专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构及其制作方法、存储器系统-CN202210870139.6在审
  • 颜丙杰 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2022-07-22 - 2022-10-21 - H01L21/8242
  • 本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法、存储器系统,所述方法包括:提供第一绝缘层,所述第一绝缘层中形成有至少一个第一材料;去除所述第一绝缘层,暴露出所述第一材料的侧壁;对所述第一材料的侧壁进行刻蚀处理,形成第二材料;所述第二材料在第一方向上的宽度小于所述第一材料在所述第一方向上的宽度;所述第一方向与所述第一材料的延伸方向垂直;形成介质层以及第一电极;所述介质层覆盖所述第二材料的侧壁,所述第一电极覆盖所述介质层的侧壁
  • 半导体结构及其制作方法存储器系统
  • [发明专利]真空断路器及其制备方法-CN201610407271.8在审
  • 王星荣;王新武 - 福建省三星电气股份有限公司
  • 2016-06-09 - 2016-08-10 - H01H33/66
  • 本发明提供一种真空断路器及其制备方法,真空断路器包括固封极、连接于固封极下方的操作机构箱、连接于固封极上端的上接线端子、连接于固封极下方的下接线端子、连接于操作机构箱底部的绝缘支柱,固封极包括圆柱形绝缘壳体、设置于绝缘壳体内的真空灭弧室,绝缘壳体的侧壁内设置有螺旋状的冷凝导流管,冷凝导流管的两端分别伸出绝缘壳体,冷凝导流管的一端连接冷却介质入口,冷凝导流管的另一端连接冷却介质出口,真空灭弧室外套设有柔性外套,绝缘壳体与柔性外套之间设置有定位结构,柔性外套外侧涂覆有润滑油脂,散热效果好,避免出现安全故障。
  • 真空断路器及其制备方法
  • [发明专利]制备微纳米发光二极管的方法-CN201210579063.8无效
  • 安铁雷;孙波;孔庆峰;魏同波;段瑞飞 - 中国科学院半导体研究所
  • 2012-12-27 - 2013-04-03 - H01L33/20
  • 本发明提供了一种制备微纳米发光二极管的方法。该方法包括:在发光二极管外延片上制作微纳米尺度的周期结构图形掩模;采用物理刻蚀的方式,将周期结构图形掩模转移至发光二极管外延片,形成微纳米;在发光二极管外延片上微纳米的间隙填充中间绝缘介质;去除发光二极管外延片上周期结构图形掩模,以及在填充中间填充绝缘介质的发光二极管外延片上制作电极,形成微纳米发光二极管。本发明采用周期性的图形化掩模,刻蚀得到相同大小的结构空隙,从而在填充绝缘介质时,尽可能的保证绝缘介质的填充均匀,从而解决了正反向漏电大的技术问题。
  • 制备纳米发光二极管方法
  • [实用新型]一种沟槽栅超结功率半导体器件-CN202123268709.4有效
  • 朱袁正;叶鹏;周锦程;杨卓 - 无锡新洁能股份有限公司
  • 2021-12-23 - 2022-05-24 - H01L29/06
  • 本实用新型涉及半导体技术领域,具体公开了一种沟槽栅超结功率半导体器件,其中,包括:第一导电类型衬底、第一导电类型外延层以及第一导电类型和第二导电类型,第一导电类型和第二导电类型交替设置;第一导电类型源区和第二导电类型体区;第一类沟槽,内填充第一类导电多晶硅;第二类沟槽,内填充第二类导电多晶硅;绝缘介质层;源极金属,设置在绝缘介质层的上方,源极金属通过绝缘介质层内的第一类通孔与第二导电类型体区、第一导电类型源区以及第二导电类型之间欧姆接触;第二类通孔和第三类通孔,均设置在绝缘介质层内。
  • 一种沟槽栅超结功率半导体器件
  • [发明专利]全密封串联电抗器-CN96118707.7无效
  • 李志刚 - 合阳电力电容器制造有限责任公司
  • 1996-06-20 - 1998-01-07 - H01F30/08
  • 本发明是一种用于电力枢纽变电所的油浸式铁芯串联电抗器,它是一种由油箱、瓷套、绝缘介质油、绝缘板、电抗器组成的全密封串联电抗器,它的瓷套焊接在油箱上,油箱的前后板是波纹板,起散热和介质膨胀扩展作用,箱体里装有十二烷基苯绝缘介质油,电抗器浸泡在绝缘介质油里,电抗器铁芯整体浸有绝缘清漆,在电抗器上下铁轭的端面装有胶木绝缘板及铁芯拉紧螺杆直接用来压紧铁芯
  • 密封串联电抗
  • [实用新型]谐振式介质腔中波发射天线-CN200620108887.7无效
  • 崔志民;杨政选 - 崔志民
  • 2006-10-24 - 2007-12-05 - H01Q9/16
  • 本实用新型涉及一种谐振式介质腔中波发射天线,它属于无线发射设备。该谐振式介质腔中波发射天线包括碗状顶盘、绝缘支撑介质筒、垂直杆体、加载线圈、天线基础和调配网络,碗状顶盘安装在绝缘支撑上,绝缘支撑安装在介质筒上,介质筒固定在天线基础上,碗状顶盘底部设有十字架,本实用新型提供了一种设计合理、结构简单、勿需占用耕地,高效率、免维护,能与广播发射机配套使用的谐振式介质腔中波发射天线。
  • 谐振介质中波发射天线
  • [实用新型]局部放电感应器-CN201520778654.7有效
  • 孙晓凡;罗涛 - 四川菲博斯科技有限责任公司
  • 2015-10-09 - 2016-01-13 - G01R31/12
  • 其包括面板、树脂绝缘板、感应电极、连接头和橡胶圈,树脂绝缘板固定在面板的一端面上,感应电极包括介质基板、金属贴片和馈电介质基板固定在树脂绝缘板上,金属贴片贴设在介质基板的上表面,馈电固定在介质基板中,面板上设有螺孔,连接头上设有螺纹,连接头位于面板的另一端面上并与面板螺纹连接,连接头的端部设有传输导体,传输导体穿过面板并通过树脂绝缘板中的传输线与金属贴片电连接,树脂绝缘板上缠绕有锡纸,锡纸不与金属贴片和传输导体接触,橡胶圈夹装在面板和树脂绝缘板之间,传输导体位于橡胶圈内。
  • 局部放电感应器
  • [发明专利]存储器装置及其制造方法-CN201510810436.1在审
  • 徐准浩;姜大雄;方孝济;李昌燮;许星会 - 三星电子株式会社
  • 2015-11-20 - 2016-06-01 - H01L27/115
  • 本发明提供了一种存储器装置及其制造方法,该存储器装置包括:堆叠件,其包括竖直地堆叠在衬底上的栅电极,并且具有竖直孔;有源,其设置在竖直孔中,并且提供竖直沟道;电荷存储部分,其介于有源与栅电极之间;阻挡电介质,其介于电荷存储部分与栅电极之间;隧道电介质,其介于电荷存储部分与有源之间;绝缘体,其填充有源的内孔;以及固定电荷层,其介于填充绝缘体与有源之间。采取手段解决了其中电流原本会在竖直沟道与填充绝缘体之间的界面附近被不利地影响的现象。
  • 存储器装置及其制造方法
  • [发明专利]一种上开关生产用检测系统-CN202211059307.X有效
  • 崔永;王晓磊;耿凯;陈雨;郑文灵;张峰;荣庆玉 - 山东汇能电气有限公司
  • 2022-09-01 - 2022-11-29 - G01R31/327
  • 本发明公开了一种上开关生产用检测系统,涉及开关检测技术领域,包括服务器,服务器通讯连接有开关机械特性检测单元、介质绝缘特性检测单元、分场景试运行单元、试运行检测单元,将上开关的机械特性进行监测,判断上开关的最基础性能是否合格,以至于保证上开关的生产合格率,提高上开关使用的工作效率,防止上开关在使用过程中其机械特性无法满足实时需求,造成不必要的事故产生;将通过机械特性检测的分析对象进行绝缘介质特性检测,判断分析对象对应绝缘介质特性是否合格
  • 一种开关生产检测系统
  • [发明专利]高压发生装置以及医疗器械-CN202310108960.9在审
  • 罗标;祝国平;李海波 - 上海联影医疗科技股份有限公司
  • 2023-02-13 - 2023-04-18 - H01F27/28
  • 其中,高压发生装置包括高压变压器,置于所述高压发生装置内的液体绝缘介质中,所述高压变压器包括至少一个原边绕组、多个副边绕组以及至少一个磁;其中,所述原边绕组和所述多个副边绕组均套设在磁上,不同的原边绕组套设在不同的磁上,不同的副边绕组之间层叠设置,以使所述液体绝缘介质在不同的副边绕组之间流通,有利于注入液体绝缘介质时的排气,避免残留气泡导致绝缘结构击穿,还可以将高压发生装置内部产生的热量及时带出,提高了散热效率和长时间工作的可靠性
  • 高压发生装置以及医疗器械

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