置进行密封。3．本外观设计产品的设计要点：在于半导体制造装置用密封件的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。5．省略视图：后视图与主视图一致，省略后视图，左视图与右视图一致，省略左视图。6．如使用状态参考图所示，将导入端子插入半导体制造装置用密封件的内部，从而将半导体制造装置用密封件插入设于第一空间与第二空间之间的端子插入孔。
半导体制造装置外观设计密封件省略左视图端子插入孔第二空间第一空间右视图密封图片

[发明专利]一种半导体装置及半导体装置的设计辅助装置-CN202310904287.X有效
发明人：伊藤真浩;熊谷裕弘 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及半导体装置的设计辅助装置，属于半导体技术领域，且所述半导体装置包括：MOM电容，所述MOM电容包括多个第一电极和多个第二电极，且所述第一电极和所述第二电极在第一方向上交替设置通过本发明提供的一种半导体装置及半导体装置的设计辅助装置，可提高电路设计的自由度，减小半导体装置的体积。
一种半导体装置设计辅助

[发明专利]具有转换器和控制装置的转换器装置-CN202110931778.4在审
发明人： A·吉斯曼;C·施密特 -专利权人：赛米控电子股份有限公司;赛米控电子(珠海)有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H02M7/537 文献下载
摘要：本发明涉及一种转换器装置，其具有转换器和控制装置，所述转换器具有功率半导体开关，所述控制装置设计成驱动功率半导体开关，其中该控制装置设计成驱动功率半导体开关，使得在转换器中出现的电开关损耗减少。
具有转换器控制装置

[发明专利]一种半导体器件老练实验装置及方法-CN201710998850.9在审
发明人：李志福 -专利权人：朝阳无线电元件有限责任公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种半导体器件老练实验装置及方法，属于半导体器件加工技术领域。目的是提供一种半导体器件老练装置及方法，能够从根本上解决半导体器件老练不能实现标准要求问题。装置包括老化电源系统、半导体器件、油槽、夹具、冷却系统，所述半导体器件通过夹具夹持且置于油槽中，半导体器件与老化电源系统电连接，冷却系统用于控制油温和半导体器件结温。方法为将半导体器件采用浸渍方法至于油槽中，通过冷却系统精确控制油温和器件结温，实现半导体器件老练功能。本发明设计老练试验台一次可以老练多只器件（100只‑200只），极大提高老练工作效率。
一种半导体器件老练实验装置方法

[发明专利]半导体器件温度校准装置和测温方法-CN202210277542.8在审
发明人：王宏跃;周斌;黄云;路国光 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G01J5/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件温度校准装置，包括：箱体，所述箱体设有密闭空间，所述箱体用于放置待测半导体器件；加热装置，所述加热装置设置于所述箱体内壁上，所述加热装置用于对所述箱体内空气进行均匀加热。通过加热装置对所述箱体内空气进行均匀加热，能够实现对放置于箱体密闭空间内的待测半导体器件的均匀加热，使其温度达到符合要求的校准值，提高了对带有非平面型散热结构的待测半导体器件进行温度校准的准确性，便于分析半导体器件的散热结构性能、使用性能，指导半导体器件热设计、安全工作区设计以及失效分析。
半导体器件温度校准装置测温方法

[外观设计]半导体制造装置用密封件-CN201830213662.6有效
发明人：姜龍求;吉田延博 -专利权人：株式会社华尔卡
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： 08-08 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：半导体制造装置用密封件。2．本外观设计产品的用途：用于例如化学气相沉积装置、干法蚀刻装置等半导体制造装置，插入半导体制造装置的槽中进行密封。3．本外观设计产品的设计要点：在于半导体制造装置用密封件的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1立体图。5．设计1为基本设计。6．后视图与主视图相同、左视图与右视图相同，省略设计1、2、3、4的后视图、左视图。
半导体制造装置外观设计密封件左视图化学气相沉积装置干法蚀刻装置右视图省略密封图片