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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200510077481.7无效
发明人：小泉玄太 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2005-06-21 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：其中，表面抗蚀剂层(15)是仅有所述图案曝光区域以外作为通常的正型抗蚀剂来显影。然后，底层的抗蚀剂层(13)是反转成负型的表面抗蚀剂层(15)的图案曝光区域底部也显影，从而成为底层抗蚀剂层(13)对于表面抗蚀剂层(15)被底切的截面形状。表面抗蚀剂层(15)由于与底层抗蚀剂层(13)的相互扩散的影响而具有倒梯形。
半导体装置制造方法

[发明专利]返工处理方法-CN200610116882.3有效
发明人：李建茹;宋铭峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-09-30 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种返工处理方法，其中，所述光致抗蚀剂层位于介质层表面；所述返工处理方法包括：确定需返工的光致抗蚀剂层；灰化处理需返工的光致抗蚀剂层；进行介质层表面剥除步骤；重新涂覆并图案化光致抗蚀剂层；对光致抗蚀剂层进行检测；对检测不合格的光致抗蚀剂层重复上述步骤；获得检测合格的光致抗蚀剂层。通过在移除光致抗蚀剂层后，增加一介质层表层剥除步骤，可去除介质表面变质的薄层，在光致抗蚀剂层返工后获得性质均匀的介质层表面，继而保证在后续刻蚀过程中介质层表面的刻蚀速率不被改变，进而不再形成刻蚀开路缺陷
返工处理方法

[发明专利]制造针对可见光谱波长的电介质超颖表面的原子层沉积处理-CN201680077924.9有效
发明人： R·C·德夫林;M·科拉沙尼内加德;F·卡帕索;H·帕克;A·A·海伊 -专利权人：哈佛学院院长及董事
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：一种制造可见光谱光学部件的方法，包括：提供基板；在基板的表面上形成抗蚀剂层；对抗蚀剂层形成图案以形成限定暴露基板表面的若干部分的开口的带有图案的抗蚀剂层；执行沉积以在带有图案的抗蚀剂层上和在基板表面的暴露部分上形成电介质膜，其中电介质膜的顶表面高于带有图案的抗蚀剂层的顶表面；去除电介质膜的顶部部分以暴露带有图案的抗蚀剂层的顶表面和带有图案的抗蚀剂层的开口内的电介质单元的顶表面；以及去除带有图案的抗蚀剂层以保留电介质单元在基板上
制造针对可见光谱波长电介质表面原子沉积处理

[发明专利]制造针对可见光谱波长的电介质超颖表面的原子层沉积处理-CN202010472363.0有效
发明人： R·C·德夫林;M·科拉沙尼内加德;F·卡帕索;H·帕克;A·A·海伊 -专利权人：哈佛学院院长及董事
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及制造针对可见光谱波长的电介质超颖表面的原子层沉积处理。制造可见光谱光学部件的方法包括：提供基板；在基板的表面上形成抗蚀剂层；对抗蚀剂层形成图案以形成限定暴露基板表面的若干部分的开口的带有图案的抗蚀剂层；执行沉积以在带有图案的抗蚀剂层上和在基板表面的暴露部分上形成电介质膜，其中电介质膜的顶表面高于带有图案的抗蚀剂层的顶表面；去除电介质膜的顶部部分以暴露带有图案的抗蚀剂层的顶表面和带有图案的抗蚀剂层的开口内的电介质单元的顶表面；以及去除带有图案的抗蚀剂层以保留电介质单元在基板上
制造针对可见光谱波长电介质表面原子沉积处理

[发明专利]半导体元件搭载用基板及其制造方法-CN201380060226.4在审
发明人：细樅茂 -专利权人：友立材料股份有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：提供一种通过电极层的剖面形状为大致逆梯形形状、并且侧面形成为粗化面而提高了电极层和树脂的紧贴性的半导体元件搭载用基板及其制造方法。半导体元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，依次经由下述工序：a)，在金属板表面，通过主要的感光波长不同的抗蚀剂，形成由下抗蚀剂层和上抗蚀剂层构成的2层抗蚀剂层的工序；b)在下抗蚀剂层未曝光状态下，按照预定图案使上抗蚀剂层曝光的工序；c)显影工序，在上抗蚀剂层中形成预定图案的开口部，在未曝光状态的下抗蚀剂层中，按照该预定图案，形成开口部，部分性地露出金属板表面；d)使下抗蚀剂层曝光而硬化的工序；e)向从下抗蚀剂层露出了的金属板表面的预定镀敷层的形成工序；f)将下抗蚀剂层和上抗蚀剂层这2层抗蚀剂层全部剥离的工序；以及g)使在e)工序中形成了的镀敷层侧面粗化的工序。
半导体元件搭载用基板及其制造方法

[实用新型]抗蚀剂层的薄膜化装置-CN201521021638.X有效
发明人：丰田裕二;后闲宽彦;中川邦弘 -专利权人：三菱制纸株式会社
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本实用新型的课题在于提供一种抗蚀剂层的薄膜化装置，用于在绝缘层的表面形成有连接焊盘的回路基板的表面形成抗蚀剂层，将抗蚀剂层的一部分薄膜化，即使在抗蚀剂层的薄膜化的厚度大的情况下，也不易在连接焊盘表面发生抗蚀剂层的残渣在用于在绝缘层的表面形成有连接焊盘的回路基板的表面形成抗蚀剂层，为了使连接焊盘的一部分从抗蚀剂层露出，将抗蚀剂层的至少一部分薄膜化的抗蚀剂层的薄膜化装置中，其特征在于，具备通过薄膜化处理液使抗蚀剂层中的成分胶束化的薄膜化处理单元
抗蚀剂层薄膜化装

[实用新型]抗蚀剂层的薄膜化装置-CN201520724767.9有效
发明人：丰田裕二;后闲宽彦;中川邦弘 -专利权人：三菱制纸株式会社
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本实用新型的课题在于提供一种抗蚀剂层的薄膜化装置，在具备通过浸渍槽中的薄膜化处理液使抗蚀剂层中的成分胶束化的薄膜化处理单元的抗蚀剂层的薄膜化装置中，通过将基板上表面的抗蚀剂层表面的薄膜化处理液的覆盖量分布抑制在最小限度，能够解决抗蚀剂层的薄膜化处理量不均匀的问题。抗蚀剂层的薄膜化装置的特征在于，薄膜化处理单元具有用于向基板下表面的抗蚀剂层赋予薄膜化处理液的浸渍槽，设有用于通过辊涂敷向基板上表面的抗蚀剂层赋予薄膜化处理液的涂敷辊。通过上述抗蚀剂层的薄膜化装置能够解决问题。
抗蚀剂层薄膜化装

[发明专利]半导体元件搭载用基板及其制造方法-CN201380060217.5在审
发明人：细樅茂 -专利权人：友立材料股份有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：提供一种电极层的剖面为大致逆梯形形状并且表面形成为粗化面的提高了电极层和树脂的紧贴性的半导体元件搭载用基板及其制造方法。在半导体元件搭载用基板的制造方法中，其特征在于，依次经过下述工序：a)在金属板表面上通过主要的感光波长不同的抗蚀剂形成下抗蚀剂层和上抗蚀剂层这2层抗蚀剂层的工序；b)在下抗蚀剂层未曝光状态下按照预定图案使上抗蚀剂层曝光的工序；c)在上抗蚀剂层中形成预定图案的开口部，在未曝光状态的下抗蚀剂层中，形成开口部，而部分性地露出金属板表面的显影工序；d)利用下抗蚀剂层的曝光的硬化工序；e)向从下抗蚀剂层露出了的金属板表面形成镀敷层的工序；f)通过蚀刻处理使镀敷层表面成为粗化面的工序；g)在该粗化面上进行键合用贵金属镀敷的工序；以及h)将抗蚀剂层全部剥离的工序。
半导体元件搭载用基板及其制造方法

[发明专利]通过UV-LIGA技术制造多层级金属部件的方法-CN200980132070.X有效
发明人： J-C·法卡布里诺;G·雷-梅尔梅特 -专利权人：尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司
申请日： 2009-07-23 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种用于制造多层级金属微结构的方法包括以下步骤：a)提供具有导电表面(2)的基板(1)；b)用第一光致抗蚀剂层(3)覆盖导电表面(2)；c)通过与所希望的凹腔对应的掩模(4)照射第一光致抗蚀剂层(3)；d)显影第一光致抗蚀剂层(3)，以便在其中挖出孔口并由此获得光致抗蚀剂模具的第一层级，在第一光致抗蚀剂层中的孔口显露出基板的导电表面(2)；e)在被显影的光致抗蚀剂层(3)上沉积新的光致抗蚀剂层(6)，以便覆盖被显影的光致抗蚀剂层并且填充其中的孔口；f)通过与所希望的凹腔对应的掩模(7)照射该新的光致抗蚀剂层(6)；g)显影该新的光致抗蚀剂层(6)，以便在其中挖出孔口并获得多层级光致抗蚀剂模具，该多层级模具中的孔口显露出基板的导电表面(2)；h)在该多层级光致抗蚀剂模具的孔口中电沉积金属或合金；i)分离基板(1)，然后去除光致抗蚀剂层，以便显露包括孔口中沉积的所述金属或合金的多层级金属结构(8)。
通过 uv liga 技术制造多层金属部件方法

[发明专利]干膜抗蚀剂层压体-CN201911144334.5在审
发明人：朱霞月;李伟杰;周光大 -专利权人：浙江福斯特新材料研究院有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2021-05-21 - 主分类号： G03F7/095 文献下载
摘要：本发明提供了一种干膜抗蚀剂层压体。该干膜抗蚀剂层压体包括支撑层、第一抗蚀剂层和第二抗蚀剂层，第一抗蚀剂层涂覆于支撑层的一侧表面上；第二抗蚀剂层涂覆于第一抗蚀剂层的远离支撑层的一侧表面上；其中，第二抗蚀剂层的曝光速度大于第一抗蚀剂层的曝光速度将一个干膜抗蚀体分成两层叠加，吸收同一种光源同时进行不同速度的曝光，可以解决干膜厚度比较大特别是超过50um以后，抗蚀剂底部光固化弱易出现的曝光不良现象问题。因此，该干膜抗蚀剂层压体在印刷电路板、引线框架、金属精密加工、半导体封装、IC载板制作等领域中作为蚀刻或镀敷用的干膜抗蚀剂层压体材料，在图形曝光显影后，能够得到侧边形貌优良，菱角分明清晰的图案。
干膜抗蚀剂层压

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201210041968.X有效
发明人：仓桥健一郎;小山英寿;尾上和之 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请的发明的半导体装置的制造方法的特征在于，具备：在半导体层的表面形成绝缘膜的工序；在该绝缘膜的表面形成具有开口的抗蚀剂的工序；使与该抗蚀剂进行交联反应的图案收缩剂附着在该抗蚀剂、在该抗蚀剂的内周形成硬化层的工序；以该抗蚀剂及该硬化层作为掩模蚀刻该绝缘膜的工序；除去该硬化层的工序；在该半导体层、该绝缘膜以及该抗蚀剂的表面形成金属层的工序；以及通过剥离法除去该抗蚀剂及该抗蚀剂的表面的该金属层的工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]光学校准盘-CN201280068846.8在审
发明人： N·仓高;G·高兹纳;Z·于 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： G11B5/855 文献下载
摘要：一种用于光学校准盘的系统和方法包括在衬底的一部分上分配抗蚀剂层。衬底的表面和模板的预定对象的形貌图案化表面接触到一起，其中接触使得衬底部分和模板之间的抗蚀剂层与形貌图案化表面共形，并且抗蚀剂层包括纳米尺度孔隙。纳米尺度孔隙通过更长的扩散时间、更薄的抗蚀剂以及通过使用去渣步骤对残留抗蚀剂层连同孔隙的去除而减少。抗蚀剂层被硬化成形貌图案化表面的负像，其中所述负像包括可用于被光学读取器单独测量的表面。衬底和模板被分离，其中抗蚀剂层附着于衬底的表面。
光学校准

[发明专利]形成焊接掩模的方法及其装置和形成电路构图的内部介电层的方法-CN201310078720.5有效
发明人：阿基欧·塞基莫托;玛萨尤基·M·考吉马 -专利权人：太阳美国公司;丽可得映像系统公司;太阳控股株式会社
申请日： 2004-03-23 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：在用于形成焊接掩模的方法中，将光致成像墨涂敷到载体膜上，以在载体膜上形成光致成像墨层。使光致成像墨层变干，以形成光致成像抗蚀剂层，由此形成至少一个光致成像抗蚀剂层承载膜。将光致成像抗蚀剂层承载膜层叠到衬底的至少一侧，以使光致成像抗蚀剂层的上表面与衬底接触。通过载体膜使光致成像抗蚀剂层曝光于成像光。从光致成像抗蚀剂层去除载体膜以形成曝光的抗蚀剂层。显影曝光的抗蚀剂层以形成显影的抗蚀剂层；硬化显影的抗蚀剂层以在衬底上形成焊接掩模。
形成焊接方法及其装置电路构图内部介电层

[发明专利]形成焊接掩模的方法及其装置和形成电路构图的内部介电层的方法-CN200480042537.9无效
发明人：阿基欧·塞基莫托;玛萨尤基·M·考吉马 -专利权人：太阳美国公司;丽可得映像系统公司;太阳油墨制造株式会社
申请日： 2004-03-23 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：在用于形成焊接掩模的方法中，将光致成像墨涂敷到载体膜上，以在载体膜上形成光致成像墨层。使光致成像墨层变干，以形成光致成像抗蚀剂层，由此形成至少一个光致成像抗蚀剂层承载膜。将光致成像抗蚀剂层承载膜层叠到衬底的至少一侧，以使光致成像抗蚀剂层的上表面与衬底接触。通过载体膜使光致成像抗蚀剂层曝光于成像光。从光致成像抗蚀剂层去除载体膜以形成曝光的抗蚀剂层。显影曝光的抗蚀剂层以形成显影的抗蚀剂层；硬化显影的抗蚀剂层以在衬底上形成焊接掩模。
形成焊接方法及其装置电路构图内部介电层

[发明专利]双镶嵌结构形成方法-CN200810117726.8有效
发明人：王新鹏;沈满华;孙武;尹晓明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-08-04 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种双镶嵌结构形成方法，包括：在基底上形成介质层及贯穿所述介质层的通孔；形成覆盖所述介质层并填充所述通孔的抗蚀剂层；图形化所述抗蚀剂层，暴露所述介质层的部分表面及填充所述通孔的抗蚀剂层；以覆盖所述介质层的部分表面的抗蚀剂层为掩模，执行主刻蚀操作，去除部分深度的所述介质层及填充所述通孔的抗蚀剂层，使填充所述通孔的抗蚀剂层高于剩余的所述介质层；利用氟碳气体执行平行于所述基底的刻蚀操作；去除部分深度的填充所述通孔的抗蚀剂层，使获得的填充所述通孔的抗蚀剂层与剩余的所述介质层高度相同；去除剩余的所述抗蚀剂层。
镶嵌结构形成方法

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