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[发明专利]减少颗粒形成的膜-CN202011062728.9在审
发明人： S·博尼亚迪 -专利权人：恩特格里斯公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： B01D69/00 文献下载
摘要：本申请涉及具有减少颗粒形成的膜。本文公开了一种膜，所述膜具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、在所述第一表面处的表层和孔径梯度，当在10,000的放大倍数下观察时，所述表层具有可见的孔，其中孔径从所述第二表面到所述表层增大。
减少颗粒形成

[发明专利]膜形成用组合物-CN202080039710.9在审
发明人：柴山亘;武田谕;志垣修平;石桥谦;加藤宏大;中岛诚 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C08G77/26 文献下载
摘要：本发明的课题是提供适合作为可以形成兼具对EUV抗蚀剂的良好的密合性、与良好的蚀刻加工性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的、膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其特征在于，其包含选自水解性硅烷化合物、其水解物和其水解缩合物中的至少1种，以及溶剂，上述水解性硅烷化合物包含分子内具有氰基的下述式(1)所示的水解性硅烷。
形成组合

[发明专利]膜形成用组合物-CN202080038844.9在审
发明人：柴山亘;武田谕;志垣修平;石桥谦;加藤宏大;中岛诚 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C08G77/04 文献下载
摘要：本发明的课题是提供适合作为可以形成兼具对EUV抗蚀剂的良好的密合性、与良好的蚀刻加工性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的、膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其包含：在碱性水解催化剂的存在下生成的水解性硅烷化合物的水解缩合物(A)；在酸性水解催化剂的存在下生成的水解性硅烷化合物的水解缩合物(B)；以及溶剂。
形成组合

[发明专利]被膜形成方法-CN202080072437.X在审
发明人：铃木弘朗 -专利权人：株式会社铃木商店
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： B05D5/00 文献下载
摘要：一种被膜形成方法，其包括：使锌粉或锌合金粉和喷丸与构件的表面碰撞，从而上述锌粉或上述锌合金粉被压碎并相互接合，在上述构件的表面形成锌被膜或锌合金被膜的工序；在上述锌被膜或上述锌合金被膜的表面涂布包含有机硅氧烷、烷氧基硅烷低聚物或胶态二氧化硅的溶液并使其干燥的第1工序；在上述第1工序之后，在上述锌被膜或上述锌合金被膜的表面涂布包含有机硅氧烷、烷氧基硅烷低聚物或胶态二氧化硅的溶液并使其干燥的第2工序。
形成方法

[发明专利]膜形成用组合物-CN202180026667.7在审
发明人：柴山亘;武田谕;志垣修平;石桥谦;加藤宏大;中岛诚 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供获得能够作为具有对作为上层而形成的抗蚀剂膜用的组合物的溶剂的耐性、对氟系气体的良好的蚀刻特性、进一步良好的光刻特性的抗蚀剂下层膜而良好地起作用的膜的组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其特征在于，是包含使用包含2种以上酸性基的酸性化合物将水解性硅烷化合物水解和缩合而获得的水解缩合物、和溶剂的膜形成用组合物，上述水解性硅烷化合物包含下述式(1)所示的含有氨基的硅烷
形成组合

[发明专利]膜形成用组合物-CN202180024987.9在审
发明人：加藤宏大;武田谕;志垣修平;柴山亘;中岛诚 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明提供用于形成溶剂显影型抗蚀剂的抗蚀剂下层膜的膜形成用组合物，所述抗蚀剂下层膜能够形成良好的抗蚀剂图案。该膜形成用组合物的特征在于包含水解性硅烷化合物的水解缩合物、选自由氨基塑料交联剂及酚醛塑料交联剂组成的组中的至少1种交联剂和溶剂，且上述水解性硅烷化合物包含下述式(1)表示的水解性硅烷。
形成组合

[发明专利]膜形成用组合物-CN202180026228.6在审
发明人：柴山亘;武田谕;志垣修平;石桥谦;加藤宏大;中岛诚 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题是提供获得能够作为具有对作为上层而形成的抗蚀剂膜用的组合物的溶剂的耐性、针对氟系气体的良好的蚀刻特性、进一步良好的光刻特性的抗蚀剂下层膜而良好地起作用的膜的组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其特征在于，包含使用2种以上酸性化合物进行水解性硅烷化合物的水解和缩合而获得的水解缩合物、和溶剂，上述水解性硅烷化合物包含下述式(1)所示的含有氨基的硅烷。
形成组合

[发明专利]硅化物膜形成方法-CN202211605243.9在审
发明人：大庭卓 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在半导体晶片上形成均匀的金属硅化物膜的硅化物膜形成方法。将包含硅作为构成元素的半导体晶片配置于溅射室内。然后，向溅射室内导入溅射气体，对靶进行溅射，由此使金属膜沉积在半导体晶片上。使激光束入射到沉积于半导体晶片上的金属膜从而产生硅化反应，由此形成金属硅化物膜。
硅化物膜形成方法

[发明专利]膜形成用组合物-CN201410283050.5有效
发明人：武内弘明;古川由实 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2014-06-23 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：通过配合特定量的在大气压下的沸点为170℃以上的高沸点极性溶剂，提供能够形成折射率得到改良的膜的膜形成用组合物、使用该膜形成用组合物的膜的形成方法、使用该膜形成用组合物形成的膜、该膜形成用组合物的制造方法、和使用该膜形成用组合物形成的膜的折射率的改良方法。在包含有机树脂、无机纳米粒子和溶剂的膜形成用组合物中配合相对于有机树脂的质量与无机纳米粒子的质量的合计为20～100质量％的在大气压下的沸点为170℃以上的高沸点极性溶剂作为溶剂。
形成组合

[发明专利]涂膜形成方法-CN201810467818.2有效
发明人：后藤宏太;荻野晋一;松阪裕子 -专利权人：关西涂料株式会社
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C09D133/14 文献下载
摘要：提供一种即使基材的涂装面为复杂形状，与基材的密合性也优异且具有高强度的涂膜形成方法。一种涂膜形成方法，具有：准备涂料组合物(1)的工序，所述涂料组合物(1)含有重均分子量为550以上且低于10,000的范围内且1分子内具有2个以上的(甲基)丙烯酰基的氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯(A)、具有选自由羧基
形成方法

[发明专利]形成钨膜的方法-CN201810384157.7有效
发明人：前川浩治;鲛岛崇;青山真太郎;铃木幹夫;有马进;松本淳志;柴田直树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：提供一种形成钨膜的方法，该钨膜具有低的电阻。在一个方式中，提供一种形成钨膜的方法。该方法包括以下工序：在基板上形成包含金属的不连续膜；以及在上面形成了不连续膜的基板上形成钨膜。在形成不连续膜的工序中，例如将第一原料气体和氮化气体交替地同载气一起供给。在形成钨膜的工序中，例如将第二原料气体和还原气体交替地同载气一起供给。
形成方法

[发明专利]用于形成膜的方法-CN201310472443.6有效
发明人：渊上安彦;佐藤强 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2013-09-06 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：根据一实施例，一种用于形成膜的方法，所述膜包括设置在基板上的第一部分和沿着第一部分的外边缘设置且围绕第一部分的第二部分，所述方法包括通过在基板上喷射液滴来形成第二部分的步骤，每个液滴包含第二部分的材料。所述方法还包括通过在基板中的区域上喷射其它液滴来形成第一部分的步骤，所述区域由第二部分围绕，且每个所述其它液滴包含第一部分的材料。
用于形成方法

[发明专利]形成膜层的方法-CN201210149010.2有效
发明人：王冬江;张城龙;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-05-14 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：一种形成膜层的方法，包括：提供基底；在所述基底上方设置第一管，所述第一管具有第一管口和第二管口，所述第一管口与所述基底相对；通过所述第二管口在所述第一管中通入用于形成膜层的气体，使所述用于形成膜层的气体呈束到达所述基底，以在呈束的气体到达的位置上形成膜层。本技术方案可以实现在低温环境中实现形成高温薄膜的方法。
形成方法

[发明专利]用于形成膜的方法-CN201210497506.9有效
发明人：沟口佳孝;平野浩司 -专利权人：关西涂料株式会社
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C25D11/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供膜形成方法，其包括在厚度为2μm至5μm的阳极氧化膜上形成干燥膜厚度为1μm至5μm的阴离子电沉积涂膜，所述阳极氧化膜具有平均孔径为30nm至300nm的孔；以及提供通过所述膜形成方法而获得的具有优异抗冲击性和耐水性的涂覆物品本发明提供了用于形成膜的方法，其包括将铝或铝合金浸入磷酸水溶液或草酸水溶液(A)中，并且使所述铝或铝合金的表面阳极氧化以形成厚度为2μm至5μm的阳极氧化膜，所述阳极氧化膜具有平均孔径为30nm至300nm的孔，然后使阴离子电沉积涂料(B)电沉积在所述阳极氧化膜的表面上形成电沉积涂膜，所述电沉积涂膜的干燥膜厚自所述阳极氧化膜的表面计起为1μm至5μm，且所述电沉积涂膜在所述阳极氧化膜的孔内的深度大于等于1μm
用于形成方法

[发明专利]散热膜形成方法-CN201610556642.9有效
发明人：畠山由章 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种散热膜形成方法，能够只在部件的期望的部位高效地形成散热层。提供一种形成散热膜(5)的散热膜形成方法，该散热膜形成方法具有以下工序：在使以二氧化硅为主要成分的散热涂敷剂与熔点比该散热涂敷剂的烧制温度高的钎料板(6)接触后进行烧制，从而在钎料板(6)上形成散热膜(5)；以及将形成有散热膜(5)的钎料板(6)配置到排气岐管(2)的被钎焊部(20)上进行钎焊，从而在排气岐管(2)上形成散热膜(5)。
散热形成方法