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[发明专利]一种自支撑纳米金刚石厚膜的制备方法-CN201810565524.3有效
发明人：高洁;于盛旺;郑可;黑鸿君;田武;潘雪楠;王月月;马永 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种自支撑纳米金刚石厚膜的制备方法，采用双层辉光等离子渗金属方法在硅基片表面渗钼处理形成钼促形核层；采用化学气相沉积方法在上述钼促形核层上沉积成纳米金刚石膜；继续反复交替进行在纳米金刚石膜上渗钼处理形成钼促形核层，以及在钼促形核层上沉积纳米金刚石膜的步骤；以上所述钼促形核层厚度为0.1‑1µm，纳米金刚石膜厚度控制在20‑100µm，最终在硅基片表面形成厚度为0.5‑3mm厚膜后，将硅基片腐蚀处理，得到所述的自支撑纳米金刚石厚膜该方法通过不断施加钼促形核层，提高金刚石成核速率，抑制晶粒长大，实现纳米金刚石厚膜的制备，该厚膜具有良好的强韧性及耐磨性等综合性能。
形核层厚膜纳米金刚石膜纳米金刚石硅基片自支撑制备沉积双层辉光等离子渗化学气相沉积耐磨性表面形成腐蚀处理厚度控制晶粒长大综合性能金刚石表面渗强韧性成核渗钼施加金属

[发明专利]一种存储器件、钨形核层及其制备方法-CN201710770824.0有效
发明人：毛格;彭浩;李远;周烽;唐浩;詹侃;万先进 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种存储器件、钨形核层及其制备方法，其中，所述钨形核层的制备方法包括：获取所述化学气相沉积设备的膜层厚度曲线，所述膜层厚度曲线中记录有所述化学气相沉积设备腔体初始化后制备的薄膜次数与钨形核层厚度的对应关系；根据所述膜层厚度曲线对腔体初始化后的化学气相沉积设备进行预处理，以使所述化学气相沉积设备处于所述膜层厚度曲线的稳定工作区；利用预处理后的化学气相沉积设备制备钨形核层。利用该方法制备钨形核层，可以实现制备的钨形核层厚度均一的目的，简化了后续的钨体层的制备工艺参数的选择，保证了在钨形核层上制备的钨体层的质量，从而提升了基于上述钨形核层和钨体层制备的存储器件的电学性能。
一种存储器件钨形核层及其制备方法

[发明专利]一种提高金刚石生长过程中二次形核的方法-CN201810265260.X在审
发明人：马志斌;李艳春;耿传文;夏禹豪;李方辉;衡凡 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高金刚石生长过程中二次形核的方法，该方法通过调节等离子体激发功率控制金刚石膜表面温度升高或降低，实现了金刚石膜“正常生长‑二次形核‑正常生长”的周期性沉积过程。该方法可以简单、快速的促进金刚石的二次形核，显著提高金刚石的二次形核率。
次形金刚石生长过程金刚石等离子体激发金刚石膜表面周期性沉积功率控制金刚石膜生长

[发明专利]一种太赫兹波段真空器件用的输能窗片及其制备方法-CN201910695041.X有效
发明人：丁明清;李莉莉;化称意;李兴辉;韩攀阳;潘攀;蔡军;冯进军 -专利权人：中国电子科技集团公司第十二研究所
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01J9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种太赫兹波段真空器件用的输能窗片，包括复合金刚石膜，以及在其形核面上依次生长的微米晶金刚石膜和超纳米晶金刚石膜或纳米晶金刚石膜；其中，所述复合金刚石膜的形核面经过了去除包含缺陷和非金刚石相表层的处理该金刚石输能窗片的形核面重新生长的超纳米晶具有高的抗断裂强度，并降低了THz波的损耗；而重新生长的微米晶金刚石可适当提高形核面的表面粗造度，从而增加形核面与后续金属化层之间的结合力，防止金属化层的起皮或脱落
一种赫兹波段真空器件输能窗片及其制备方法

[发明专利]细胞极性紊乱参数的确定方法及装置-CN202310036467.0在审
发明人：李昊;胡珊 -专利权人：武汉楚精灵医疗科技有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本申请提供一种细胞极性紊乱参数的确定方法及装置，该细胞极性紊乱参数的确定方法包括：获取腺体病理图像；得到管腔分割区域；获取多个基底膜点；将第一个满足膜点形心距离与参考膜点集中各个基底膜点的膜点形心距离的平均值之差大于预设值的候选基底膜点确定为目标基底膜点，组成待修正膜点集，将目标基底膜点对应的参考膜点集中各个基底膜点的膜点形心距离的平均值确定为修正距离；得到第二基底膜边界线包围的第二基底膜分割区域；将多个细胞核分割区域中多个肿大细胞核分割区域的细胞核总面积与第二基底膜分割区域的面积比确定为细胞核膨胀比；基于细胞核膨胀比确定细胞极性紊乱参数。
细胞极性紊乱参数确定方法装置

[发明专利]一种基于铱-非晶碳预种植层提高大尺寸单晶金刚石异质外延形核密度的方法-CN202211180061.1在审
发明人：周兵;李俊峰;于盛旺;王永胜;马永;郑可 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铱‑非晶碳预种植层提高大尺寸单晶金刚石异质外延形核密度的方法，首先通过酸洗、丙酮或乙醇超声清洗方法预处理单晶硅衬底；在处理后的单晶硅表面依次外延纳米厚度的钇稳定氧化锆(YSZ)单晶膜缓冲层和铱单晶膜功能层；然后在铱/YSZ复合衬底表面预种植非晶碳膜，并对其进行真空退火去应力和抛光去石墨相大颗粒处理，得到光滑平整表面；最后在铱‑非晶碳预种植层表面外延生长单晶金刚石，切割去除复合衬底从而得到异质外延的大尺寸单晶金刚石该方法利用非晶碳种植层加快偏压形核时碳离子进入铱膜形成过饱和固溶体的溶解‑析出过程，增加形核位点，提高形核密度，对制备大尺寸高质量单晶金刚石具有重要意义。
一种基于非晶碳预种植提高尺寸金刚石外延密度方法

[发明专利]一种镁合金高耐蚀转化膜的制备方法-CN202211426185.3在审
发明人：孙思雨;张涛;周鹏;王福会;翟运飞;陈妍 -专利权人：东北大学;上海航天设备制造总厂有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C23C22/18 文献下载
摘要：本发明提供了镁合金高耐蚀转化膜的制备方法，包括如下步骤：配制转化膜溶液，以质量计，将28～35份的硫酸锰溶于1000份的水中，然后再加入30～38份的磷酸二氢铵、1～3份的硝酸钠、1～3份的乙二胺四乙酸四钠及5～15份的阳离子表面活性剂；将所述转化膜溶液在50℃～70℃的温度下水浴加热；将预处理后的镁合金放入加热后的转化膜溶液中成膜，成膜时间为8～12min；成膜后的镁合金取出冲洗，然后在空气中干燥；所述镁合金干燥本发明提供的镁合金高耐蚀转化膜的制备方法，通过降低转化膜形核过程中的形核功，提高转化膜的形核率，从而提高镁合金表面形成的转化膜的耐蚀性。
一种镁合金高耐蚀转化制备方法

[发明专利]一种卤化物钙钛矿面内定向结晶方法-CN202211677279.8在审
发明人：韩宏伟;梅安意;程彦杰 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明属于卤化物钙钛矿半导体领域，公开了一种卤化物钙钛矿面内定向结晶方法，该方法包括以下步骤：(1)准备钙钛矿前驱体；(2)将钙钛矿前驱体涂敷在基底上，得到前驱体湿膜；(3)通过调控前驱体湿膜中溶剂的挥发位置及挥发方向，控制前驱体湿膜在单一的选定局域优先过饱和，实现可控位置的定位形核，同时抑制其他位置出现形核，建立放射状的面内浓度梯度，实现面内的定向连续生长，从而得到定位形核、连续生长的卤化物钙钛矿薄膜。本发明通过调控前驱体湿膜中溶剂的挥发位置、挥发方向，先发生定位形核，再发生面内定向连续生长，能够实现对高质量卤化物钙钛矿薄膜的可控制备。
一种卤化物钙钛矿面内定向结晶方法

[发明专利]一种金刚石膜散热片及其制备方法-CN202010968823.9在审
发明人：吴宇琼;晋梅;邹琳玲;安良;唐小淋 -专利权人：江汉大学
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C04B30/00 文献下载
摘要：本发明提供一种金刚石膜散热片及其制备方法，所述散热片包括复合衬底材料基层，以及与所述基层表面连接的金刚石膜层；所述复合衬底材料基层包括均匀混合的金刚石颗粒、碳化硅颗粒及硅粉。本发明衬底材料以硅粉为主，通过在硅粉中添加碳化硅颗粒和金刚石颗粒组成的衬底材料，以硅为主体材料，通过添加碳化硅颗粒和金刚石颗粒来提升衬底材料的整体导热能力；同时，衬底材料中的金刚石颗粒能为CVD金刚石膜形核阶段提供形核核心，有利于提高CVD金刚石膜在衬底材料表面生长时的形核密度。
一种金刚石散热片及其制备方法

[发明专利]多晶硅全熔铸锭工艺及其用坩埚-CN201810602903.5有效
发明人：张军华;刘东;王振刚;王佳 -专利权人：山东大海新能源发展有限公司
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：该多晶硅全熔铸锭用坩埚包括坩埚本体和依次固定在坩埚内底部的石英砂和第一脱膜层，所述坩埚本体内侧面涂覆第二脱膜层。第一脱膜剂和第二脱膜剂均包含氮化硅。本申请的坩埚即可以防止多晶硅的氧化，又可以防止多晶硅锭的粘锅，坩埚底部的疏松粗糙表面提供了多种引晶方式，具有石英砂形核、缝隙形核和氮化硅形核，多种引晶并存缩短了多晶铸锭的周期，多晶铸锭的良率高。
多晶熔铸工艺及其坩埚

[发明专利]多晶硅全熔铸锭用坩埚及其制备方法和应用-CN201810601798.3有效
发明人：唐珊珊;杨涛;王振刚;王振防;王佳 -专利权人：山东大海新能源发展有限公司
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：该多晶硅全熔铸锭用坩埚的制备方法，包括下述步骤：1)将坩埚的内底部固定石英砂颗粒；2)将步骤1)制备的坩埚内底部喷涂第一脱膜层，坩埚内侧壁喷涂第二脱膜层；所述第一脱膜层的厚度大于第二脱膜层的厚度。第一脱膜剂和第二脱膜剂均包含氮化硅。本申请的方法制备的坩埚即可以防止多晶硅的氧化，又可以防止多晶硅锭的粘锅，坩埚底部的疏松粗糙表面提供了多种引晶方式，具有石英砂形核、缝隙形核和氮化硅形核，多种引晶并存缩短了多晶铸锭的周期，多晶铸锭的良率高
多晶熔铸坩埚及其制备方法应用

[发明专利]提高金刚石异质外延形核均匀性的方法-CN202110732256.1有效
发明人：代兵;王伟华;杨世林;朱嘉琦;韩杰才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：提高金刚石异质外延形核均匀性的方法，本发明属于异质外延单晶金刚石制备领域，它为了解决常规BEN工艺下偏置电流水平较低，导致金刚石异质外延形核的均匀性较差的问题。提高形核均匀性的方法：一、在衬底上沉积Ir薄膜，然后在退火后的复合衬底的背面和侧面沉积金膜；二、用直流偏压增强形核工艺在样品托上沉积金刚石薄层；三、通入氢气，激活等离子体，通入甲烷气体，控制甲烷的体积分数，开启直流偏压电源，进行偏压增强形核，然后降低甲烷浓度，开始进行金刚石外延生长，直至生长结束。本发明使得异质外延所形核所需要的含碳粒子扩散会更加快速，有效避免了形核聚集发生在个别区域，使形核发生位置分布更为分散均匀。
提高金刚石外延均匀方法

[发明专利]一种利用磁性吸引力固定珠核养殖有核珍珠的方法-CN201110115928.0无效
发明人：张春芳;刘永;焦宗垚;邓成茂 -专利权人：广东海洋大学
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： A01K61/00 文献下载
摘要：一种利用磁性吸引力固定珠核养殖有核珍珠的方法，采用传统的植核手术方法将具有磁性的珠核和外套膜细胞小片植入珍珠贝(或蚌)的核位位置后，在珠核所在位置的内脏囊或外套膜外放置一个固核磁石，该磁石隔着内脏囊或外套膜表皮组织对具有磁性的珠核产生的磁性吸引力牵拉阻止珠核从植入珠核的切口处“吐”出；将植核贝(或蚌)置于养殖水域休养10-20天后，植核贝(或蚌)手术伤口已基本愈合，再通过阴干等方法使植核贝(或蚌)开口，取出固核磁石；然后将植核贝(或蚌)置于养殖水域养殖一定的时间，即可形成具有磁性的有核珍珠使用本发明养殖有核珍珠可有效提高植核留核率达90％以上，并且可生产出具有磁性保健作用的圆球形、异形以及像形有核珍珠。
一种利用磁性吸引力固定养殖珍珠方法

[发明专利]一种高品质自支撑金刚石厚膜的制备方法-CN201610069254.8有效
发明人：于盛旺;王荣;高洁;黑鸿君;张阿莉;刘小萍;贺志勇 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种高品质自支撑金刚石厚膜的制备方法，该方法包括先使用化学气相沉积法制备厚度为0.5~0.7 mm的高品质自支撑金刚石膜；然后研磨、抛光膜的形核面，去除残留的碳化物，将其作为基体，在形核面上制备厚度为1~3 mm的高品质金刚石膜；在两次制备过程中，金刚石膜的厚度每增加50~100μm，减少甲烷流量，减少值为甲烷初始流量的0.5~1%。使用该方法制备的自支撑金刚石厚膜具有品质均匀性好、无裂纹、机械强度高等优点。
一种品质支撑金刚石制备方法

[发明专利]一种基于氧化锌的谐振器的制造方法-CN01103234.0无效
发明人：格伦·罗伯特·科瓦奇 -专利权人：朗迅科技公司
申请日： 2001-02-07 - 公布日： 2001-08-29 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：公开一种制造谐振器的方法,方法首先包含的步骤是提供具有电介质层的衬底基底,然后,在电介质层上形成黏附层,在黏附层上形成形核促进膜。随后在形核促进膜上形成氧化锌层,在氧化锌层上形成顶部传导层。
一种基于氧化锌谐振器制造方法

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