专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种双层沟道结构的突触晶体管-CN202010040658.0在审
  • 霍文星 - 天津大学
  • 2020-01-14 - 2020-05-29 - H01L29/10
  • 本发明公开了一种双层沟道结构的突触晶体管,包括衬底,所述衬底上设置有通过栅绝缘层与源电极、漏电极相隔开的栅电极,所述源电极和漏电极在同层间隔设置;所述栅绝缘层与源电极、漏电极之间设置有低电阻沟道层和高电阻沟道层;所述低电阻沟道层位于栅绝缘层与高电阻沟道层之间,所述低电阻沟道层的厚度为3nm‑10nm;所述高电阻沟道层位于低电阻沟道层与源电极、漏电极之间,所述高电阻沟道层的厚度为40nm‑100nm本发明旨在提供一种通过在晶体管内设置高低电阻的双层沟道结构,使晶体管的转移特性曲线中制造出存储窗口,实现仿生突触信号。
  • 一种双层沟道结构突触晶体管
  • [发明专利]绝缘体上硅射频器件及绝缘体上硅衬底-CN201210564175.6有效
  • 李乐;许丹 - 上海宏力半导体制造有限公司
  • 2012-12-21 - 2013-04-03 - H01L27/12
  • 本发明公开了一种绝缘体上硅射频器件及绝缘体上硅衬底,绝缘体上硅射频器件中,在高电阻硅基板的靠近埋入氧化层的表面处设置有凹坑,凹坑内可以填充绝缘物质,这样可以增大高电阻硅基板的等效表面电阻;凹坑内也可以不填充绝缘物质,即凹坑内保持在真空状态或仅填充有空气,这样同样可以增大高电阻硅基板的等效表面电阻,因而能够减少在射频信号作用下高电阻硅基板表面涡流的产生,减少了射频信号的损耗,提高了绝缘体上硅射频器件的射频信号的线性度
  • 绝缘体射频器件衬底
  • [发明专利]绝缘体上硅射频器件及其绝缘体上硅衬底-CN201210564374.7有效
  • 李乐 - 上海宏力半导体制造有限公司
  • 2012-12-21 - 2013-04-10 - H01L27/12
  • 本发明公开了一种绝缘体上硅射频器件及其绝缘体上硅衬底,高电阻硅基板与埋入氧化层之间设置有钝化层,在钝化层的阻挡作用下,在绝缘体上硅射频器件的制作过程、存放过程或使用过程中外界环境中的有害物质不能通过凹坑扩散至埋入氧化层中,因而能够提高绝缘体上硅射频器件的可靠性。所述凹坑设置在高电阻硅基板中并贯穿高电阻硅基板,这样可以增大高电阻硅基板的等效表面电阻,因而能够减少高电阻硅基板表面在射频信号作用下涡流的产生,减少了射频信号的损耗,提高了绝缘体上硅射频器件的射频信号的线性度,凹坑内可以填充有绝缘材料也可以未填充材料。
  • 绝缘体射频器件及其衬底
  • [实用新型]一种电阻测井仪-CN202021565573.6有效
  • 魏秋园;彭伟斌;原波;曹志福 - 北京中地英捷物探仪器研究所有限公司
  • 2020-07-31 - 2021-04-02 - E21B49/08
  • 本实用新型涉及一种电阻测井仪,包括传感器接头、电阻测量组件以及堵头,电阻测量组件的上端与传感器接头连接,下端与堵头连接;电阻测量组件包括绝缘外护管、中心杆、绝缘套以及电极组件;绝缘外护管上设有多个进样孔;中心杆竖直地布置于所述绝缘外护管内,并且中心杆的外壁与绝缘外护管的内壁之间具有空隙;电极组件位于所述绝缘套的中部内,并固定于所述中心杆;绝缘套上设有测量孔,测量孔贯穿绝缘套并连通所述绝缘套与绝缘外护管之间的空隙和电极组件
  • 一种电阻率测井

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