“蛋白质晶体生长”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果750991个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]电动机驱动电路-CN200710085435.0有效
发明人：野家城治 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2007-03-05 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H02P7/28 文献下载
摘要：该电动机驱动电路包括：第一电源线、第二电源线、由第一和第二源晶体管以及第一和第二吸收晶体管构成的H桥接电路、被连接在第二电源线和第一及第二源晶体管的控制电极间，将第一及第二源晶体管的控制电极的电压的上升抑制为对应于第二电源线的电压的电压抑制电路而且，第一及第二源晶体管是根据第一电源线侧的电极和控制电极的电压差进行导通/截止的晶体管，第二电源线的电压在从第一源晶体管向第二吸收晶体管流过电流的情况下，是使第二源晶体管截止的电压。
电动机驱动电路

[发明专利]显示装置-CN200710006578.8有效
发明人：仲尾贵之;佐藤秀夫;槙正博;宫泽敏夫 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2007-02-06 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：驱动电路具有移位寄存器电路，移位寄存器电路具有级联连接成多级的n(n≥2)个基本电路，基本电路包括：第1电极被施加时钟的第1导电型的第1晶体管；第1电极被施加第2电源电压，导电型与第1导电型不同的第2导电型的第2晶体管；以及第2电极与第2晶体管的第2电极连接，第1电极被施加与第2电源电压不同的第1电源电压的第1导电型的第3晶体管，第1晶体管的第2电极与第3晶体管的控制电极连接，第1晶体管的控制电极和第2晶体管的控制电极，被施加输入信号，第3晶体管的第2电极的电压成为扫描电路输出。
显示装置

[发明专利]压电检测电路、阵列、触摸面板和方法-CN201810006855.3有效
发明人：郑智仁;曹学友;王鹏鹏;丁小梁;郭玉珍 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：该压电检测电路包括：恒流电路，被配置为向双栅晶体管提供恒定电流；双栅晶体管，其第一栅极和第二栅极分别被配置为接收第一电压信号和偏置电压，其第一电极连接第一电压端，其第二电极被配置为接收恒定电流，其第二栅极还被配置为接收压力；以及开关晶体管，该开关晶体管的栅极被配置为接收选通信号，该开关晶体管的第一电极连接该双栅晶体管的第二电极，该开关晶体管的第二电极被配置为在该开关晶体管导通的情况下输出第二电压信号；其中，根据第二电压信号的幅值获得该压力的大小本公开实现了对作用在双栅晶体管的第二栅极上的压力大小的检测。
压电检测电路阵列触摸面板方法

[发明专利]显示元件、有机发光显示装置和数据驱动器-CN201711206946.3有效
发明人：金宰成;吴民友 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：所述显示元件包括：包括第一电极和第二电极的有机发光二极管；驱动晶体管，所述驱动晶体管包括被提供数据电压的第一节点、连接至所述有机发光二极管的第一电极的第二节点、以及电连接至驱动电压线的第三节点；第一晶体管，所述第一晶体管电连接在用于提供所述数据电压的数据线与所述驱动晶体管的第一节点之间；第二晶体管，所述第二晶体管电连接在用于提供初始化电压的初始化电压线与所述驱动晶体管的第二节点之间；和电容器，所述电容器电连接在所述驱动晶体管的第一节点与第二节点之间
显示元件有机发光显示装置数据驱动器

[发明专利]一种球形5,5’-联四唑-1,1’-二氧羟铵盐的制备方法-CN201810212841.7有效
发明人：郭长平;杨光成;田璐;黄兵;王敦举;王瑞浩;冀威 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C07D257/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种球形5,5’‑联四唑‑1,1’‑二氧羟铵盐的制备方法，包括以下步骤：步骤一、按一定比例称取5,5’‑联四唑‑1,1’‑二氧羟铵盐晶体分散于浸蚀溶剂Ⅰ中，加热40～70℃并搅拌30～120min，然后过滤并收集滤液和晶体，将晶体继续加入侵蚀溶剂Ⅰ中，重复上述步骤1～10次，过滤，收集滤液，得到晶体；步骤二、将步骤一得到的晶体干燥后加入到侵蚀溶剂Ⅱ中，加热40～70℃并搅拌30～120min，然后过滤并收集滤液和晶体，干燥晶体，得到球形5,5’‑联四唑‑1,1’‑二氧羟铵盐。本发明的方法操作简单、成本低、安全可靠且能批量生产，所得晶体流散性较好，堆积密度提高了10％；撞击感度(H50)提升了20cm，安全性得到了提高，为TKX‑50晶体的应用提供了较好的基础。
一种球形联四唑二氧铵盐制备方法

[发明专利]像素驱动电路及其驱动方法、阵列基板、显示面板、显示装置-CN201610853205.3有效
发明人：韩承佑;商广良 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明提供了一种像素驱动电路及其驱动方法、阵列基板、显示面板、显示装置，涉及显示技术领域，用于解决现有技术中采用氧化物薄膜晶体管的像素驱动电路存在阈值电压过度正向或负向偏移，进而导致显示异常的问题。其中所述像素驱动电路包括：第一栅线、第二栅线和数据线；第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的栅极与第一栅线相连，第一薄膜晶体管的源极与数据线相连，第一薄膜晶体管的漏极与第二薄膜晶体管的源极相连；第二薄膜晶体管的栅极与第二栅线相连；存储电容，存储电容的第一极板与第二薄膜晶体管的漏极相连，存储电容的第二极板接入公共电压。
像素驱动电路及其方法阵列显示面板显示装置

[发明专利]一种恒定跨导放大器电路-CN201710603007.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：上海军陶科技股份有限公司
申请日： 2017-07-22 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：该电路包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第一电阻和第二电阻
一种恒定放大器电路

[发明专利]一种电流控制电路-CN201610237713.9有效
发明人：张胜有 -专利权人：普诚科技股份有限公司
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种电流控制电路，所述电流控制电路用于发光二极管LED组件的驱动电路系统中，驱动电路系统包括电流模块、整流器和可控硅，电流控制电路包括：第一晶体管和晶体管控制电路，第一晶体管的漏极连接LED组件的所述正极，其栅极连接晶体管控制电路的控制电压输出端，以根据该输出端提供的控制电压导通或关断，其漏极电流与流经LED组件的电流确定针对晶体管控制电路的反馈电压,在流经LED组件的电流小于设定电流时，反馈电压使晶体管控制电路控制第一晶体管导通，其漏极电流为可控硅提供补偿电流；在流经LED组件的电流大于或等于设定电流时，反馈电压使晶体管控制电路控制所述第一晶体管关断，其中，设定电流是根据可控硅的维持电流设定的。
一种电流控制电路

[发明专利]摄像装置和电子设备-CN201680017405.3有效
发明人：半泽克彦;松本静德 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：所述模数转换器包括如下的比较器，所述比较器包括：第一放大器，其包括接收基于所述模拟信号的信号的第一晶体管和接收参考信号的第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管形成差分对以比较所述模拟信号与所述参考信号；第二放大器，所述第二放大器包括第三晶体管以放大来自所述第一放大器的输出节点的输出；和第四晶体管，其栅极连接至所述第一放大器的所述输出节点和所述第三晶体管的所述栅极，其源极和漏极被配置成接收电源电压，第四晶体管的极性与所述差分对的极性相反且与所述第三晶体管的极性相同
摄像装置电子设备

[发明专利]显示装置、温度传感器以及温度感测方法-CN201910170810.4有效
发明人：廖家德;房耸;余嘉洺;蒋隽 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：该温度传感器包括传递单元，传递单元包括至少一个相互连接在输入端与输出端之间的第一晶体管，每个第一晶体管的控制端与第一通路端相连，当第一晶体管的数量为多个时，前一个第一晶体管的第二通路端与后一个第一晶体管的第一通路端相连，其中，第一晶体管的阈值电压随温度变化，当传递单元接收到有效的输入信号时，传递单元根据第一晶体管的阈值电压与有效的输入信号产生输出信号。通过在显示装置中制作由晶体管组成的温度传感器，该温度传感器基于晶体管的特性产生输出信号，代替了现有技术中的温感装置，实现了温度检测，从而解决了显示装置成本过高的问题。
显示装置温度传感器以及温度方法

[发明专利]高电压启动电路及开关模式电源-CN201811123817.2有效
发明人：崔志远;郑相焄;吴东星;金炳基 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：一种高电压启动电路包括：电源端，被配置为供应电力；锁存单元，连接到电源端并包括第一P型金属氧化物半导体PMOS晶体管、连接到第一PMOS晶体管的第一N型金属氧化物半导体NMOS晶体管、第二PMOS晶体管以及连接到第二PMOS晶体管的第二NMOS晶体管，其中，这些晶体管形成锁存结构；电荷分享单元，包括第一电容器和第二电容器，其中，第一电容器被配置为将第一电压供应给第二PMOS晶体管的漏极，第二电容器被配置为将第二电压供应给第一PMOS晶体管的漏极；切换单元，被配置为：形成基于第一电压和第二电压使用从电源端供应的电压作为电源电压对外部电容器进行充电的电流路径。
电压启动电路开关模式电源

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN201910452540.6有效
发明人：于欢;钱俊 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS图像传感器及其制造方法，提供半导体基底，所述半导体基底包括多个像素区，在所述像素区中形成有光电二极管、传输晶体管、重置晶体管,相邻光电二极管之间设置有像素间隔离结构；对像素间隔离结构进行P型深阱离子注入，以形成像素间隔离势垒；对传输晶体管进行N型深阱离子注入，以形成传输晶体管势垒；对重置晶体管进行离子注入，以形成重置晶体管势垒的电势高于传输晶体管势垒的电势高于像素间隔离势垒的电势；所述像素区的光电二极管受到光照射后产生的光生电子从光电二极管经传输晶体管、浮置扩散区到重置晶体管，通过控制光生电子流出路径，降低光生电子溢出到相邻像素，降低相邻像素间的串扰。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]位准移位器与半导体装置-CN201811425805.5有效
发明人：冈部翔 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：提供一种位准移位器，根据本发明的位准移位器包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、为本征型晶体管的一第一NMOS晶体管、为本征型晶体管的一第二NMOS晶体管、一输入端、一控制电路、一输出端。第一PMOS晶体管的一电极被供应一第一电压位准、另一电极被耦接至一第一端点、并且一栅极被耦接至一第二端点；第二PMOS晶体管的一电极被供应所述第一电压位准、另一电极被耦接至所述第二端点、并且一栅极被耦接至所述第一端点；第一NMOS晶体管的一电极被耦接至所述第一端点、另一电极被供应一第一使能信号、并且一栅极被耦接至一第一控制信号；本发明的位准移位器具有可高速运作且降低功率消耗的优点。
移位半导体装置

[发明专利]基板、显示面板及基板的制备方法-CN201910129191.4有效
发明人：林亮;万云海;邹志翔;陈川;何为 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种基板、显示面板及基板的制备方法，属于显示技术领域，其可解决现有的基板中不同晶体管的有源区因光照射而老化程度不同，从而造成基板可靠性的不足的问题。本发明的基板，包括：基底、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管。在基板的入光侧和第一薄膜晶体管的有源区之间设有遮光结构。遮光结构用于遮挡至少部分射向第一薄膜晶体管的有源区的光，以使第一薄膜晶体管的有源区中受到光照部分所占的面积比低于第二薄膜晶体管的有源区中受到光照部分所占的面积比；且第一薄膜晶体管处于负偏压的时间所占的时间比例大于等于第一预设值；第二薄膜晶体管处于负偏压的时间所占的时间比例小于等于第二预设值；第一预设值大于所述第二预设值。
基板显示面板制备方法

[发明专利]一种CMOS晶体管、CMOS晶体管的制备方法及电子设备-CN201910837294.6有效
发明人：毛淑娟;罗军;许静 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS晶体管，包括衬底，以及在衬底上形成的PMOS晶体管和NMOS晶体管；其中，PMOS晶体管和NMOS晶体管均包括：依次叠置在衬底上的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区；绕沟道区的至少部分外围形成的栅堆叠本发明提供的CMOS晶体管在对应的第一源/漏区和第二源/漏区表面均叠置有掺杂层，其中，NMOS晶体管对应的掺杂层内掺杂有高浓度的P或As，PMOS晶体管对应的掺杂层内掺杂有高浓度的B，能够有效降低源漏接触电阻同时，本发明还提供一种CMOS晶体管的制备方法，以及一种电子设备。
一种 cmos 晶体管制备方法电子设备