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[发明专利]ALD方法和设备-CN202211632706.0在审
发明人： T·马利南;J·科斯塔莫;W-M·李;T·皮尔维 -专利权人：皮考逊公司
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开涉及ALD方法和设备。一种方法包括执行包括至少一个沉积循环的原子层沉积序列，每个循环产生沉积材料的单层，沉积循环包括将至少第一前体物种和第二前体物种引入到反应室中的衬底表面，其中所述第一和第二前体物种两者同时以气相存在于所述反应室中。本发明还涉及一种具有反应室(210)、金属前体源(41)和处理气体源(40)的设备。本发明的目的是实现快速原子层沉积和降低的所需的处理温度。
ald 方法设备

[发明专利]用于原子层沉积的设备和方法-CN202210796558.X在审
发明人： N·霍尔姆;J·科斯塔莫;T·马利南;M·普达斯 -专利权人：皮考逊公司
申请日： 2016-09-16 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种用于原子层沉积ALD的方法，其中，致动器布置被配置为接收一批衬底，并且通过第一装载锁(220)将衬底水平地传送到真空腔室(310)中，并且将真空腔室(310)内的衬底降低到反应腔室(420)中，从而利用盖(410)关闭反应腔室。
用于原子沉积设备方法

[发明专利]用于原子层沉积的设备和方法-CN201680089182.1有效
发明人： N·霍尔姆;J·科斯塔莫;T·马利南;M·普达斯 -专利权人：皮考逊公司
申请日： 2016-09-16 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种用于原子层沉积ALD的系统和方法，其中，致动器布置被配置为接收一批衬底，并且通过第一装载锁(220)将衬底水平地传送到真空腔室(310)中，并且将真空腔室(310)内的衬底降低到反应腔室(420)中，从而利用盖(410)关闭反应腔室。
用于原子沉积设备方法

[发明专利]均一沉积-CN201780089178.X有效
发明人： T·马利南;J·科斯塔莫;M·普达斯 -专利权人：皮考逊公司
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：基板处理装置的反应室包含反应空间。至少三个侧向化学物入口各自从不同的方向指向反应空间的中心区域，至少三个侧向化学物入口中的每个侧向化学物入口提供第一前体化学物到反应空间的独立可关闭路线。
均一沉积

[发明专利]衬底背面保护-CN201980097825.0在审
发明人： N·霍尔姆;J·科斯塔莫;M·普达斯 -专利权人：皮考逊公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：一种衬底处理装置，包括：衬托器，具有支撑接口以接纳衬底；支撑部件，具有支撑接口；移动设备，用于移动衬托器以使衬底与支撑部件的支撑接口接触，并且用于进一步移动衬托器以将衬底从衬托器的支撑接口分离；以及入口，用于提供流入衬底和支撑部件之间的空间中的保护流体，以及相关方法。
衬底背面保护

[发明专利]衬底处理方法和装置-CN201980097032.9在审
发明人： J·科斯塔莫;M·普达斯;T·马利南 -专利权人：皮考逊公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种方法和衬底处理装置(100)，包括竖直流反应室(130)、在反应室(130)的水平中央区域处的导流部件(110，310)和衬底支撑件(120，220)，衬底支撑件(120，220)位于导流部件(110，310)下方，并且导流部件(110，310)迫使竖直流(115，315)从导流部件(110，310)上方绕过导流部件(110)向下流向衬底支撑件(120)。
衬底处理方法装置

[发明专利]多孔入口-CN201980097108.8在审
发明人： M·普达斯;J·科斯塔莫 -专利权人：皮考逊公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种衬底处理装置(100,800)，包括：反应室(130)，具有入口开口(121,821)；进料线(101)，经由入口开口(121,821)将反应性化学品提供到反应室(130)中；进气流动控制部件(105,805)，在进料线(101)中，进料线(101)从流动控制部件(105,805)延伸到反应室(130)，在流动控制部件(105,805)与反应室(130)之间的该部分中的进料线(101)是具有气体可渗透壁的入口管(111,811)的形式，具有气体可渗透壁的入口管(111,811)通过至少部分地围绕入口管(111,811)的容积朝向入口开口(121,821)延伸；并且装置(100,800)被配置为提供流体以围绕并且进入在所述部分中的入口管(111,811)。
多孔入口

[发明专利]不粘涂层及其制造方法-CN202010231181.4在审
发明人：吴晓鹏;J·科斯塔莫;N·奥克萨拉 -专利权人：皮考逊公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： A61F2/07 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及不粘涂层及其制造方法。一种医疗支架，包括可挤压和可扩展的管状线网以及沉积在线网的表面上的防粘原子层沉积涂层。一种用于制造医疗支架的方法，包括：获取可挤压和可扩展的(即，可变形的)管状线网；以及在线网的表面上沉积防粘原子层沉积涂层，以防止线网在从挤压形式扩展到完全扩展形式时，与其自身粘连。
涂层及其制造方法

[发明专利]用ALD涂层保护中空体的内部-CN201480076747.3有效
发明人： J·科斯塔莫;T·马利南;V·萨姆梅尔赛格;J·阿里科;L·阿里科 -专利权人：皮考逊公司
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供一种用于保护中空体内部(410)的装置和方法，其中入气和排气歧管包括能够附接到中空体的开口(411)的端口组件，通过经所述端口组件和所述开口将反应气体顺序地引入到中空体内部中来将中空体内部暴露于顺序自饱和表面反应，并且经所述开口和所述端口组件将过量气体从中空体泵出。技术效果是：共形的保护性涂层；仅涂覆中空体的内侧；以及减少清洁周围的室的需要。
ald 涂层保护中空内部

[发明专利]用ALD涂层保护气体容器的内部-CN201480076746.9有效
发明人： V·萨姆梅尔赛格;J·科斯塔莫;W·拜尔;J·阿里科;L·阿里科;S·林德弗斯;P·亚当;J·波蒂艾宁 -专利权人：皮考逊公司
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供一种用于保护气体容器内部(410)的装置和方法，其中入气和排气歧管包括能够附接到气体容器的端口(411)的端口组件，通过经所述端口组件和所述端口将反应气体顺序地引入到气体容器内部中来将气体容器内部暴露于顺序自饱和表面反应，并且经所述端口和所述端口组件将反应残余物从气体容器泵出。技术效果是：共形的保护性涂层；仅涂覆气体容器的内侧；以及减少清洁周围的室的需要。
ald 涂层保护气体容器内部

[发明专利]电设备中的导热ALD涂层-CN201580077953.0在审
发明人： J·科斯塔莫;T·勒托;M·卡里亚;O·哈梅诺亚;J·萨尔米南 -专利权人：皮考逊公司
申请日： 2015-03-17 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种用于在衬底(20)的表面上提供导热涂层(60)的方法，以及一种导热涂层，包括通过ALD来沉积第一材料的至少一个薄的连续层；其中第一材料具有比衬底低的热导率。电子部件(50)产生热量，该热量通过声子被传递到导热涂层并耗散。
设备中的导热 ald 涂层

[发明专利]具有等离子体源的原子层沉积-CN201180069858.8有效
发明人： V·基尔皮;W-M·李;T·马利南;J·科斯塔莫;S·林德弗斯 -专利权人：皮考逊公司
申请日： 2011-04-07 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种方法，所述方法包括操作等离子体原子层沉积反应器，所述反应器被构造成在反应室（335）中在至少一个基材（360）上通过顺序的自饱和表面反应来沉积材料；和基本上在整个沉积周期期间使来自不活泼气体源的气体流入到朝向反应室开口的变宽的自由基进给部件中。本发明还涉及相应的设备。
具有等离子体原子沉积

[发明专利]用于ALD处理颗粒物质的方法和设备-CN201380071123.8无效
发明人： J·科斯塔莫 -专利权人：皮考逊公司
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：希望用薄涂层涂覆小粒子以改变这些粒子的表面特性，同时维持其体特性。ALD技术是为此目的感兴趣的应用。本发明提供一种方法和设备，其用于沿着竖原子层沉积(ALD)筒(100)的中央区域中的上下竖通道(102)安排前体蒸汽流经所述筒，用于使要进行ALD处理的颗粒物质在转动时在筒中向上运动通过基本从竖通道延伸到筒的侧壁的线程区域和向下沿着竖通道运动以引起颗粒物质在ALD处理过程中循环。本发明的一种效果是防止形成结块。
用于 ald 处理颗粒物质方法设备

[发明专利]ALD反应器中的衬底装载-CN201280077254.2在审
发明人： V·基尔皮;J·科斯塔莫;W-M·李 -专利权人：皮考逊公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种仪器和方法，所述仪器和方法用于将多个衬底装载到沉积反应器的装载室中的衬底支架内以在所述衬底支架内形成水平定向的衬底的垂直堆叠，用于转动衬底支架以形成垂直定向的衬底的水平堆叠，和用于将所述衬底支架下降至所述沉积反应器的反应室内用于沉积。获得的技术效果是：用于垂直流沉积反应器的顶部装载系统，其中衬底可以以水平定向装载，通过翻转整个衬底支架而消除了分别翻转每一个衬底的必要，和最小化了反应器集群中的装载距离。
ald 反应器中的衬底装载

[发明专利]具有等离子体源的沉积反应器-CN201180069841.2有效
发明人： V·基尔皮;W-M·李;T·马利南;J·科斯塔莫;S·林德弗斯 -专利权人：皮考逊公司
申请日： 2011-04-07 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种沉积反应器，其包括：限定膨胀空间的进给部件，其被构造成引导反应物作为上到下的流从等离子体源(110)流向反应室，所述膨胀空间朝向反应室(335)变宽；和提升机构，其用于从反应室顶侧将至少一个基材(360)装载到所述反应室。所述沉积反应器被构造成在反应室中通过顺序自饱和表面反应将材料沉积在所述至少一个基材上。
具有等离子体沉积反应器

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