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[发明专利]薄膜器件-CN201210286625.X在审
发明人：竹知和重 -专利权人： NLT科技股份有限公司
申请日： 2012-08-13 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜器件。使用氧化物半导体膜的TFT存在的问题是会在源-漏电极执行等离子体蚀刻之后在氧化物半导体膜的表面区域中产生氧缺乏并增大关断电流。
薄膜器件

[发明专利]薄膜器件-CN202010534466.5在审
发明人：竹知和重;田中淳;世良贤二;袁永 -专利权人：天马日本株式会社;武汉天马微电子有限公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种薄膜器件包括多晶硅元件和氧化物半导体元件。所述多晶硅元件包括由低电阻多晶硅制成的第一部分。所述氧化物半导体元件包括由低电阻氧化物半导体制成的第二部分。
薄膜器件

[发明专利]薄膜器件-CN200710084174.0有效
发明人：桑岛一;宫崎雅弘;古屋晃;伊东正弘 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2007-02-17 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：薄膜器件具有：衬底；在该衬底上依次层叠的绝缘层、下部导体层、电介质膜、绝缘层、上部导体层以及保护层；四个端子电极。四个端子电极与上部导体层端面的一部分、以及与该端面连续的上部导体层上表面的一部分接触。
薄膜器件

[发明专利]薄膜器件-CN200710092140.6有效
发明人：藤原俊康;崔京九 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2007-04-02 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01F37/00 文献下载
摘要：本发明提供一种在具有缠绕于磁性膜上的薄膜线圈时能够提高Q值的薄膜器件。在缠绕于磁性膜(13)上的薄膜线圈(14)上，由下部磁性膜(12)以及上部磁性膜(13)夹持的下部线圈部分(14A)的厚度TA比没有被下部磁性膜(12)以及上部磁性膜(13)夹持的上部线圈部分(14B)
薄膜器件

[发明专利]薄膜器件-CN200710092188.7有效
发明人：藤原俊康 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2007-03-30 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01F37/00 文献下载
摘要：本发明提供一种在具有缠绕于磁性膜上的薄膜线圈时能够提高电感的薄膜器件。在缠绕于磁性膜(12)上的薄膜线圈(13)上，下部线圈部分(13A)的厚度TA比上部线圈部分(13B)的厚度TB小。
薄膜器件

[发明专利]薄膜器件-CN200710092197.6有效
发明人：桑岛一;宫崎雅弘;古屋晃 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2007-03-30 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：本发明的薄膜器件具有器件主体和四个端子电极。器件主体具有四个侧面，各端子电极以与各侧面的一部分接触的方式配置。器件主体包括：用于构成第一无源元件的下部导体层和用于构成第二无源元件的上部导体层。在器件主体的侧面，下部导体层的端面和上部导体层的端面电连接并且物理连接。端子电极与下部导体层的端面以及上部导体层的端面接触，从而连接在下部导体层以及上部导体层。
薄膜器件

[发明专利]薄膜器件-CN200710084169.X有效
发明人：桑岛一;伊东正弘;宫崎雅弘;古屋晃 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2007-02-17 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：一种薄膜器件，具有衬底、在该衬底上依次层叠的绝缘层、多个下部导体层、电介质膜、绝缘层、多个上部导体层以及保护膜、以及多个端子电极。一个端子电极与一个下部导体层连接。
薄膜器件

[发明专利]薄膜器件-CN200610071963.6无效
发明人：藤原俊康 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-03-31 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01F17/04 文献下载
摘要：提供一种能够尽可能减少寄生电容的薄膜器件。
薄膜器件

[其他]薄膜器件-CN201690001386.0有效
发明人：芦峰智行;进藤智;竹岛裕 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本实用新型涉及薄膜器件。在绝缘基板与薄膜缓冲层之间形成扩散层，防止薄膜缓冲层的剥离。薄膜器件(1)具备：绝缘基板(2)；薄膜电容器(5)，隔着层叠于该绝缘基板的一个主面上的薄膜缓冲层(4)而设置于绝缘基板；绝缘保护层(6)，层叠于绝缘基板的一个主面以覆盖薄膜电容器；从薄膜电容器引出的引出电极(7a及7b)；外部电极(8a及8b)；以及表面覆盖层(9)，覆盖薄膜器件的表面。在绝缘基板与薄膜缓冲层之间形成有扩散层(3)。另外，外部电极与薄膜电容器经由引出电极电连接。扩散层是在绝缘基板的表面的SiO₂氧化膜与薄膜缓冲层之间SiO₂氧化膜和薄膜缓冲层的构成元素中的至少一种元素分别扩散而形成的非晶层。
绝缘基板薄膜缓冲层薄膜电容器薄膜器件扩散层覆盖薄膜外部电极引出电极氧化膜电容器本实用新型表面覆盖层绝缘保护层构成元素电连接非晶层主面剥离扩散

[其他]薄膜器件-CN201690000755.4有效
发明人：芦峰智行;进藤智;竹岛裕 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本实用新型的目的在于提供防止由于树脂层膨胀产生的应力而薄膜电阻元件破损且可靠性高的薄膜器件。在电阻薄膜(12)中的俯视时与第一金属薄膜(15a～15c)重叠的部分，由第一金属薄膜(15a～15c)将电阻薄膜(12)压向基板(1)，所以能够缓和由于在高温状态下树脂层(3)膨胀而施加给薄膜电阻元件(R1、R2)的弯曲应力等，由于在电阻薄膜(12)中的俯视时不与第一金属薄膜(15a～15c)重叠的部分形成有第一加强用薄膜(12a)，所以能够防止由于树脂层(3)膨胀产生的应力等而薄膜电阻元件(R1、R2)破损，能够得到可靠性高的带薄膜电阻元件(R1、R2)的薄膜器件(100)。
薄膜电阻元件薄膜器件电阻薄膜金属薄膜树脂层膨胀俯视破损本实用新型高温状态弯曲应力下树脂层基板压向薄膜施加缓和

[其他]薄膜器件-CN201690000491.2有效
发明人：芦峰智行;小宫山卓;中矶俊幸 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本实用新型目的在于提供防止由于因树脂层膨胀产生的应力而使薄膜电阻元件破损从而能够得到可靠性高的薄膜器件的技术。通过在配置于树脂层(3)的与基板(1)相反的一侧的树脂层(4)形成为在俯视中与薄膜电阻元件(电阻薄膜(12))重叠的第一束缚用薄膜(14)，能够将薄膜电阻元件相对于基板(1)压入，因此能够缓和由于在高温状态下树脂层(2～4)膨胀而施加于薄膜电阻元件的弯曲应力，能够防止由于因树脂层(2～4)的膨胀产生的应力而使薄膜电阻元件破损。
薄膜电阻元件树脂层薄膜器件膨胀基板破损本实用新型电阻薄膜高温状态弯曲应力下树脂层压入薄膜俯视施加束缚缓和配置

[其他]薄膜器件-CN201790000795.3有效
发明人：深堀奏子;中矶俊幸 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本实用新型提供薄膜器件。不损坏薄膜器件的功能，抑制从被进行安装的表面侧观察到的美观的恶化。布线电极(62)呈具有与再布线层的表面平行的第1主表面(612)和第2主表面(622)、将第1主表面(621)和第2主表面(622)连接的侧表面(623)的平面薄膜状。布线电极(62)包含铜。
主表面布线电极薄膜器件侧表面本实用新型表面平行端子电极平面薄膜再布线层覆盖布紧贴层线电极邻接美观恶化观察

[发明专利]密封的薄膜器件、修补施加到薄膜器件的密封层的方法和系统-CN201080023343.X有效
发明人： C·A·弗舒伦;H·利夫卡;R·A·M·希克梅特 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司;荷兰应用自然科学研究组织
申请日： 2010-05-20 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种密封的薄膜器件(10，12，14)，一种修补施加到薄膜器件(30)的密封层(20)以制造该密封的薄膜器件的方法，一种修补施加到薄膜器件的密封层以产生密封的薄膜器件的系统(200)以及一种计算机程序产品该密封的薄膜器件包括薄膜器件和施加到该薄膜器件用以保护该薄膜器件免受环境影响的密封层。该密封的薄膜器件还包括局部施加的修补材料(40、42、44)以密封该密封层中的局部裂口(50)。这种密封的薄膜器件的效果是改善了该密封的薄膜器件的工作寿命。此外，还提高了生产该密封的薄膜器件的生产良率。
密封薄膜器件修补施加方法系统

[发明专利]密封的薄膜器件以及修复方法、修复系统-CN201280068183.X有效
发明人：科恩·维尔旭仁;安东尼斯·玛丽亚·B·范默尔;彼得·范德韦尔 -专利权人：荷兰应用自然科学研究组织TNO;荷兰皇家飞利浦股份有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种密封的薄膜器件(10，12，14，15，16，17，18)，涉及一种用于修复涂覆到薄膜器件(30)的密封层(20)以产生密封的薄膜器件的方法，涉及一种用于修复涂覆到薄膜器件的密封层以生成密封的薄膜器件的系统密封的薄膜器件包括薄膜器件和用于保护薄膜器件免受环境影响而涂覆在薄膜器件上的密封层。密封层至少包括第一阻挡层和第二阻挡层(22，24)和在第一阻挡层和第二阻挡层之间设置的吸气层(25)。密封的薄膜器件还包括局部涂覆的修补材料(40；42，44)，用于密封在所述阻挡层中的外部阻挡层(22)中的局部缺口(50)。此密封的薄膜器件的效果是密封的薄膜器件的使用寿命得以提高。此外，生产密封的薄膜器件的成品率得以提高。
密封薄膜器件以及修复方法系统

[发明专利]器件NBTI寿命改善方法和结构-CN201911163175.3在审
发明人：李润领;李中华 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及器件NBTI寿命改善方法和结构。其中，方法包括以下步骤：提供一基底以及形成于基底上的器件；在器件上沉积氧化薄膜层；通过ALD工艺，在氧化薄膜层上沉积应力薄膜结构，应力薄膜结构包括至少一层应力薄膜；进行退火工艺，通过退火工艺增大应力薄膜结构对器件施加的应力结构包括：基底以及形成于基底上的器件；形成于器件上的氧化薄膜层；本发明通过ALD工艺，在氧化薄膜层上沉积应力薄膜结构可以减少扩散进入器件栅氧层界面的H原子，能够显著提升器件的NBTI寿命。
器件 nbti 寿命改善方法结构

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