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[发明专利]一种自偏置CMOS电压基准源及确定线性灵敏度及电源抑制比的方法-CN202211048947.0有效
发明人：陈继扬;余凯;李思臻 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种自偏置CMOS电压基准源及确定线性灵敏度及电源抑制比的方法，具体包括有源负载、自共源共栅电流镜、自偏置电流产生电路、启动电路，其中有源负载用于输出自偏置反馈电压VF和基准电压VREF，自偏置反馈电压VF经过自共源共栅电流镜和自偏置电流产生电路产生偏置电流，形成自偏置结构，启动电路用于在基准电压VREF低于正常输出时，使偏置电流增加，令输出电压快速达到正常输出值。本发明与传统电压基准源技术相比，结构简单，采用全MOS管构建；采用自共源共栅电流镜结构，通过抑制自偏置电压对偏置电流的影响，提高线性灵敏度与电源抑制比。
一种偏置 cmos 电压基准确定线性灵敏度电源抑制方法

[发明专利]一种亚阈值电压基准电路-CN202011518921.9有效
发明人：胡晓宇;袁甲;于增辉;凌康 -专利权人：北京中科芯蕊科技有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G05F1/625 文献下载
摘要：本发明公开了一种亚阈值电压基准电路，包括：3T亚阈值基准电压电路和自偏置衬底调制NMOS电路，3T亚阈值基准电压电路包括本征NMOS管和与本征NMOS管连接的自偏置共源共栅电路；本征NMOS管和电源电压连接；自偏置共源共栅电路和本征NMOS管均与自偏置衬底调制NMOS电路连接；自偏置衬底调制NMOS电路接地。该亚阈值电压基准电路通过增加自偏置衬底调制NMOS电路和将传统的2T亚阈值基准电压电路中自偏置NMOS管改为自偏共源共栅电路的方式来减小输出参考电压受温度的影响，同时降低电路的功耗。
一种阈值电压基准电路

[发明专利]自偏置锁相环-CN201310530018.8有效
发明人：符志岗 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-10-31 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H03L7/099 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种自偏置锁相环，用于取决于自偏置锁相环的至少一个可调节参数提供偏置电流Ib，使得能够基于所述至少一个可调节参数而调节所述自偏置锁相环的带宽。
锁相环自偏置可调节参数偏置电流带宽

[发明专利]一种自偏置尖峰检测电路及低压差线性稳压器-CN201811122569.X有效
发明人：卫婷婷;王瑜;王乾乾 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种自偏置尖峰检测电路及低压差线性稳压器，其中，所述自偏置尖峰检测电路用于低压差线性稳压器电路，所述低压差线性稳压器电路还包括误差放大器，自偏置尖峰检测电路包括：功率控制模块，用于接收误差放大器输出的输入信号，对输入信号进行功率控制，得到功率控制信号；偏置模块，用于当低压差线性稳压器电路的输出电压变化时，将功率控制信号通过自偏置和动态偏置后，得到偏置信号；电流镜模块，用于将偏置信号进行电流调节后，得到电流调节信号
一种偏置尖峰检测电路低压线性稳压器

[发明专利]一种基于自偏置磁电复合材料的电流传感器-CN201810430253.0在审
发明人：杨爱超;单鹏;刘明;鲁彩江 -专利权人：国网江西省电力有限公司电力科学研究院;国家电网公司
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于自偏置磁电复合材料的电流传感器，该电流传感器由支撑底座、封装外壳、质量块和自偏置磁电复合材料组成，自偏置磁电复合材料一端与支撑底座固定连接，另一端与质量块连接；自偏置磁电复合材料由硬磁薄膜层、磁致伸缩材料层和压电材料层组成，硬磁薄膜层和压电材料层分别层叠在磁致伸缩材料层上下两面，硬磁薄膜层给磁致伸缩材料层提供一个直流偏置磁场，从而使得在零偏置磁场下，磁致伸缩材料层能对载流导线产生的环形微小磁场作出反应，最终使得磁致伸缩材料层实现自偏置磁‑机‑电耦合效应。当自偏置磁致伸缩材料层在感受到载流导线产生的环形磁场时，由于自偏置磁电耦合效应，从而产生电输出，最终实现电流传感。
自偏置磁致伸缩材料层磁电复合材料电流传感器硬磁薄膜压电材料层载流导线支撑底座质量块磁电耦合效应直流偏置磁场电流传感封装外壳环形磁场微小磁场电输出电耦合零偏置磁场

[发明专利]一种低压浮动反相放大器及开关电容模数转换器-CN202310955162.X有效
发明人：唐中;武辛婕;刘禹延;虞小鹏 -专利权人：杭州万高科技股份有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：低压浮动反相放大器包括并联连接的第一自偏置反相器、第二自偏置反相器和储能电容，第一自偏置反相器和第二自偏置反相器均为时钟控制的自身产生偏置电压的反相器；并联的一端通过复位开关连接电源电压，并联的另一端通过复位开关连接接地电压；第一自偏置反相器的输入端和第二自偏置反相器的输入端均接有输入信号以及通过复位开关连接接地电压；第一自偏置反相器的输出端和第二自偏置反相器的输出端均设置有放大开关；复位开关和放大开关通过时钟控制交替闭合
一种低压浮动放大器开关电容转换器

[发明专利]一种单运放自偏置的共源共栅带隙基准电路-CN202010915486.7有效
发明人：刘鑫;唐晓庆;张帅 -专利权人：武汉第二船舶设计研究所（中国船舶重工集团公司第七一九研究所）
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G05F1/575 文献下载
摘要：本发明提供一种单运放自偏置的共源共栅带隙基准电路，包括以下：启动电路、自偏置电流源、单级运算放大器和带隙基准源核心电路；所述启动电路与所述自偏置电流源电性连接；所述自偏置电流源与所述单机运算放大器电性连接；所述单机运算放大器与所述带隙基准源核心电路电性连接；所述启动电路用于消除简并点；所述自偏置电流源用于为所述带隙基准源核心电路提供共自偏置电流；本发明的有益效果是：设计版图面积小，制造成本低，稳定性高、
一种单运放偏置共源共栅带隙基准电路

[发明专利]一种负压自偏置PIN开关驱动器及其负电压产生方法-CN201710280207.2有效
发明人：程伟;任凤;陈瑶;成玲;蔡宁霞 -专利权人：安徽四创电子股份有限公司
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H03K17/74 文献下载
摘要：本发明属于微波技术领域，特别涉及一种负压自偏置PIN开关驱动器及其负电压产生方法。本发明包括驱动电路以及负压自偏置电路，所述驱动电路的控制端连接TTL控制信号，驱动电路分别与电源Vcc、地GND连接，驱动电路的信号输出端连接负压自偏置电路的信号输入端，所述负压自偏置电路的信号输出端产生负电压所述驱动电路和负压自偏置电路包含的元器件数量少，从而使得整个PIN开关驱动器的结构简单，体积小，可靠性高。本发明的驱动电路和负压自偏置电路均采用分立元件搭建，成本低廉。
一种偏置 pin 开关驱动器及其电压产生方法

[发明专利]一种自偏置的高适应性晶体振荡集成电路-CN202210664402.6在审
发明人：熊力嘉;刘磊 -专利权人：深圳市万微半导体有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H03B5/36 文献下载
摘要：本发明公开了集成电路设计技术领域中的一种自偏置的高适应性晶体振荡集成电路，其包括晶振电路和自偏置电流源电路，晶振电路用于产生晶体振荡的源信号，自偏置电流源电路与晶振电路的输出端连接，用于对晶体振荡的源信号进行非线性放大，自偏置电流源电路包括第一电阻，第一电阻用于产生偏置电流和控制整体功耗。本发明通过对晶振的等效串联电阻的大范围分布进行控制，使得系统电路的相位裕度位于可接受范围内，同时本发明通过自偏置电流源电路的应用，可以避免无需外部偏置电路和偏置电压，从而避免另外偏置电路模块的电流消耗，
一种偏置适应性晶体振荡集成电路

[发明专利]一种自偏置高电源抑制比基准电路-CN201610473881.8有效
发明人：周泽坤;李天生;曹建文;石跃;徐俊;丁力文;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明属于电源管理技术领域，具体的说涉及一种自偏置高电源抑制比基准电路。本发明的带隙基准电路采用全自偏置结构，以带隙基准核为基础，为运放提供偏置，同时将自身偏置电流采样放大之后重新为自身供电偏置，在简化整体电路结构的同时，有效地通过自偏置与电流放大器的隔离效果，提升输出参考电压的
一种偏置电源抑制基准电路

[发明专利]自偏置分裂栅沟槽型功率MOSFET器件-CN201910813746.7有效
发明人：孔谋夫;陈罕之;刘聪;陈星弼 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体器件领域，尤其涉及分裂栅沟槽型MOS器件，具体为自偏置分裂栅沟槽型功率MOSFET器件；本发明在传统的分裂栅沟槽型MOS器件基础上引入自偏置电压结构，利用栅极控制信号给分裂栅提供自偏置电压，与传统分裂栅沟槽型MOS器件相比，由于自偏置电压的作用，在器件导通时产生了积累层，使器件的比导通电阻有极大的降低。本说明书中，分裂栅自偏置电压的实现分为两种方式，分别为增加外部电路和增加可提供偏置电压的结构，前者的偏置电压来源于栅极的驱动电路，与前者相比，后者具有减少驱动功耗的优势。
偏置分裂沟槽功率 mosfet 器件

[发明专利]一种自偏置电流源-CN201210575839.9有效
发明人：王东;陈岚;冯燕 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种自偏置电流源。该自偏置电流源由电流源模块、电流镜模块有一集启动电路模块组成。在该自偏置电流源的启动电路模块中，增加了第二电阻。增加该第二电阻以后，自偏置电流源启动后，第二电阻能够使启动电路模块更可靠的关断，能减小启动电路模块对自偏置电流源的影响。
一种偏置电流

[发明专利]一种超低功耗快速瞬态响应低压差线性稳压器电路-CN202110194610.X有效
发明人：郭建平;廖锦锐 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-02-21 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低功耗快速瞬态响应低压差线性稳压器电路，包括第一自偏置电路、误差放大器、第二自偏置电路、缓冲器、N型功率管、第一补偿网络、第二补偿网络和自偏置晶体管，所述误差放大器的尾电流端与第一自偏置电路相连，所述第一自偏置电路的控制端与误差放大器的输出端连接，所述缓冲器与第二偏置电路相连，所述第二自偏置电路的控制端与误差放大器的输出端连接，所述N型功率管的源极与自偏置晶体管的漏极连接，所述第一补偿网络分别与误差放大器和
一种功耗快速瞬态响应低压线性稳压器电路

[实用新型]一种自偏置误差放大电路-CN201320028021.5有效
发明人：王文建 -专利权人：浙江商业职业技术学院
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本实用新型公开了自偏置误差放大电路。自偏置误差放大电路包括偏置电路、差分运算放大电路、输出驱动电路和相位补偿电路：所述偏置电路是提供整个电路的偏置电流；所述运算放大电路是对输入信号进行放大；所述输出驱动电路是对所述运算放大电路放大的信号进行输出驱动利用本实用新型提供的自偏置误差放大电路能使整个环路更加稳定。
一种偏置误差放大电路

[发明专利]用于功率放大器的自混合自适应偏置电路的系统和方法-CN200910261077.3有效
发明人：李洞护;安奎焕;李彰浩;乔伊·拉斯卡尔 -专利权人：三星电机株式会社;佐治亚科技研究公司
申请日： 2009-12-22 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：提供了一种用于功率放大器的自混合自适应偏置电路的系统和方法。所述自混合自适应偏置电路包括混合器、低通滤波器或移相器、偏置供给块。自混合自适应偏置电路可根据输入信号功率级产生自适应偏置信号。由于输入功率级升高，所以自适应偏置电路增加偏置电压或偏置电流，以使功率放大器与传统的偏置技术相比在低功率操作水平节省电流消耗，并在高功率操作水平获得更好的线性。此外，可使用自适应偏置输出信号来去除三阶互调谱项(IM3)，以进一步增强线性作为辅助效果。
用于功率放大器混合自适应偏置电路系统方法

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