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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]低温线圈组件的加工方法、低温线圈组件及磁共振设备-CN202210424811.9在审
发明人：余泽;武启;王伟东 -专利权人：武汉联影生命科学仪器有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G01R33/34 文献下载
摘要：该方法包括：采用3D打印的方式在导冷体上打印形成第一交叠部分；在第一交叠部分上形成绝缘层；采用3D打印的方式在绝缘层上打印形成第二交叠部分。第一交叠部分与第二交叠部分能够被绝缘层隔开以防止短路，进而能满足多通道射频线圈中相邻两个线圈单元交叠去耦的设计需求；而且，低温环境中的冷量通过导冷体能迅速传导至第一交叠部分并经第一交叠部分和绝缘层传导至第二交叠部分，进而能迅速对第一交叠部分和第二交叠部分制冷。采用上述方法加工低温线圈组件，在满足多通道射频线圈中交叠去耦的设计需求的基础上，能提高多通道射频线圈的制冷效率。
低温线圈组件加工方法磁共振设备

[发明专利]显示装置-CN201710412650.0有效
发明人：全映宰;刘一;金承来;金春燕;朴钒首;朴宰贤;李尚柱;玄慧媛 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：该显示装置包括：基底；栅导体，直接设置在基底上并包括栅线和栅电极；栅绝缘层，设置在栅导体上并包括交叠栅导体的交叠部分以及连接到交叠部分、不交叠栅导体并与基底间隔开的非交叠部分；以及半导体图案，设置在栅绝缘层上并交叠栅电极，其中栅绝缘层的边缘比栅导体的边缘和半导体图案的边缘进一步突出。
显示装置

[发明专利]阵列基板及其制备方法-CN202111597068.9在审
发明人：卢马才 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：所述阵列基板包括第一走线层、第二走线层、绝缘膜层以及空气层。所述阵列基板具有交叠区，所述第一走线层和所述第二走线层在所述交叠区中交叠。所述空气层设于所述第一走线层与所述第二走线层之间的绝缘膜层中，并位于所述交叠区中。由于所述空气层的介电常数低于所述绝缘膜层的介电常数，从而降低交叠区中第一走线层与第二走线层之间膜层的电介质常数，进而降低交叠的走线之间所产生的寄生电容。
阵列及其制备方法

[发明专利]显示面板及显示装置-CN202211379701.1在审
发明人：余成丽;柴立 -专利权人：苏州华星光电技术有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：所述显示面板包括基板、第一金属层、绝缘层、第二金属层、第二绝缘层以及多个支撑柱。所述第一金属层设于所述基板上，并沿第一方向延伸。所述绝缘层设于所述基板上，并覆盖所述第一金属层。所述第二金属层设于所述绝缘层远离所述第一金属层的一表面上，并沿与所述第一方向相交的第二方向延伸。所述第二绝缘层设于所述第二金属层上。所述支撑柱设于所述第二绝缘层远离所述第二金属层的一表面上。所述第一金属层与所述第二金属层互相交叠设置，并在交叠处形成交叠区，至少部分所述支撑柱位于所述交叠区中。
显示面板显示装置

[发明专利]半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法-CN202011237281.4在审
发明人：金在泽;郑蕙英 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：该半导体存储器装置包括：绝缘膜，其穿过虚设源极结构；第一虚设叠层，其延伸以与绝缘膜和虚设源极结构交叠，并且包括与绝缘膜交叠的凹陷部；电阻膜，其与第一虚设叠层的凹陷部交叠；以及第二虚设叠层，其设置在第一虚设叠层上以覆盖电阻膜
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]布线结构、衣物及布线方法-CN201610963179.X在审
发明人：王键强 -专利权人：浙江华尔纺织科技有限公司
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种布线结构、衣物及布线方法，所述布线结构包括织物本体和设置在织物本体上的多条第一导线和多条第二导线，所述第一导线和所述第二导线之间相互交叠，至少在所述交叠处，所述第一导线和所述第二导线之间设置有绝缘层，至少在所述交叠处，所述第一导线和所述第二导线外表面呈导电状态；所述绝缘层包括覆盖交叠中心的第一绝缘部分和环绕所述第一绝缘部分的第二绝缘部分，所述第一绝缘部分和所述第二绝缘部分通过可分离结构连接。
布线结构衣物方法

[发明专利]阵列基板制造方法、阵列基板和显示装置-CN201510076792.5有效
发明人：邹志翔;杨成绍;黄寅虎 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：所述方法包括：在基板上形成厚度为d的金属图案；在形成金属图案的基板上形成绝缘膜层，绝缘膜层与金属图案存在交叠区域，绝缘膜层的交叠区域与绝缘膜层的其它区域的高度差的绝对值小于d；在形成绝缘膜层的基板上形成半导体层以及源漏金属层图案本发明通过使绝缘膜层的交叠区域与绝缘膜层的其它区域的高度差的绝对值小于d，继而在形成绝缘膜层的基板上形成的其他图案的起伏相应减小，达到了能够减小绝缘膜层上形成的走线的断线率，提高产品良率的效果。
阵列制造方法显示装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510091426.3有效
发明人：池田和人 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-08-11 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，其以制作的第二栅极绝缘膜的端部交叠在制作的第一栅极绝缘膜的端部上的方式进行图案化。然后，在第一和第二栅极绝缘膜彼此部分交叠的状态下，进行表面复原处理。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]显示面板及阵列基板-CN201921783228.7有效
发明人：李盼;吴新银 -专利权人：北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该阵列基板包括第一金属层、绝缘层和第二金属层。第一金属层包括至少一个第一导线，第一导线具有交叠段以及连接于交叠段两端的连接段，且交叠段的延伸方向和连接段的延伸方向不同；绝缘层覆盖于第一金属层，且绝缘层对应于第一导线的区域为向背离第一金属层的方向凸起的凸棱；第二金属层设于绝缘层背离第一金属层的一侧，且包括至少一个第二导线，第二导线在凸棱对应于交叠段的区域与凸棱相交。
显示面板阵列

[发明专利]具有改善的可制造性的显示基板-CN201710356073.8在审
发明人：朴承铉;宋俊昊;宋溱镐;李宰学 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：显示基板包括设置在基底上的栅电极；设置在基底上并且覆盖栅电极的栅绝缘层；设置在栅绝缘层上并且交叠栅电极的半导体层；设置在半导体层上并且连接到半导体层的源电极和漏电极；设置在栅绝缘层上、连接到漏电极、并且从漏电极延伸的像素电极；与像素电极绝缘并且交叠像素电极的公共电极；以及设置在栅绝缘层和像素电极之间的半导体图案，半导体图案交叠像素电极。
具有改善制造显示

[发明专利]用于锂二次电池的电极、制备该电极的方法及包括该电极的锂二次电池-CN201980007285.2在审
发明人：朴成哲;李应周;郑求胜 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明提供一种用于锂二次电池的电极，该电极包括：电极集流器；电极活性材料层，该电极活性材料层形成在电极集流器上；以及绝缘层，该绝缘层形成在电极集流器上并且在部分区域中与电极活性材料层交叠。这里，当电极活性材料层与绝缘层不交叠的区域中的电极活性材料层的厚度为d1，并且电极活性材料层与绝缘层不交叠的区域中的绝缘层的厚度为d2
用于二次电池电极制备方法包括

[发明专利]触控显示面板、触控显示面板的制作方法及显示装置-CN202310064125.X在审
发明人：赵江托;宋杉 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：阵列基板具有凸起；触控模组设置于阵列基板上且包括层叠设置的衬底层和金属层组；衬底层与凸起在阵列基板的正投影交叠的部分具有第一厚度，衬底层未与凸起在阵列基板的正投影交叠的部分具有第二厚度，第一厚度小于第二厚度；和/或金属层组包括金属层和绝缘层，绝缘层在阵列基板的正投影与凸起在阵列基板的正投影至少部分交叠，且绝缘层与凸起在阵列基板的正投影交叠的部分具有第三厚度，绝缘层未与凸起在阵列基板的正投影交叠的部分具有第四厚度
显示面板制作方法显示装置

[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示装置-CN202110848937.4在审
发明人：李然;田宏伟;李良坚 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该显示基板包括：第一晶体管包括第一栅极、第一有源部和第一栅绝缘部；第一栅绝缘部设置在第一栅极和第一有源部之间、且沿垂直于衬底的方向至少与第一栅极交叠；第二晶体管包括第二栅极、第二有源部和第二栅绝缘部；第二栅绝缘部设置在第二栅极和第二有源部之间、且沿垂直于衬底的方向至少与第二栅极交叠；第一晶体管的第一栅绝缘部中沿垂直于衬底的方向与第一栅极交叠的部分的厚度，小于至少一个第二晶体管的第二栅绝缘部中沿垂直于衬底的方向与第二栅极交叠的部分的厚度。
一种显示及其制作方法显示装置

[发明专利]阵列基板和阵列基板的制作方法-CN201710191400.9有效
发明人：莫英华;曹兆铿 -专利权人：上海天马微电子有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：阵列基板包括设置在衬底基板上的栅极、公共电极、栅绝缘层、钝化层和像素电极；栅极包括第一透明电极和第一金属电极，公共电极包括第三透明电极，第一金属电极位于第一透明电极远离衬底基板的一侧，第一透明电极和第三透明电极位于同一层，栅绝缘层覆盖栅极，栅极与公共电极彼此绝缘；钝化层覆盖公共电极，像素电极位于钝化层远离衬底基板的一侧，公共电极和像素电极在彼此交叠的区域与栅绝缘层不相交叠；漏极与像素电极电连接。按照本申请的方案，通过设置公共电极和像素电极在彼此交叠的区域与栅绝缘层不交叠，从而减少了两电极之间的绝缘层数量，增强了两电极之间的横向电场强度。
阵列制作方法

[发明专利]阵列基板和阵列基板的制作方法-CN201710191525.1有效
发明人：莫英华;曹兆铿 -专利权人：上海天马微电子有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：阵列基板包括设置在衬底基板上的栅极、像素电极、栅绝缘层、钝化层和公共电极；栅极包括第一透明电极和第一金属电极，像素电极包括第三透明电极，第一金属电极位于第一透明电极远离衬底基板的一侧，第一透明电极和第三透明电极位于同一层，栅绝缘层覆盖栅极，栅极与像素电极彼此绝缘；钝化层覆盖像素电极，公共电极位于钝化层远离衬底基板的一侧，公共电极和像素电极在彼此交叠的区域与栅绝缘层不相交叠；漏极与像素电极电连接。按照本申请的方案，通过设置公共电极和像素电极在交叠的区域与栅绝缘层不交叠，从而减少了两电极之间的绝缘层数量，增强了两电极之间的横向电场强度。
阵列制作方法

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