专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]分形结构粗糙表面-CN201110242718.8有效
  • 张程宾;陈永平 - 东南大学
  • 2011-08-23 - 2012-04-25 - B81B7/00
  • 本发明公开了一种分形结构粗糙表面,包括基体,其特征在于:在所述的基体上设置有一不凝性气膜层,该不凝性气膜层由压缩气体发生器、气体容纳腔和多孔芯组成,所述的多孔芯通过连接件配置在所述的基体的表面上,所述的基体与所述的多孔芯之间的缝隙形成所述的气体容纳腔;在所述的多孔芯的外表面设置有粗糙结构,该粗糙结构为具有分形特征的一系列微肋结构,至少具有两级的凹凸微肋分布,以形成超疏水表面;所述的不凝性气膜层产生的不凝性气体维持有一定的压力,浸于微肋结构之间的孔隙中本发明结合了超疏水表面和气膜这两种流动减阻技术,因而可实现高效流动减阻和节能的目的。
  • 结构粗糙表面
  • [实用新型]表面粗糙的芯片结构-CN202121776839.6有效
  • 余晏斌 - 东莞市仙桥电子科技有限公司
  • 2021-07-30 - 2022-01-18 - H01L23/29
  • 本实用新型公开了一种表面粗糙的芯片结构,包括芯片主体、玻璃层和颗粒,所述玻璃层连接于芯片主体的表面上,所述颗粒为多个,所述玻璃层包裹住所有颗粒。本实用新型中,包裹有多个颗粒的玻璃层可以是于熔融的玻璃中加入多个颗粒后于芯片主体上烧结获得的,在玻璃凝固为玻璃层时,则颗粒能大大减弱玻璃的流平性能,以此避免玻璃层的表面变得光滑,使得玻璃层的表面粗糙状,而当本实用新型在粘合PCB时,由于玻璃层的表面粗糙,能增加玻璃层和PCB粘合时的接触面积,提高粘合强度,有效降低本实用新型在后续焊接,尤其是波峰焊焊接时发生的移位或者脱落,保证其后续加工可靠性,减少不良品的产生
  • 表面粗糙芯片结构
  • [发明专利]表面粗糙化方法-CN202310328502.6在审
  • 王晓冉;徐耿钊;刘争晖;张春玉 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 2023-03-30 - 2023-08-11 - H01L33/22
  • 本发明公开了一种表面粗糙化方法。表面粗糙化方法包括:制备得到MicroLED器件,其中MicroLED器件中p型氮化镓层的外表面具有预定角度范围的斜切角;将MicroLED器件置于预先制备的腐蚀溶液中,经过预定时长后在p型氮化镓层的外表面形成粗糙结构通过在制备MicroLED器件过程中在p型氮化镓层的外表面形成斜切角度,一方面通过形成斜切角度可以使表面容易形成粗糙结构,降低了制备工艺的难度和复杂度,另一方面通过调整斜切角度的大小,可控制表面粗糙化的程度
  • 表面粗糙方法
  • [发明专利]散热基板-CN201410045343.X有效
  • 陈庆盛 - 旭德科技股份有限公司
  • 2014-02-08 - 2018-12-21 - F28D15/04
  • 本发明公开一种散热基板,包括散热块、金属基材以及至少一弹性结构。散热块包括承载部以及多个支撑部。支撑部彼此平行且配置于承载部的下表面上。支撑部垂直承载部且与承载部围设成容置空间。承载部于部分下表面上具有第一粗糙表面结构,且第一粗糙表面结构位于容置空间中。金属基材配置于散热块的下方,且具有组装表面。金属基材于部分组装表面上具有对应第一粗糙表面结构的第二粗糙表面结构。第一粗糙表面结构、第二粗糙表面结构以及支撑部定义出流体腔室,而工作流体流动于流体腔室中。弹性结构配置于流体腔室内。
  • 散热
  • [发明专利]偏振分束器及其制造方法-CN201610958971.6有效
  • A·J·乌德柯克;J·C·卡尔斯;S·B·查尔斯;C·T·默里 - 3M创新有限公司
  • 2013-08-15 - 2019-02-26 - G02B27/28
  • 光学元件的制法,包括:提供包括具顶部表面的顶部聚合物片材、具底部表面的底部聚合物片材和光学膜的组件,光学膜设置在顶部聚合物片材和底部聚合物片材之间并粘附其上;修改顶部表面和底部表面得到具多个顶部结构和顶部表面粗糙度的顶部结构表面和具多个底部结构和底部表面粗糙度的底部结构表面;如下形成带涂层组件:向顶部结构表面施加顶部涂层得到具多个顶部带涂层结构和小于所述顶部表面粗糙度的顶部带涂层表面粗糙度的顶部带涂层结构表面;向底部结构表面施加底部涂层得到具多个底部带涂层结构和小于所述底部表面粗糙度的底部带涂层表面粗糙度的底部带涂层结构表面
  • 偏振分束器及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201310007377.5有效
  • S.W.朴;K.Y.杨;K.H.李;J.H.李 - 新科金朋有限公司
  • 2013-01-09 - 2017-12-12 - H01L21/56
  • 互连结构形成在半导体管芯的有源表面上。密封剂被形成在半导体管芯和互连结构上,包括与互连结构相对的第一表面。第一表面的外围部分包括设置在半导体管芯的占位空间外部的第一粗糙度。第一表面的半导体管芯部分包括设置在半导体管芯的占位空间上的小于第一粗糙度的第二粗糙度。密封剂的第一表面被设置在模具内和半导体管芯周围以接触模具的表面,其包括等于第一粗糙度的第三粗糙度和等于第二粗糙度的第四粗糙度。第一粗糙度包括小于1.0微米的粗糙度。第二粗糙度包括在1.2 ‑ 1.8微米的范围内的粗糙度。
  • 半导体器件及其制作方法
  • [发明专利]一种粗糙化硅柱阵列结构及其制备方法-CN201911381913.1在审
  • 杨绍松;刘广强;毛海央;陈大鹏 - 无锡物联网创新中心有限公司
  • 2019-12-27 - 2020-05-08 - G01N21/65
  • 本发明涉及有序阵列硅材料技术领域,具体涉及一种粗糙化硅柱阵列结构及其制备方法,粗糙化硅柱阵列包括硅衬底和硅衬底上均匀排列的粗糙化硅柱,形成粗糙化硅柱阵列结构粗糙化硅柱阵列结构表面沉积金膜的厚度为20‑40nm;粗糙化硅柱包括硅基圆台和硅基圆台表面粗糙结构,每平方毫米的硅衬底上包括(0.8‑1.2)×106粗糙化的硅柱,其排列紧密有序,粗糙程度高,表面活性吸附能力及拉曼性能得到极大的增强,使整个硅柱阵列上的SERS活性热点极大增加,极大提高了表面离子共振耦合效应,极大提高金属表面吸附分子SERS信号;而且由于有序性好,信号的重复性好,检测时准确性和稳定性好。
  • 一种粗糙化硅柱阵列结构及其制备方法
  • [发明专利]表面加工方法及结构-CN202211194572.9在审
  • 赵泽佳;翁志敏;王静威;张国庆 - 深圳大学
  • 2022-09-28 - 2023-01-13 - B29C64/379
  • 本申请提供表面加工方法及结构件。其中,表面加工方法包括采用第一加工工艺对第一表面进行加工,以使加工后的第一表面粗糙度为第一粗糙度。采用第二加工工艺对第二表面进行加工,以使加工后的第二表面粗糙度为第二粗糙度。且第一粗糙度与第二粗糙度的差值的绝对值小于预设值。本申请通过采用不同的加工工艺处理微观结构不同的表面,既提高了不同表面的加工效果,又使不同表面粗糙度相近,从而提高待加工件的表面质量均匀性。
  • 表面加工方法结构件

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