专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]混凝土均一-CN202221779315.7有效
  • 刘保权;赵贵英;瞿婧晶;赵庆华;张学文;谷立宁;陈志 - 衡橡科技股份有限公司
  • 2022-07-11 - 2022-11-15 - E04G21/02
  • 本实用新型涉及混凝土输送装置,具体地说是种混凝土均一器,包括连接法兰盘、缓冲料仓及传输带,缓冲料仓及传输带均为中空结构,缓冲料仓的端与连接法兰盘固接,缓冲料仓的另端设有传输带,传输带的内部与缓冲料仓的内部相连通;缓冲料仓为变径结构,传输带为扁平状,传输带端面的两端为圆弧状,中间为方形开口,圆弧的弧长大于开口的宽度;混凝土中不同下落速度的材料进入缓冲料仓,在缓冲料仓的变径结构处富集集中后再经传输带传输。本实用新型将混凝土较高的下落空间分成多个下落单元,每个下落单元中的缓冲料仓将不同下落速度的材料进行富集集中后再传输,有效地解决了分离现象,提高了混凝土最终均一稳定性。
  • 混凝土均一
  • [发明专利]均一孔径滤膜的制备方法-CN201510919814.X在审
  • 张继中 - 东南大学
  • 2015-12-11 - 2016-03-02 - B01D67/00
  • 本发明公开了均一孔径滤膜的制备方法是将均一尺寸的中空或者核壳结构纤维通过取向组装、切割及后续处理而规模化制备均一孔径滤膜从而促进滤膜材料的推广应用。滤膜由于在生产、生活的物质分离领域的广泛应用价值而受到人们的高度关注,然而目前的滤膜材料却由于存在孔径不均一而难以精确分离不同尺寸包括生物大分子及纳米颗粒从而影响其进步的推广应用。为此,本申请将易于获得的均一尺寸中空或者核壳结构纤维与取向组装、固定、切割、后处理工艺结合以期批量制备孔径均一的滤膜材料并为纳米颗粒的精确分离及滤膜的进步推广应用尽绵薄之力。
  • 一种均一孔径滤膜制备方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010585384.3有效
  • 周飞 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2020-06-24 - 2023-09-12 - H01L21/336
  • 种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底包括衬底和位于衬底上的第掺杂层;在第掺杂层上形成牺牲材料层形成牺牲材料层的工艺窗口较大,易精准控制牺牲材料层的厚度,且形成牺牲材料层的厚度均一性较高,刻蚀牺牲材料层,形成牺牲层,牺牲层的厚度较为精准,且牺牲层的厚度均一性较高,去除牺牲层后,在功函数层和衬底之间形成隔离槽,在衬底表面法线方向上,隔离槽的尺寸满足工艺需求,且隔离槽各处的尺寸均一性较高,使得形成在隔离槽中的隔离层的厚度满足工艺要求,且隔离层的厚度均一性较高,所述隔离层电隔离的能力的均一性高,有利于提高半导体结构的电学性能以及性能均一性。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [实用新型]均一铺层结构的真空灌注系统-CN201020138153.X有效
  • 闫文娟;刘伟超;代海涛;秦明 - 国电联合动力技术有限公司
  • 2010-03-19 - 2010-11-03 - B29C70/34
  • 本实用新型公开了种非均一铺层结构的真空灌注系统,它包括在模具中非均一性铺层表面铺设的多类型导流网,每类型网分别对应均一的铺层,使得各导流网和相应铺层的组合对胶液的渗透能力相等;在导流网上方布置有导流管,导流管通过进胶盘连通进胶管;在远离且低于导流管的位置设置有溢流管,溢流管通过抽气盘连通抽气管,抽气管上连接真空泵和压力表;在导流网、导流管和溢流管的上方罩扣有至少层真空袋,真空袋的边缘与模具密封,进胶盘和抽气盘穿透过真空袋与所述进胶管本系统通过多类型导流网的组合使用,可均衡导流速度和导流进程,达到制品零缺陷、缩短灌注时间的目的,特别适用于风机叶片等大型非平面结构的制造。
  • 均一结构真空灌注系统
  • [发明专利]音量均一化处理-CN201680048972.5有效
  • 马克·大卫·德布勒 - 杜比实验室特许公司
  • 2016-08-17 - 2021-11-23 - H03G5/00
  • 种计算设备中的方法,该计算设备被配置成通过对输入音频数据至少应用个或更多个滤波器来对该输入音频数据执行音量均一化处理,该计算设备被配置成:获得目标输出响度级和与输入音频数据相关联的响度级之间的估计差,并且基于估计差来适配个或更多个滤波器的滤波器系数。该方法包括开始或停止音量均一化处理。该方法包括:响应于获得开始或停止音量均一化处理的指示,逐渐增大或减小应用于估计差的权重。
  • 音量均一处理
  • [发明专利]种半导体结构及其形成方法-CN201910795479.5在审
  • 王楠 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2019-08-27 - 2021-03-05 - H01L29/423
  • 本发明实施例提供种半导体结构及其形成方法,所述方法在基底上形成第初始栅电极结构后,刻蚀所述第初始栅电极结构的底部侧壁,使第初始栅电极结构形成第栅电极结构,所述第栅电极结构底部的基底中具有第沟道区,在沿所述第沟道区的长度方向上,所述第栅电极结构的底部尺寸小于顶部尺寸。由于第初始栅电极结构在第沟道区的长度方向上的尺寸相对较大,因此在形成第初始栅电极结构的过程中,能够较好的控制第初始栅电极结构的尺寸均一性。而第栅电极结构由刻蚀第初始栅电极的底部侧壁而形成,因此形成的第栅电极结构的尺寸均一性较好,从而提高了器件的尺寸均一性,进而提高了器件的性能均一性。
  • 一种半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]均一结构面抗剪强度取值方法-CN200610049592.1无效
  • 杜时贵;胡晓飞 - 浙江建设职业技术学院
  • 2006-02-24 - 2006-08-09 - G01N19/00
  • 本发明涉及种非均一结构面抗剪强度取值方法,包含以下顺序步骤:在选取的结构面试样上标定试验方向,使结构面试样和原位岩体结构面的粗糙度系数测量方向保持致;根据确定的试验方向,对结构面试样进行粗糙度系数定向统计测量,求得第i个试样的粗糙度系数特征值JRC0i;在原位岩体结构面上,沿标定的方向,按照结构面试样的长度均匀地布置不少于30条的测量线段,进行粗糙度系数的定向统计测量,求得试样尺寸的原位岩体结构面粗糙度系数特征值GIF" wi="527" he="149" />;最后由公式,即可求得试样尺寸的原位岩体结构面抗剪强度
  • 均一结构面抗剪强度方法

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