专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种防治稻瘟病的植物药剂-CN200910135442.6无效
  • 朱绍刚 - 朱绍刚
  • 2009-04-20 - 2010-10-20 - A01N65/42
  • 一种防治稻瘟病的植物药剂,它是由:白芷粉3000克、桑叶粉5000克、桂皮粉3000克、知母粉5000克、茯苓粉5000克、甘草粉3000克、蒲公英5000克、黄柏2000克、大蒜头5000克、稻瘟净5000成。按比例取白芷粉、桑叶粉、桂皮粉、知母粉、茯苓粉、甘草粉、蒲公英、黄柏分别锤碎后全部组合一起,大蒜头捣碎一起放入大铁锅内加水600斤大火熬煮50分钟后改为小火再熬煮30分钟即可停火,过滤取汁,加入稻瘟净充分搅拌
  • 一种防治稻瘟病植物药剂
  • [发明专利]一种EDI专用生产配方-CN201610274819.6在审
  • 陈健;潘礼德 - 金华市金秋环保水处理有限公司
  • 2016-04-18 - 2017-10-31 - C08L101/00
  • 本发明提供了一种EDI专用生产配方,其特点是阴配方原料以及原料重量份为阴离子树脂,5000~7000份;低密度聚乙烯(LDPE),1500~2500份;聚异丁烯(PIB),300~600份;丁苯橡胶400~800份,乙烯‑辛烯弹性体100~500份,聚乙烯蜡30~80份;单甘脂10~20份;抗氧剂,3~5份;阳配方原料以及原料重量份为阳离子树脂,6000~8000份;低密度聚乙烯(LDPE),1000~1800份;聚异丁烯(PIB),300~600份;丁苯橡胶400~800份,乙烯‑辛烯弹性体100~500份,聚乙烯蜡30~80份;芥酸酰胺,10~20份;抗氧剂,3~5份。其具有高含水量,高离子交换容量,优良的选择透过率,低面电阻,的机械强度高、爆破强度大、透水率小、盐扩散系数低。
  • 一种edi专用生产配方
  • [发明专利]一种激光管的高压激发电路-CN201911079660.2有效
  • 李国军 - 深圳市神飞电子科技有限公司
  • 2019-11-07 - 2021-10-08 - H01S5/042
  • 本发明公开了一种激光管的高压激发电路,涉及检测用具技术领域;控制电路分别与600V高压电路、5000V脉冲高压电路电连接,发光管的一个电源端与600V高压电路电连接,另一个电源端接地,600V高压电路与5000V脉冲高压电路电连接,5000V脉冲高压电路与锡箔纸电连接,发光管的底部与锡箔纸接触;本发明可以使产品合二为一,既可以检测毒品又可以检测爆炸物,同时设备体积小,重量轻,功耗低,灵敏度高和分析时间快
  • 一种激光管高压激发电路
  • [发明专利]一种生物有机堆肥及其制备方法-CN201510602484.1在审
  • 张日龙 - 张日龙
  • 2015-09-21 - 2015-12-02 - C05G3/00
  • 本发明公开一种生物有机堆肥及其制备方法,由主要材料和辅助菌素制成,包括以下重量份数的主要材料:鱼骨500~1000份、贝壳1000~2000份、厨余垃圾5000~7000份、草炭3000~5000份和石灰粉2000~3000份,包括以下重量份数的辅助菌素:辅酶a100~400份、辅酶q100~400份、麦角固醇300~600份、春日霉素500~800份、杀螨素600~900份、根瘤菌素500~700份、固氮菌素400~800份、磷细菌素300~500份、抗生菌素300~600份和复合菌素600~700份;该生物有机堆肥肥效长、肥力大,绿色环保,在促进植物吸收生长的同时能抑制害虫和杂草的生长。
  • 一种生物有机堆肥及其制备方法
  • [发明专利]半导体制冷退蚀刻方法-CN202111072130.2有效
  • 吴鹏;罗玉杰;于正国 - 赛创电气(铜陵)有限公司
  • 2021-09-14 - 2022-04-08 - C23F1/00
  • 本发明公开了半导体制冷退蚀刻方法:包括以下步骤:(1)、退:将经过表面处理的半导体制冷半成品依次碱洗→纯水冲洗→剥离液水浴超声→纯水冲洗→自动退线→IPA清洗→晾干;(2)、铜蚀刻:将铜蚀刻工段的14喷淋管关闭前7喷淋管,线速5000mm/min,铜蚀刻工段压力为至1.6kg;(3)、钛钨蚀刻:使用30%过氧化氢水浴加热,放入经过铜蚀刻的半导体制冷半成品,一段时间后拿起,再用纯水浸泡、震荡,取出半导体制冷半成品进行IPA浸泡后晾干。本发明的有益效果是通过对半导体制冷退蚀刻的工艺参数的调整,能够得到退蚀刻外观效果合格的成品。
  • 半导体制冷器退膜蚀刻方法

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