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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]锗硅沟道的形成方法-CN202310615127.3在审
发明人：岳双强;汪韬;李妍;辻直树 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种锗硅沟道的形成方法，提供绝缘体上硅衬底，绝缘体上硅衬底由自下而上的硅层、绝缘体层和薄半导体层组成，在绝缘体上硅衬底上形成垫氧化层以及位于垫氧化层上的硬掩膜层，在硬掩膜层上形成光刻胶层，之后光刻打开光刻胶层使得PMOS区域的硬掩膜层裸露；去除裸露的硬掩膜层及其下方的垫氧化层，使得PMOS区域的绝缘体上硅衬底裸露；在裸露的绝缘体上硅衬底上形成锗硅外延层；利用快速退火使得锗离子扩散至薄半导体层的底部形成锗硅沟道，锗硅外延层的表面形成第一氧化层，锗硅沟道的厚度均匀性位于设置范围内；刻蚀去除硬掩膜层以及所需厚度的第一氧化层。
沟道形成方法

[实用新型]一种高压电源能量耦合装置-CN200520050989.3无效
发明人：蒋家久;张斌;郭知彼 -专利权人：株洲变流技术国家工程研究中心
申请日： 2005-06-02 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01F38/14 文献下载
摘要：一种高压电源能量耦合装置，包括绝缘体，铁心、绝缘层、线圈、安装螺孔、金属套和接线柱，铁心外表面包裹绝缘层，在绝缘层上绕置线圈，由铁心、绝缘层、线圈构成的二次侧线圈组件埋设于所述绝缘体中；安装螺孔预埋于绝缘体的一侧；接线柱的一端预埋于绝缘体的另一侧，线圈的两端分别与一个接线柱相连；绝缘体开有一个贯穿于铁心内框的通孔，金属套嵌入该通孔内壁。它可以实现从低电位向高电位的逻辑电路及其它电路持续提供能量，同时保持高、低电位电气绝缘。
一种高压电源能量耦合装置

[实用新型]一种三相一体穿墙空心绝缘套管-CN202121464200.4有效
发明人：芮文军;于磊 -专利权人：济南富利通电气技术有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01B17/58 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种三相一体穿墙空心绝缘套管，包括绝缘体、等距分布的三个复合绝缘套管、金属屏蔽连接线、固定卡槽和接线端子。所述绝缘体为穿墙空心套管的主体，外部固定有安装结构的固定卡槽，内部有等距分布的三个复合绝缘套管，所述三个复合绝缘套管贯穿绝缘体，复合绝缘套管由外到内分别为外半导层、外屏蔽层、绝缘半导层、均压屏蔽层跟金属屏蔽层组成，复合绝缘套管由金属屏蔽连接线相连接，金属屏蔽连接线由绝缘体一端引出连接接地端子。本实用新型通过设置绝缘半导层、金属导电管和固定卡槽，达到了便于固定绝缘体的效果，避免了使用传统的固定板进行固定，降低了设备成本，提高了设备安装效率。
一种三相一体穿墙空心绝缘套管

[发明专利]一种功率模块及用电设备-CN202211686522.2在审
发明人：兰帅;郭岭;王金城;谭锡毅;蒙天斌;刘洁;叶茂;黄均蓉 -专利权人：深圳麦格米特电气股份有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术领域，尤其涉及一种功率模块及用电设备，用电设备包括功率模块，功率模块包括绝缘层、导电层、功率芯片、绝缘体、温度传感器和电连接件，导电层设置于绝缘层的一侧；功率芯片设置于导电层背离绝缘层的一侧；绝缘体设置于导电层背离绝缘层的一侧；温度传感器设置于绝缘体内；电连接件设置于绝缘体背离绝缘层的一侧，电连接件与温度传感器电连接。本发明实施例的功率模块及用电设备，设置有绝缘体，并将温度传感器设置于绝缘体内，从而缩短温度传感器的安规距离，即能够缩短温度传感器与功率芯片的距离，缩短热传导路径，提高对功率芯片温度检测的精确性，降低检测延迟
一种功率模块用电设备

[实用新型]一种功率模块及用电设备-CN202223592472.X有效
发明人：兰帅;郭岭;王金城;谭锡毅;蒙天斌;刘洁;叶茂;黄均蓉 -专利权人：深圳麦格米特电气股份有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及功率半导体技术领域，尤其涉及一种功率模块及用电设备，用电设备包括功率模块，功率模块包括绝缘层、导电层、功率芯片、绝缘体、温度传感器和电连接件，导电层设置于绝缘层的一侧；功率芯片设置于导电层背离绝缘层的一侧；绝缘体设置于导电层背离绝缘层的一侧；温度传感器设置于绝缘体内；电连接件设置于绝缘体背离绝缘层的一侧，电连接件与温度传感器电连接。本实用新型实施例的功率模块及用电设备，设置有绝缘体，并将温度传感器设置于绝缘体内，从而缩短温度传感器的安规距离，即缩短温度传感器与功率芯片的距离，缩短热传导路径，提高对功率芯片温度检测的精确性，降低检测延迟
一种功率模块用电设备

[发明专利]测试插座-CN201811376927.X有效
发明人：龙德中;申东辉;柳基永;李昇东;全镇国;朴成圭;朴瑛植 -专利权人：爱思开海力士有限公司;奥金斯电子有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：所述测试插座可以包括绝缘体层、聚合物珠和导电粉末。所述绝缘体层可以布置在所述半导体器件与所述测试器之间。所述聚合物珠可以布置在所述绝缘体层的整个表面上。所述导电粉末可以布置在所述绝缘体层中以形成多个组。
测试插座

[发明专利]薄膜晶体管电路及薄膜晶体管电路的制造方法-CN202111287229.4在审
发明人：竹知和重 -专利权人：武汉天马微电子有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：多晶硅层包括多晶硅薄膜晶体管的多晶硅部。第一导体层包括多晶硅薄膜晶体管的第一栅极电极部。第一绝缘体层包括位于第一栅极电极部和多晶硅部之间的第一绝缘体部。氧化物半导体层包括氧化物半导体薄膜晶体管的氧化物半导体部。第二导体层包括氧化物半导体薄膜晶体管的第二栅极电极部。第二绝缘体层包括位于第二栅极电极部与氧化物半导体部之间的第二绝缘体部。第二绝缘体层具有不小于8的相对介电常数。第二绝缘体层的整个区域被第二导体层覆盖。
薄膜晶体管电路制造方法

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN202011036910.7在审
发明人：孙龙勋;金哉勋;朴光浩;郑承宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：公开了半导体存储器件，包括：堆叠结构，包括竖直堆叠在衬底上的多个层，每个层包括半导体图案、在该半导体图案上沿第一方向延伸的栅电极以及电连接到该半导体图案的数据存储元件；多个竖直绝缘体，穿透堆叠结构，该竖直绝缘体沿第一方向布置竖直绝缘体中的每一个包括彼此相邻的第一竖直绝缘体和第二竖直绝缘体。栅电极包括设置在第一竖直绝缘体与第二竖直绝缘体之间的连接部分。
半导体存储器件及其制造方法

[实用新型]一种电气设备房三维纳米绝缘结构-CN202221770175.7有效
发明人：杨烈;吕国芬 -专利权人：江苏科成轨道交通科技有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01B17/56 文献下载
摘要：本实用新型属于绝缘技术领域，公开了一种电气设备房三维纳米绝缘结构，包括：纳米绝缘体，所述纳米绝缘体铺设在混凝土结构层上，所述纳米绝缘体用于电气设备的绝缘；绝缘涂层，所述绝缘涂层喷涂在所述电缆孔中；绝缘封闭层，所述绝缘封闭层位于所述纳米绝缘体的一侧，所述绝缘封闭层用于操作区的绝缘。本实用新型设置有纳米绝缘体、绝缘涂层和绝缘封闭层，从绝缘材料、施工工艺、设备自身、设备安装方式、人员使用、电缆路径等多方面整体考虑，在设备范围的表面区域、宽度、高度、深度立体空间做系统的绝缘，通过专用纳米绝缘材料施工，实现设备安装绝缘；电缆路径入口绝缘、人员接触操作区域绝缘，更可靠的保护人员与设备的安全。
一种电气设备三维纳米绝缘结构

[发明专利]外壳锁紧分离脱落电连接器-CN201510633914.6有效
发明人：陈文华;钟立强;钱萍;杨帆;朱志鹏 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01R13/627 文献下载
摘要：中心拉杆式分离脱落电连接器的锁紧分离机构装在电连接器中心位置，干扰了内部绝缘性能，且不能及时发现锁紧分离机构的故障。本发明的第一层绝缘体和第三层绝缘体穿有插针，第二层绝缘体穿有插孔；第一层绝缘体与第二层绝缘体间设置脱落弹簧；多个锁钩的尾部均与插头外壳形成转动副，头部的钩爪在锁紧状态下钩住插座对应的锁紧销；片弹簧设在锁钩与插头外壳之间本发明增加了绝缘体与接插件的分布空间，外壳对内部绝缘体及接插件的保护作用更加明显。
外壳分离脱落连接器

[实用新型]一种管道用塑料绝缘装置-CN202120457573.2有效
发明人：宫景芝 -专利权人：山东盛达塑胶有限公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01B17/60 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种管道用塑料绝缘装置，包括贴合套设于管道上的内绝缘层，所述内绝缘层外侧同轴设有外绝缘层，且内绝缘层与外绝缘层互相连接，所述外绝缘层内部设有等距排列的柱形绝缘体。本实用新型中，通过设置内绝缘层和外绝缘层，利用其阻隔电荷运动，内绝缘层与管道壁完全贴合，彻底杜绝电荷向管道运动，令管道不具有绝缘死角，从而使管道获得双层绝缘，达到提升绝缘性的效果，通过设置柱形绝缘体，一方面可以辅助提高绝缘性，另一方面，呈环状排列的柱形绝缘体在管道外形成一种减震防护结构，来自外界的冲撞首先会与柱形绝缘体接触，而柱形绝缘体会将撞击大部分的能量进行吸收，从而达到减震保护的效果。
一种管道塑料绝缘装置

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN200780031095.1无效
发明人：大见忠弘;杉谷耕一 -专利权人：国产大学法人东北大学;日本瑞翁株式会社
申请日： 2007-09-21 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体装置和半导体装置的制造方法，在本发明的半导体装置中，在基板上的绝缘体层上设置槽，在该槽中形成栅极电极以使其表面与所述绝缘体层的表面大致平坦。在该栅极电极上经由栅极绝缘膜设置半导体层，使源极电极和漏极电极的至少一个与该半导体层电连接。特别是所述栅极绝缘膜具有：在所述栅极电极上设置的绝缘体涂布膜和在其上形成的绝缘体CVD膜。
半导体装置制造方法

[实用新型]一种基于陶瓷金属化钎焊密封的装配式半导体电嘴-CN202222602099.5有效
发明人：薛继军 -专利权人：西咸新区腾焰燃控科技有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01T13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于陶瓷金属化钎焊密封的装配式半导体电嘴，包括下绝缘体、下壳体、上绝缘体、中心电极和上壳体；上绝缘体和下绝缘体均为管状台阶结构，上绝缘体的小径段插设在下绝缘体的大径段内且之间填充有密封胶层；下绝缘体的底端具有半导体釉层；上绝缘体的内台阶面与中心电极以及上绝缘体的上端面与上壳体均通过陶瓷金属化钎焊连接。本实用新型通过使金属化膏的涂覆位置均位于端面平面，使涂覆后的金属化膏的平整度高，在提高后续钎焊加工的合格率的同时还能保证半导体电嘴的整体气密性效果；且装配式的上绝缘体和下绝缘体能够使陶瓷金属化钎焊工艺和半导体釉烧工艺分隔开来
一种基于陶瓷金属化钎焊密封装配式半导体

[发明专利]体约束的绝缘体上硅半导体器件及其制造方法-CN02827269.2无效
发明人：拜扬·W·民;迈克尔·A·门迪奇诺;莱格·康 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2002-12-12 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：使用绝缘体上硅(SOI)(10，20，40)的集成电路(200)，它的大多数晶体管具有浮置沟道(体)。而一些晶体管的沟道必须连接到预定的偏置电压，以达到所需的操作特性。为了获得需要的偏置电压，SOI衬底(10，20，40)的半导体层(40)中和晶体管栅的扩展区下面设置接触路径(42)。晶体管栅的扩展区与半导体层(40)用绝缘体(52)隔开，绝缘体(52)比大多数晶体管的绝缘体厚，但是最好与典型地用于高压应用的某些厚栅绝缘体器件的绝缘体厚度相同。这种较厚的绝缘体(52)有利于减小电容量，但由于使用了工艺已经需要的绝缘体，所以不需要增加工艺复杂性。
约束绝缘体半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种高压电缆干式分接装置-CN200910214146.5无效
发明人：陈朝晖;吕玉春;黄铭昌;王海鱼 -专利权人：广东吉熙安电缆附件有限公司
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H02G15/18 文献下载
摘要：一种高压电缆干式分接装置，包括有绝缘体(7)，其特征在于：在所述绝缘体(7)内设有导电体(5)，在绝缘体(7)与导电体(5)之间设有应力缓冲层(6)，在绝缘体(7)的外周面上包覆有屏蔽层(8)并置于保护壳(10)内，在保护壳(10)与屏蔽层(8)之间设有防水胶(9)。在导电体(5)上分别设有进线孔(12)和出线孔(13)，在绝缘体(7)的进线锥孔和出线锥孔内设有应力锥(3)，在应力锥(3)的外端面上设有固定在绝缘体(7)上的尾管结构(2)，并通过尾管结构(2)向应力锥
一种高压电缆干式分接装置

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