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[发明专利]绝缘结构-CN201810187130.9有效
发明人：川口宏;石田勇二 -专利权人：住友重机械离子科技株式会社
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制因污染粒子的堆积而引起的绝缘性能下降的绝缘结构。在将设置于离子注入装置的真空区域内部的电极与其他部件绝缘并支承该电极的绝缘结构中，第1绝缘部件(32)支承电极。第2绝缘部件(34)为了减少污染粒子(18)向第1绝缘部件(32)的附着而嵌合于第1绝缘部件(32)。第2绝缘部件(34)由硬度比第1绝缘部件(32)低的材料形成。第2绝缘部件(34)的外表面的维氏硬度为5GPa以下。第2绝缘部件(34)的弯曲强度为100MPa以下。第2绝缘部件(34)由包含氮化硼、多孔陶瓷及树脂中的至少一种的材料形成。
绝缘结构

[实用新型]绝缘结构-CN02237001.3无效
发明人：陈奇生;谢东云 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2002-05-28 - 公布日： 2003-05-21 - 主分类号： H02J3/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一绝缘结构，其是应用于一电子装置上，其包含一电子装置本体；一壳体，用以容置该电子装置本体于其内，且具有一底面；以及一绝缘基座，设置于该电子装置本体与该壳体的底面间，其具有至少一延伸部由该绝缘基座向下延伸出该壳体的底面，提高该延伸部，是以绝缘该电子装置。本实用新型的绝缘结构，强化了电子装置结构并提高了电子装置的绝缘性能。
绝缘结构

[发明专利]绝缘结构-CN200480030260.8无效
发明人： R·沃特斯;A·哈达德 -专利权人：加的夫大学学院咨询有限公司
申请日： 2004-09-20 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H01B17/42 文献下载
摘要：一种电绝缘子(10)，它包括细长柄(12)和沿柄(12)的长度设置的一个或多个伞(14)。绝缘子的表面包括纵向延伸的沟槽，沟槽深度沿绝缘子的长度变化，以致沿绝缘子长度的所有横向截面的周向距离是基本上相等的且受到控制。除沟槽外，该表面可以形成有一列突起和/或凹槽。因此，绝缘子沿其长度提供限定的周边和表面区域，以致优选地表面区域不被表面电流加热而形成干燥带并因此起弧。这样的形状还使绝缘子不易发生表面污染的退化效应。
绝缘结构

[发明专利]绝缘模块、插接件模块以及连接器-CN201811519007.9在审
发明人：何洪;张洺诚;代秀云 -专利权人：四川华丰企业集团有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01R13/502 文献下载
摘要：本发明涉及数据传输技术领域，具体而言，涉及一种绝缘模块、插接件模块以及连接器。该绝缘模块包括第一绝缘结构以及第二绝缘结构。第一绝缘结构用于固定信号端子，并使信号端子穿出于第一绝缘结构。第二绝缘结构连接于第一绝缘结构，且第二绝缘结构覆盖在至少部分信号端子之上。通过使得第二绝缘结构连接于第一绝缘结构，形成整个绝缘模块，第一绝缘结构和第二绝缘结构相互配合，将信号端子包裹，从而能够防止信号端子与屏蔽件、基座的电接触，有效降低串扰，提高信号传输性能。并且通过第一绝缘结构对信号端子的固定，保证了信号端子与其他设备的稳定连接。
绝缘结构信号端子绝缘模块连接器插接件数据传输技术信号传输性能防止信号固定信号稳定连接电接触屏蔽件串扰覆盖配合保证

[实用新型]绝缘模块、插接件模块以及连接器-CN201822090019.6有效
发明人：何洪;张洺诚;代秀云 -专利权人：四川华丰企业集团有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01R13/502 文献下载
摘要：本实用新型涉及数据传输技术领域，具体而言，涉及一种绝缘模块、插接件模块以及连接器。该绝缘模块包括第一绝缘结构以及第二绝缘结构。第一绝缘结构用于固定信号端子，并使信号端子穿出于第一绝缘结构。第二绝缘结构连接于第一绝缘结构，且第二绝缘结构覆盖在至少部分信号端子之上。通过使得第二绝缘结构连接于第一绝缘结构，形成整个绝缘模块，第一绝缘结构和第二绝缘结构相互配合，将信号端子包裹，从而能够防止信号端子与屏蔽件、基座的电接触，有效降低串扰，提高信号传输性能。并且通过第一绝缘结构对信号端子的固定，保证了信号端子与其他设备的稳定连接。
绝缘结构信号端子绝缘模块连接器插接件数据传输技术信号传输性能本实用新型防止信号固定信号稳定连接电接触屏蔽件串扰覆盖配合保证

[发明专利]一种绕组相间绝缘结构-CN201810048330.6在审
发明人：环剑斌;刘乐俊;高明江;陆震海;李祥志;沈惠娟;丁金华;何继闽 -专利权人：江苏环晟电机有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H02K3/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种绕组相间绝缘结构，包括与定子铁芯上的连接柱配合的中间绝缘结构，与定子铁芯的上表面贴合的上部出线绝缘结构，以及与定子铁芯的下表面贴合的下部绝缘结构；中间绝缘结构上形成有导体的缠绕空间；上部出线绝缘结构上设置有便于导体在端部固定和换向的若干个第一绕线柱，以及便于导体引出的导向槽；下部绝缘结构上设置有便于导体在端部固定和换向的若干个第二绕线柱；通过中间绝缘结构、上部出线绝缘结构和下部绝缘结构与定子铁芯固定，导体缠绕在中间绝缘结构上，导体的端部在上部出线绝缘结构和下部绝缘结构上的绕线柱上固定和换向时，能够有效的隔开导体，提高了绝缘的效果，安装拆卸方便，可靠性更好。
一种绕组相间绝缘结构

[实用新型]绕组相间绝缘结构-CN201820083303.8有效
发明人：环剑斌;刘乐俊;高明江;陆震海;李祥志;沈惠娟;丁金华;何继闽 -专利权人：江苏环晟电机有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H02K3/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了绕组相间绝缘结构，包括与定子铁芯上的连接柱配合的中间绝缘结构，与定子铁芯的上表面贴合的上部出线绝缘结构，以及与定子铁芯的下表面贴合的下部绝缘结构；中间绝缘结构上形成有导体的缠绕空间；上部出线绝缘结构上设置有便于导体在端部固定和换向的若干个第一绕线柱，以及便于导体引出的导向槽；下部绝缘结构上设置有便于导体在端部固定和换向的若干个第二绕线柱；通过中间绝缘结构、上部出线绝缘结构和下部绝缘结构与定子铁芯固定，导体缠绕在中间绝缘结构上，导体的端部在上部出线绝缘结构和下部绝缘结构上的绕线柱上固定和换向时，能够有效的隔开导体，提高了绝缘的效果，安装拆卸方便，可靠性更好。
绝缘结构导体中间绝缘结构定子铁芯绕线柱出线换向相间绝缘结构贴合本实用新型拆卸方便导体缠绕导向槽连接柱上表面下表面隔开绝缘缠绕配合

[发明专利]半导体器件、器件和封装-CN202110709426.4在审
发明人：金恩知;白承祐;金炳圭;朴相俊;赵星东 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：该器件包括：基板；在基板上的外围电路和第一接合焊盘；围绕第一接合焊盘的侧表面的第一绝缘结构；接触第一接合焊盘的第二接合焊盘；在第一绝缘结构上的第二绝缘结构；在第二绝缘结构上的钝化层；上绝缘结构，在钝化层和第二绝缘结构之间；阻挡盖层，在上绝缘结构和钝化层之间；导电图案，在上绝缘结构中彼此间隔开；第一图案结构，在上绝缘结构和第二绝缘结构之间；堆叠结构，在第二绝缘结构和第一图案结构之间，并包括栅极层；以及垂直结构，穿过堆叠结构并包括数据存储结构和沟道层
半导体器件器件封装

[发明专利]绝缘层覆硅结构-CN201711463663.7有效
发明人：吴孝哲 -专利权人：江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明揭露一种绝缘层覆硅结构。绝缘层覆硅结构包含一底层，一主动层，绝缘层，一第一绝缘结构，一第二绝缘结构与一阻隔层。主动层位于底层上方。第一绝缘结构位于主动层与底层之间。第二绝缘结构绕主动层与第一绝缘结构。主动层嵌于第一绝缘结构中，且主动层的上表面与第二绝缘结构的上表面为共平面。阻隔层位于第二绝缘结构中并环绕主动层。
绝缘层覆硅结构

[实用新型]一种新型的双凸形结构陶瓷电容器-CN201420622022.7有效
发明人：陈宇荣 -专利权人：陈宇荣
申请日： 2014-10-24 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本实用新型公布了一种新型的双凸形结构陶瓷电容器，其特征在于：包括圆环绝缘结构，圆环绝缘机构的两侧分别设置有外凸形绝缘结构和内凸形绝缘结构；所述内凸形绝缘结构和外凸形绝缘结构呈管形，并且内凸形绝缘结构的直径大于外凸形绝缘结构的直径；所述内凸形绝缘结构的外侧面上设置有外导电金属，内凸形绝缘结构的内侧面上设置有内导电金属。本实用新型具有设计合理，结构简单，安装方便，并且定位与安装更简单、更理想，便于推广。
一种新型双凸形结构陶瓷电容器

[发明专利]一种具有可调参数绝缘介质的高温高压电气贯穿件-CN202110035104.6有效
发明人：耿屹楠;张勇;周伟松 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G21C13/02 文献下载
摘要：本发明属于核反应堆工程领域，特别涉及一种具有可调参数绝缘介质的电气贯穿件，包括主绝缘结构、辅助绝缘结构、导体、法兰、玻璃、硅胶层和固定螺钉。主绝缘结构位于导体与法兰之间，在导体方向上延伸，超出法兰的长度，主绝缘结构远离导体的一侧有一个凸台。辅助绝缘结构位于主绝缘结构远离导体的另一侧。主绝缘结构的材料是介电常数小、电阻率高、电导率低的材料，主绝缘结构采用聚醚醚酮，用于降低绝缘介质表面场强。辅助绝缘结构的材料是可变电导材料，辅助绝缘结构在绝缘材料中掺杂金属氧化物获得可变电导材料，用于改善绝缘介质表面电场的不均匀分布，防止局部出现电场高点。
一种具有可调参数绝缘介质高温高压电气贯穿

[实用新型]一种加厚电机绕组槽绝缘结构-CN201220544053.6有效
发明人：张会强;鲁玶;周秦玉;吴朋丽;李建辉 -专利权人：陕西航空电气有限责任公司
申请日： 2012-10-23 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H02K3/34 文献下载
摘要：本实用新型提出一种加厚电机绕组槽绝缘结构，包括槽绝缘结构和槽楔，其特征在于还包括U形槽绝缘结构；在槽绝缘结构和电机铁芯嵌线槽之间设有U形槽绝缘结构，U形槽绝缘结构与槽绝缘结构和电机铁芯嵌线槽紧密贴合；所述U形槽绝缘结构采用绝缘材料。本实用新型通过增加电机绕组槽绝缘结构的厚度来切实有效改善电机定转子绕组的嵌线工艺性，解决电机定转子绕组由于槽绝缘薄弱引起的绕组对铁芯容易电压击穿的工艺性难题，并能够大大提高电机的绝缘抗电强度性能指标和使用寿命
一种加厚电机绕组绝缘结构

[发明专利]半导体发光结构及其制造方法-CN201210224261.2无效
发明人：张源孝 -专利权人：华夏光股份有限公司
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种半导体发光结构包含磊晶结构、第一绝缘结构、第一导体结构、第二绝缘结构及第二导体结构。其中，磊晶结构具有第一接触及第二接触；第一绝缘结构覆盖部分第一接触及部分第二接触；第一导体结构覆盖部分第一绝缘结构，并电性耦合第一接触；第二绝缘结构覆盖部分第一导体结构及部分第一绝缘结构；第二导体结构覆盖部分的第二绝缘结构
半导体发光结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置与其制造方法-CN201310407501.7在审
发明人：蓝国毓 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2013-09-09 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：该半导体装置，包括一绝缘结构。该绝缘结构形成于一沟渠中。该绝缘结构具有一覆盖氧化层与一基底氧化层，该基底氧化层容纳该覆盖氧化层。该绝缘结构的顶面为平面。一氧化工艺将氮自绝缘结构的一顶部移除，使该绝缘结构的顶部具有一平衡的蚀刻速率且绝缘结构的顶部为一平坦的顶面。
半导体装置与其制造方法

[发明专利]集成芯片及其形成方法-CN202111128911.9在审
发明人：刘铭棋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：绝缘结构隐埋在半导体衬底与半导体层之间。绝缘结构具有第一区及第二区。绝缘结构在绝缘结构的第一区中具有第一厚度，且绝缘结构在绝缘结构的第二区中具有与第一厚度不同的第二厚度。
集成芯片及其形成方法

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