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[发明专利]一种SiC晶圆的金属化层剥离方法-CN202110169376.5有效
发明人：侯斌;王怡鑫;何静博;李照;鲁红玲 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种SiC晶圆的金属化层剥离方法，先采用腐蚀或刻蚀的方法，将已报废SiC晶圆上表面和下表面的金属层去除，SiC晶圆上表面的金属化层和下表面的金属化层裸露出来；再对SiC晶圆上表面的金属化层和下表面的金属化层在1100℃～1400℃下进行氧化处理，所述的金属化层最外侧的一部分厚度形成氧化层，之后去除该氧化层；最后重复步骤2若干次，直至SiC晶圆上表面的金属化层和下表面的金属化层去净为止，完成SiC晶圆的金属化层剥离，有效解决目前SiC器件在金属化层加工不理想时，SiC晶圆报废的问题。
一种 sic 金属化剥离方法

[发明专利]封装体及其制造方法-CN202111360843.9在审
发明人：西岛英孝;长广雅则 -专利权人： NGK电子器件株式会社;日本碍子株式会社
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H03H9/05 文献下载
摘要：本发明提供能确保上表面与下表面之间的电连接并能防止钎料向侧面不必要地大量流出的封装体及其制造方法。金属化部(200)包括密封面(SS)上的密封金属化层(210)、陶瓷部(100)的下表面(P2)上的下表面金属化层(220)及陶瓷部(100)的侧面(P3)上的侧面金属化层(230)。侧面金属化层(230)具有与密封金属化层(210)相连的上方部分(231)、与下表面金属化层(220)相连的下方部分(232)及将上方部分(231)与下方部分(232)彼此相连的中间部分(233)。金属层(300)由对钎料(930)的润湿性比金属化材料高的金属材料构成。金属层(300)覆盖金属化部(200)的密封金属化层(210)，金属化部(200)的侧面金属化层(230)的中间部分(233)未被覆盖。
封装及其制造方法

[发明专利]陶瓷基板及其制造方法-CN201380002497.4有效
发明人：东条孝俊;铃村真司;吉田美隆;小川正广 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：提供一种陶瓷基板及其制造方法，该陶瓷基板具有由陶瓷形成且供电子部件等安装的基板主体的表面和形成于该表面的金属化层，在将金属盖焊接到钎焊在该金属化层上的金属框上时，上述金属化层不会在金属盖的由该焊接热引起的收缩应力的作用下从基板主体剥离开来，且该金属化层与上述基板主体牢固地紧密接合在一起。陶瓷基板具有由陶瓷形成且具有俯视时呈矩形状的一对表面的基板主体和形成于该基板主体的表面且用于对金属框进行钎焊的金属化层，其中，在上述基板主体的表面与上述金属化层之间配设有复合材料层，该复合材料层通过使陶瓷部、金属部以及玻璃部混在一起而成，该金属部由与构成上述金属化层的金属种类相同的金属或者能与上述金属化层的金属形成完全固溶体的金属形成，该复合材料层的厚度比上述金属化层的厚度薄，在上述金属化层的表面覆盖有镀层
陶瓷及其制造方法

[发明专利]电子设备-CN201310144407.7无效
发明人：关根重信;关根由莉奈 -专利权人：纳普拉有限公司
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：上述基板具有金属化布线。上述金属化布线包括金属化层和合成树脂膜。上述金属化层包含高熔点金属成分和低熔点金属成分，上述高熔点金属成分和上述低熔点金属成分相互扩散接合，附着于上述基板的表面。上述合成树脂膜与上述金属化层同时形成，覆盖上述金属化层的表面，膜厚在5nm～1000nm的范围。上述电子部件与上述金属化层电连接。
电子设备

[发明专利]一种提高氧传感器中氧化锆陶瓷的金属化强度的方法-CN201410025562.1无效
发明人：冯涛;蒋丹宇;徐兵;徐权;夏金峰;粘洪强;黄德信;徐海芳 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-01-20 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： C04B41/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高氧传感器中氧化锆陶瓷的金属化强度的方法，其包括如下步骤：首先分别配制金属化过渡层浆料和金属化工作层浆料；然后将金属化过渡层浆料覆盖在氧化锆芯片基体表面，形成金属化过渡层；再将金属化工作层浆料覆盖在得到的金属化过渡层表面，干燥后在1350～1600℃下进行烧结；所述的金属化过渡层浆料是由贵金属粉体和氧化锆粉体分散在粘结剂中制备而得；所述的金属化工作层浆料是由贵金属粉体分散在粘结剂中制备而得。本发明可提高氧化锆陶瓷的金属化强度，延长氧传感器的使用寿命，具有实用性。
一种提高传感器氧化锆陶瓷金属化强度方法

[实用新型]房间变暗材料和由所述房间变暗材料制成的建筑覆盖物-CN201820205310.0有效
发明人： P·G·斯威斯兹;K·丹;M·西贝纳勒 -专利权人：亨特道格拉斯公司
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： B32B27/06 文献下载
摘要：所述遮光材料包括至少两个金属化层。在一个实施方案中，聚合物膜在两侧上涂布有第一金属化层和第二金属化层。所述金属化层可以具有匹配或不同的光密度。其它层可以与所述金属化层组合以便提供修整表面和/或保护所述金属化层。
金属化层变暗本实用新型建筑覆盖物聚合物膜遮光材料复合材料遮光阻光匹配修整

[发明专利]一种p型多晶硅钝化接触的金属化电极-CN202011488705.4在审
发明人：叶继春;曾俞衡;闫宝杰;智雨燕;郑晶茗;卢琳娜;廖明墩;刘尊珂;林毅然;冯蒙蒙 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种p型多晶硅钝化接触的金属化电极，包括依次叠加设置的晶硅衬底、隧穿层、重掺多晶硅层、第一金属化层和第三金属化层，所述第一金属化层的金属与所述多晶硅层功函数匹配，所述第三金属化层为Al层或Cu层。本申请提供的金属化电极中叠层金属层实现了全表面载流子收集，第一金属化层的载流子传输性能良好，与重掺多晶硅层功函数匹配，能形成良好的欧姆接触，同时第一金属化层的金属在多晶硅中扩散系数低，降低第三金属化层向硅衬底扩散，金属引入缺陷减少，复合降低，降低金属化成本。
一种多晶钝化接触金属化电极

[发明专利]金属化电气部件-CN201510646407.6在审
发明人： G·科尔梅德;C·W·李;J·马勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01B1/02 文献下载
摘要：本发明涉及金属化电气部件。各种实施例提供了一种用于电子模块的金属化电气部件，其中所述金属化电气部件包括导电电气元件，以及在所述导电电气元件之上布置并且至少包括表面金属化层的金属化结构，其中所述表面金属化层包括金和银并且具有2nm
金属化电气部件

[发明专利]微波介质陶瓷材料的表面金属化方法、微波介质陶瓷器件-CN202111538799.6在审
发明人：陆正武;袁亮亮;李月 -专利权人：大富科技（安徽）股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本申请属于材料技术领域，尤其涉及一种微波介质陶瓷材料的表面金属化方法，以及一种微波介质陶瓷器件。其中，微波介质陶瓷材料的表面金属化方法，包括步骤：对微波介质陶瓷材料的表面进行粗化处理，对表面粗化的微波介质陶瓷材料依次进行敏化处理和活化还原处理；将表面沉积贵金属单质的微波介质陶瓷材料置于贱金属镀液中进行化学镀后，进行烧结处理，得到表面形成有贱金属化层的微波介质陶瓷材料。本申请表面处理方法提高了表面金属化层的一致性和均匀性，提高金属化层与陶瓷材料表面的结合紧密度。并且，采用贱金属化层代替贵金属化层，降低了成本，避免了贵金属在使用环境中发生电子迁移导致产品导电性变差。
微波介质陶瓷材料表面金属化方法陶瓷器件

[发明专利]一种可金属化组合物及其制备方法、非金属表面选择性金属化方法-CN201310149356.7有效
发明人：胡文;李海滨 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： C09D165/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种可金属化组合物及其制备方法，包括主体树脂、固化树脂和溶剂，所述主体树脂为式I或式II所示结构的聚合物。本发明还提供了采用该可金属化组合物进行非金属表面选择性金属化的方法。本发明提供的可金属化组合物在直接成型或者在其它非金属基材表面固化形成漆膜后，其表面经过前处理后可直接金属化，且金属化后形成的金属层与基材层具有良好的结合力。同时本发明提供的可金属化组合物可以在基材表面既定的位置金属化，无溢镀和漏镀现象，可容易实现非金属表面的选择性金属化，工艺简单易实现。
一种金属化组合及其制备方法非金属表面选择性

[实用新型]磁控管用金属化陶瓷绝缘环-CN201320040639.3有效
发明人：朱广汇 -专利权人：无锡康伟工程陶瓷有限公司
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01J23/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及磁控管用金属化陶瓷绝缘环，包括中心设有通孔的白瓷体，所述白瓷体的上下端上分别紧密结合有金属化层，其特征在于：所述金属化层包括金属化钼层和金属化镍层，所述金属化钼层与白瓷体直接结合，所述金属化镍层与金属化钼层结合本实用新型采用金属化粉料颗粒与陶瓷晶相颗粒合理匹配技术，在不提高烧结温度前提下，使金属化钼层在烧结时能与陶瓷体形成紧密结合，然后再在金属化钼层上制作金属化镍层，提高了陶瓷金属化层的表面质量和抗拉强度；金属化陶瓷壁增厚至2mm，减少了由于磁控管内磁场产生电流过大致使陶瓷壁被击穿或产生裂痕的现象发生；金属化陶瓷内径增至12mm，在相同电流作用下，能够增加磁控管发射微波的功率。
管用金属化陶瓷绝缘

[发明专利]表面贴装混合耦合器-CN202011205040.1在审
发明人：俞志华 -专利权人：增强信（苏州）通信设备有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明涉及表面贴装混合耦合器，金属化通孔一～三从铜箔层一贯穿介质层二～五至铜箔层五；金属化通孔四～七从铜箔层一贯穿介质层二～六至铜箔层六；金属化通孔八～九从铜箔层四贯穿介质层五～六至铜箔层六；微带传输线一位于铜箔层五，一端接金属化通孔二，另一端接金属化通孔五；微带传输线二位于铜箔层五，一端接金属化通孔一，另一端接金属化通孔四；螺旋微带线一位于铜箔层二，一端接金属化通孔六，另一端接金属化通孔一；螺旋微带线二位于铜箔层三，一端接金属化通孔七，另一端接金属化通孔二；金属化接地层一通过金属化通孔三接金属化接地层二；金属化接地层二一侧通过金属化通孔八接引脚端口二，另一侧通过金属化通孔九接引脚端口五。
表面混合耦合器

[实用新型]表面贴装混合耦合器-CN202022492865.8有效
发明人：俞志华 -专利权人：增强信（苏州）通信设备有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及表面贴装混合耦合器，金属化通孔一～三从铜箔层一贯穿介质层二～五至铜箔层五；金属化通孔四～七从铜箔层一贯穿介质层二～六至铜箔层六；金属化通孔八～九从铜箔层四贯穿介质层五～六至铜箔层六；微带传输线一位于铜箔层五，一端接金属化通孔二，另一端接金属化通孔五；微带传输线二位于铜箔层五，一端接金属化通孔一，另一端接金属化通孔四；螺旋微带线一位于铜箔层二，一端接金属化通孔六，另一端接金属化通孔一；螺旋微带线二位于铜箔层三，一端接金属化通孔七，另一端接金属化通孔二；金属化接地层一通过金属化通孔三接金属化接地层二；金属化接地层二一侧通过金属化通孔八接引脚端口二，另一侧通过金属化通孔九接引脚端口五。
表面混合耦合器

[实用新型]一种馈电结构及天线-CN201920732300.7有效
发明人：时文文;冯志成 -专利权人：深圳市海能达通信有限公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01Q1/50 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种馈电结构及天线，本实用新型的一种馈电结构包括具有相对的第一表面和第二表面的基板；基板包括：在第一表面和第二表面之间层叠设置的多个介质层，贯穿多个介质层以及第一表面和第二表面的金属化通孔；在多个介质层之间、围绕金属化通孔并与金属化通孔保持预设距离的多个导电层；以及贯穿部分介质层与导电层电性连接的多个金属化埋孔；其中多个金属化埋孔围绕金属化通孔呈圆周排列。
一种馈电结构天线

[实用新型]一种金属化电极层厚度分段控制的金属化薄膜-CN201520777644.1有效
发明人：陈红晓;廖煜 -专利权人：成都宏明电子股份有限公司
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01G4/015 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属化电极层厚度分段控制的金属化薄膜，包括有机薄膜和在所述有机薄膜表面蒸镀金属后形成的金属化电极层，所述有机薄膜表面的一侧边缘设有未蒸镀所述金属化电极层的空白留边；所述金属化电极层的厚度从与所述空白留边相对的一边边缘开始至所述空白留边的内边缘为止呈线性或阶梯性递减，所述金属化电极层的厚度在0.3nm~30nm之间。本实用新型中，金属化电极层的厚度采用均匀性或阶梯性递减的方式设计，实现了根据由本金属化薄膜生产的电容器的应用需求分区域改变金属化薄膜特性的目的；采用本金属化薄膜进行卷绕生产的电容器具有较高的耐电压能力。
一种金属化电极厚度分段控制薄膜

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