专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种场效应-CN200920227332.8无效
  • 潘难德 - 潍坊安晶电子有限公司
  • 2009-09-25 - 2010-07-21 - H01L29/78
  • 本实用新型涉及一种场效应管,包括场效应管本体,场效应管本体具有上表面和下表面,场效应管本体的上表面设有栅极,栅极具有一个承载端面,下表面设有漏极和源极,将场效应管本体设置为圆盘状,便于电声元件圆形外壳的封装,场效应管本体上表面的中间位置设有圆柱状的栅极,栅极具有一个承载端面,可以起到承载作用,将场效应管本体设置成一个圆盘并在圆盘的上、下表面设置圆台,其承载能力更强。
  • 一种场效应
  • [发明专利]测定表面沟道PMOS多晶硅栅硼向金属或金属硅化物扩散的方法-CN201110433485.X有效
  • 刘剑;熊涛;孙尧;罗啸;陈瑜;陈华伦 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2011-12-21 - 2013-06-26 - G01N13/00
  • 本发明公开了一种测定表面沟道PMOS多晶硅栅硼向金属或金属硅化物扩散的方法,利用基准MOSFET工艺的过程和参数,制备第一NMOS场效应管与第一表面沟道PMOS场效应管;利用降低热过程的MOSFET工艺,制备第二NMOS场效应管与第二表面沟道PMOS场效应管;比较第一NMOS场效应管的阈值电压与第二NMOS场效应管的阈值电压之差Delta VTN及第一表面沟道PMOS场效应管的阈值电压与第二表面沟道PMOS场效应管的阈值电压之差Delta VTP的绝对值,如果Delta VTP的绝对值小于等于Delta VTN的绝对值,则基准MOSFET工艺表面沟道PMOS场效应管没有硼扩散;如果Delta VTP的绝对值远大于Delta VTN的绝对值,则基准MOSFET工艺表面沟道PMOS场效应管有明显的硼扩散。该方法能电性能量化评估基准MOSFET工艺表面沟道PMOS多晶硅的硼扩散对器件的影响。
  • 测定表面沟道pmos多晶硅栅硼金属金属硅扩散方法
  • [发明专利]纳米颗粒防治艾滋病及血液病毒传染病-CN02100313.0无效
  • 曲莱;曲源;曲少忠 - 秦皇岛市大诚医疗器械有限公司
  • 2002-01-07 - 2003-07-30 - A61K35/78
  • 采用的纳米颗粒的平均直径能达到与病毒的直径相近或更小,产生小尺寸效应:A.悬浮隔离效应:纳米颗粒在进入人体后,其颗粒可发生纳米悬浮隔离效应,从而一定程度地阻断病毒复制。B.表面吸附效应:纳米颗粒进入人体后,由于其表面面积大幅度扩展,会增加其吸附效应,能吸附病毒及其代谢产物和病毒复制零件。吸附后经代谢排除体外。C.摩擦搓洗效应:纳米颗粒进入人体后,由于颗粒的纳米摩擦力学效应,与不断旋转的细胞产生摩擦,使病毒难以附着细胞表面,阻断其进入细胞。对已经附着细胞表面的病毒也能利用纳米摩擦的力学效应,将其搓洗掉,断绝其转录机会,使其彻底的根治。
  • 纳米颗粒防治艾滋病血液病毒传染病
  • [实用新型]一种可对裸露端进行屏蔽功能的场效应-CN202221104905.X有效
  • 张西刚;李杲宇 - 深圳市深鸿盛电子有限公司
  • 2022-05-09 - 2022-10-28 - H05K9/00
  • 本实用新型公开了一种可对裸露端进行屏蔽功能的场效应管,包括:场效应管主体、引脚和定位孔,所述场效应管主体的底部连接有引脚,所述引脚在场效应管主体的底部设置有三组;所述场效应管主体的表面开设有定位孔,所述引脚的表面套接有屏蔽套,靠近场效应管主体的所述屏蔽套的一侧连接有第一密封圈,靠近引脚的所述屏蔽套的表面开设有通孔,所述通孔的内壁连接有第二密封圈,所述屏蔽套的表面开设有固定孔,靠近固定孔的所述场效应管主体的表面连接有卡勾。该可对裸露端进行屏蔽功能的场效应管,通过屏蔽套、第一密封圈与第二密封圈的设置,可以将屏蔽套固定在引脚与场效应管主体的连接处,方便增加场效应管主体(1)裸露端的屏蔽功能。
  • 一种裸露进行屏蔽功能场效应
  • [发明专利]星载空间机械臂-CN202010133103.0在审
  • 林宝军;安洋;张筱娴;陈鸿程;任煊;许红阳;张磊 - 中国科学院微小卫星创新研究院;上海微小卫星工程中心
  • 2020-03-01 - 2020-06-12 - B64G4/00
  • 本发明提供了一种星载空间机械臂,所述星载空间机械臂包括第一关节、第二关节、第三关节、第一末端效应器、第二末端效应器和第三末端效应器,其中:所述第一关节、所述第二关节及所述第三关节串联,并实现六自由度运动;所述第一末端效应器、所述第二末端效应器和所述第三末端效应器安装于所述第三关节上,所述第三关节旋转以切换所述第一末端效应器、所述第二末端效应器或所述第三末端效应器面对目标工位;所述目标工位包括卫星光学设备表面、太阳电池阵表面、天线工位、推力器工位及卫星星体表面;所述第一末端效应器包括切割效应器,所述第二末端效应器包括拨动效应器,所述第三末端效应器包括擦拭效应器。
  • 空间机械
  • [实用新型]一种低输出阻抗的大功率场效应-CN202023141621.1有效
  • 谭丛辉;王言豪 - 深圳市新芯矽创电子科技有限公司
  • 2020-12-23 - 2021-08-24 - H01L23/16
  • 本实用新型属于场效应管技术领域,且公开了一种低输出阻抗的大功率场效应管,包括场效应管主体、防护结构和连接机构,所述场效应管主体的底端均匀安装有连接片,所述场效应管主体的表面安装有防护结构,所述防护结构包括第一保护壳,所述第一保护壳的内壁固定连接有第一海绵垫,且第一海绵垫与场效应管主体表面相抵触,所述第二保护壳的内壁固定连接有第二海绵垫,且第二海绵垫皆与场效应管主体表面相抵触。本实用新型避免了因场效应管主体表面磨损造成场效应管主体损坏的情况,提高了场效应管主体的使用寿命,从而为用户减少了经济上的损失,便于用户对场效应管主体进行取用,提高了用户的工作效率。
  • 一种输出阻抗大功率场效应
  • [发明专利]一种人体动态平衡场调整仪-CN202010226742.1在审
  • 沈西友;沈鹤奇 - 沈西友
  • 2020-03-27 - 2020-07-10 - A61N1/36
  • 本发明包括壳体,所述的壳体的表面嵌装有场效应输出端口,所述的壳体的表面还分别设置有基准效应开关区、梯级效应开关区;所述的壳体的内部安装有场效应发生器,场效应发生器由基准效应部分和梯级效应部分组成,基准效应部分与基准效应开关区顺序连接,梯级效应部分与梯级效应开关区顺序连接,所述的场效应输出端口设置在基准效应开关区与梯级效应开关区之间。本发明通过场效应发生器提供调整人体动态平衡场的效应场,通过场效应输出端口连接场效应输出器并接触与场效应相关的穴位、经络等以输入效应场,具治疗或调理的有效性、安全性和可操作性。
  • 一种人体动态平衡调整
  • [实用新型]一种超结场效应管组件结构-CN202022771272.5有效
  • 杨宝林 - 深圳市飞捷士科技有限公司
  • 2020-11-25 - 2021-06-08 - H01L23/40
  • 本实用新型公开了一种超结场效应管组件结构,涉及半导体器件技术领域,该超结场效应管组件结构,包括场效应管本体,所述场效应管本体的侧面活动连接有导热板,所述导热板表面靠近场效应管本体的一侧镶嵌有导热硅胶垫,所述导热硅胶垫与场效应管本体的相对面活动连接,所述导热板表面靠近场效应管本体的一侧固定连接有壳体,所述壳体的内壁与场效应管本体的表面活动连接。本实用新型通过设置壳体、方块、圆杆和凸轮,以解决现有技术中,目前常见的超结场效应管在使用时,拆装超结场效应管时需借助螺丝刀才可在散热板上对超结场效应管进行拆装,无法徒手拆装,从而导致超结场效应管拆装较为不便的问题
  • 一种场效应组件结构
  • [发明专利]一种散热型场效应-CN201710020605.0在审
  • 宗艳民;于国建;梁庆瑞;高玉强;徐健 - 山东天岳晶体材料有限公司
  • 2017-01-11 - 2017-05-17 - H01L29/78
  • 本发明涉及一种散热型场效应管,包括环氧树脂封装体、封装在环氧树脂封装体内部芯片,环氧树脂封装体具有上表面和下表面,在上表面引出与芯片G极相连的栅极引脚,在下表面引出与芯片d极相连的漏极引脚和与芯片S极相连的源极引脚;环氧树脂封装体的上、下表面均为纹理表面。本发明通过对场效应管的结构改进,使得场效应管引脚连接更加稳固,另外大大增加了散热面积,避免场效应管的温度升高,提高场效应管的稳定性,同时在表面增设纹理,加大摩擦,便于使用者对引脚进行插拔。
  • 一种散热场效应
  • [发明专利]一种电声元件-CN200910019129.6无效
  • 潘难德 - 潍坊安晶电子有限公司
  • 2009-09-25 - 2010-03-17 - H04R1/04
  • 本发明涉及一种电声元件,包括外壳,外壳的上部具有传音孔,下部具有第一引线脚和第二引线脚,在外壳的内部具有场效应管,场效应管上设有极板,极板的上面设有隔离圈和振动膜,场效应管包括场效应管本体,场效应管本体具有上表面和下表面,场效应管的栅极设置在场效应管本体的上表面,漏极和源极设置在场效应管本体的下表面,极板设置在栅极上,减少了传统电声元件结构中的电路板、铜环以及绝缘环,与传统的电声元件相比,结构更加简单,栅极的承载端面起到支撑极板的作用
  • 一种电声元件
  • [实用新型]一种电声元件-CN200920227331.3无效
  • 潘难德 - 潍坊安晶电子有限公司
  • 2009-09-25 - 2010-07-21 - H04R1/04
  • 本实用新型涉及一种电声元件,包括外壳,外壳的上部具有传音孔,下部具有第一引线脚和第二引线脚,在外壳的内部具有场效应管,场效应管上设有极板,极板的上面设有隔离圈和振动膜,场效应管包括场效应管本体,场效应管本体具有上表面和下表面,场效应管的栅极设置在场效应管本体的上表面,漏极和源极设置在场效应管本体的下表面,极板设置在栅极上,减少了传统电声元件结构中的电路板、铜环以及绝缘环,与传统的电声元件相比,结构更加简单,栅极的承载端面起到支撑极板的作用
  • 一种电声元件

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