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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [其他]多层基板-CN202090000532.4有效
  • 天野信之;池本伸郎;马场贵博 - 株式会社村田制作所
  • 2020-06-26 - 2022-05-10 - H05K1/02
  • 多层基板层叠包含第1绝缘体层、第2绝缘体层以及第3绝缘体层的多个绝缘体层，构成传输线路。第1绝缘体层具有相互对置的第1面以及第2面，在第1绝缘体层的第1面形成传输线路的信号导体，第2绝缘体层配置为与第1绝缘体层的第1面相接，第3绝缘体层配置为与第1绝缘体层的第2面相接，第2绝缘体层的介电损耗比第3绝缘体层的介电损耗低，第1绝缘体层和第3绝缘体层的密接强度比第1绝缘体层和第2绝缘体层的密接强度高。
  • 多层
  • [发明专利]信号传输用电缆-CN201811535174.2有效
  • 末永和史;杉山刚博;佐川英之 - 株式会社博迈立铖
  • 2018-12-14 - 2023-06-09 - H01B11/00
  • 本发明的课题是，提供绝缘体层与屏蔽层的密合性高的信号传输用电缆。用于解决课题的方法是，信号传输用电缆具备信号线、被覆前述信号线周围的绝缘体层、以及被覆前述绝缘体层的屏蔽层。前述绝缘体层外周面的氧量A1为前述绝缘体层内部的氧量A2的1.2倍以上。前述绝缘体层外周面的接触角为130°以下。前述绝缘体层外周面的附着润湿表面能为27mJ/m2以上。前述绝缘体层外周面的羟基的量比前述绝缘体层内部的羟基的量多。
  • 信号传输用电
  • [发明专利]层叠线圈部件-CN202011548381.9在审
  • 高井骏;比留川敦夫 - 株式会社村田制作所
  • 2020-12-24 - 2021-06-29 - H01F17/00
  • 本公开提供层叠线圈部件，包含：绝缘体部；线圈，将多个线圈导体层电连接，并被埋设于上述绝缘体部；以及外部电极，与上述线圈电连接，并被设置于上述绝缘体部的表面，上述绝缘体部是层叠有第一绝缘体层以及第二绝缘体层的层叠体，在上述第一绝缘体层上设置有上述线圈导体层以及上述第二绝缘体层，在上述第一绝缘体层与上述线圈导体层之间设置有空隙层，当将上述第一绝缘体层的厚度设为a、上述线圈导体层的厚度设为b、上述空隙层的厚度设为c时
  • 层叠线圈部件
  • [其他]天线元件-CN201690000352.X有效
  • 用水邦明;森田勇 - 株式会社村田制作所
  • 2016-04-21 - 2018-01-12 - H01Q1/38
  • 层叠包括形成有导体图案的绝缘体层的多个绝缘体层，在由这些绝缘体层层叠而构成的层叠体(90)设置有由导体图案(11)构成的天线。多个绝缘体层具有表面构成层叠体的第一主面(PS1)且与多个绝缘体层相接的第一绝缘体层，层叠体(90)具有与层叠的绝缘体层的数目相应的厚壁部以及薄壁部，由导体图案(11)构成的天线形成在第一绝缘体层的表面
  • 天线元件
  • [发明专利]共模噪声滤波器-CN202080046754.4在审
  • 大森吉晴 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2020-07-10 - 2022-02-01 - H01F17/00
  • 共模噪声滤波器具备：包含在上方依序层叠的第1绝缘体层至第4绝缘体层的层叠体；设于层叠体的第1及第2线圈；和设于层叠体的导体层。第1线圈具有：设于第1绝缘体层的下表面的第1旋涡状导体；和设于第2绝缘体层的上表面的第2旋涡状导体。第2线圈具有：设于第1绝缘体层的上表面且隔着第1绝缘体层与第1旋涡状导体对置的第3旋涡状导体；和设于第3绝缘体层的上表面且隔着第3绝缘体层与第2旋涡状导体对置的第4旋涡状导体。导体层设于第4绝缘体层的上表面且隔着第4绝缘体层与第4旋涡状导体对置，并与第1线圈连接。该共模噪声滤波器能减少模变换的发生。
  • 噪声滤波器
  • [发明专利]界定半导体结构的隔离区域的方法-CN201510645162.5有效
  • E·T·瑞安 - 格罗方德半导体公司
  • 2015-10-08 - 2018-10-02 - H01L21/762
  • 举例而言，本方法包括：提供具有凹口于其中的半导体结构；在该半导体结构中的该凹口内保形布置绝缘体层以部分填充该凹口；修改该绝缘体层的至少一种材料特性以在该凹口内获得致密化绝缘体层，其中，与该绝缘体层的厚度相比，该修改缩减该致密化绝缘体层的厚度；以及在该致密化绝缘体层上方于该凹口内沉积至少一个附加绝缘体层，其中，该凹口内的该致密化绝缘体层至少部分界定该半导体结构的隔离区域。
  • 界定半导体结构隔离区域方法
  • [发明专利]发光组件-CN201911343360.0在审
  • 卷圭一 - 东芝北斗电子株式会社
  • 2015-09-18 - 2020-04-28 - H01L33/56
  • 发光组件具备：第1透光性绝缘体、设置于第1透光性绝缘体的表面上的导电电路层、与导电电路层相对配置的第2透光性绝缘体、配置在第1透光性绝缘体与第2透光性绝缘体之间且与导电电路层连接的发光元件、和配置在第1透光性绝缘体与第2透光性绝缘体之间的具有热固性的第3透光性绝缘体。
  • 发光组件
  • [实用新型]一种高强度瓷绝缘子-CN201921378408.7有效
  • 邓国鹏;邓保根 - 江西誉鹏电气集团有限公司
  • 2019-08-23 - 2020-03-27 - H01B17/38
  • 本实用新型公开了一种高强度瓷绝缘子。该种高强度瓷绝缘子包括瓷绝缘体，所述瓷绝缘体两端连接有金属连接件，所述金属连接件设置有内腔，所述瓷绝缘体端部穿设于内腔中，所述金属连接件内底壁固定连接有弹簧，所述弹簧与瓷绝缘体端面抵接，所述金属连接件内侧壁与瓷绝缘体之间设置有胶粘层与缓冲层，所述胶粘层与缓冲层并行排布且胶粘层设置于缓冲层外侧。本实用新型的高强度瓷绝缘子在金属连接件内设置有弹簧，弹簧抵住瓷绝缘体的端部，当瓷绝缘体受到外力冲击时，弹簧会对瓷绝缘体施加缓冲弹力，并且，金属连接件内侧壁与瓷绝缘体之间设置有缓冲层，缓冲层对瓷绝缘体施加横向的缓冲力，增强了瓷绝缘子的抗冲击性能。
  • 一种强度绝缘子
  • [其他]多层基板以及电子设备-CN202190000198.7有效
  • 河野公宗;镰田晃史 - 株式会社村田制作所
  • 2021-01-22 - 2022-10-18 - H01F27/00
  • 一种多层基板，具备：第1绝缘体层，形成有第1线圈图案；第2绝缘体层，形成有第2线圈图案；第3绝缘体层，形成有第3线圈图案；第1端子，形成在第1绝缘体层，与第1线圈图案的一端连接；第1浮置图案，形成在第1绝缘体层，与第1线圈图案不连接；以及第2端子，形成在第3绝缘体层，与第3线圈图案的一端连接，第1绝缘体层、第2绝缘体层、第3绝缘体层依次被层叠，第1线圈图案、第2线圈图案以及第3线圈图案分别依次被电连接
  • 多层以及电子设备
  • [发明专利]半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法-CN202210172593.4在审
  • 栗林源;小林茂树 - 铠侠股份有限公司
  • 2022-02-24 - 2023-03-21 - H10B41/35
  • 实施方式的半导体存储装置具有积层体与第1～第5绝缘体。积层体具有沿第1方向积层的多个第1导电层、第1导电层下方的第2导电层及第1导电层上方的第3导电层。第1绝缘体及第2绝缘体贯通积层体，且沿与第1方向交叉的第2方向延伸。第1绝缘体将多个第1导电层、第2导电层及第3导电层在与第1方向及第2方向交叉的第3方向上分断。第3绝缘体位于第1绝缘体与第2绝缘体之间，沿第2方向延伸，且将多个第1导电层、第2导电层及第3导电层在第3方向上分断。第4绝缘体及第5绝缘体设置在相邻的第3绝缘体间，且沿第1及第2方向延伸。第4绝缘体及第5绝缘体分别将第2导电层及第3导电层的各个在第3方向上分断。
  • 半导体存储装置制造方法
  • [发明专利]电子部件-CN201710740981.7有效
  • 大仓辽;胜田瑞穗;石田康介 - 株式会社村田制作所
  • 2017-08-25 - 2020-10-23 - H01F17/00
  • 电子部件具备：主体，包括在层叠方向上层叠的多个绝缘体层；1次线圈，配置于主体内，包括1个以上的1次线圈导体层；2次线圈，配置于主体内，包括1个以上的2次线圈导体层；以及3次线圈，配置于主体内，包括1个以上的3次线圈导体层。多个绝缘体层包括：第一绝缘体层，包括由1次线圈导体层与2次线圈导体层所夹持的部分；第二绝缘体层，包括由2次线圈导体层与3次线圈导体层所夹持的部分；以及第三绝缘体层，包括由3次线圈导体层与1次线圈导体层所夹持的部分，存在第一绝缘体层、第二绝缘体层以及第三绝缘体层中的、与其他绝缘体层的介电常数不同的绝缘体层。
  • 电子部件
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