专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电渣熔铸叶片随随动、分段逐级成型装置及成型方法-CN201910046866.9有效
  • 张玉廷 - 潍坊亚东冶金设备有限公司
  • 2019-01-18 - 2023-08-08 - B22D23/10
  • 本发明公开了一种电渣熔铸叶片随随动、分段逐级成型装置及成型方法。电渣熔铸叶片随随动、分段逐级成型装置包括底座,底座上设有底水箱,底水箱上设有分体结晶器,底水箱与底座之间设有结晶器随随动装置;电极支撑架上升降安装有电极支撑座,电极支撑座上设有电极夹持器,电极夹持器上固定夹持有自耗电极,电极夹持器与电极支撑座之间设有电极随随动装置;分体结晶器包括若干由下到上依次固定连接的结晶器层模,各结晶器层模上设有结晶器层腔,若干结晶器层腔上下连通构成异型腔。本发明利用分层结构的分体结晶器,可减少单层叶片熔铸时曲面的变化量,通过上下随随动的配合,自耗电极容易插入单层的结晶器层腔内。
  • 熔铸叶片随型随动分段逐级成型装置方法
  • [实用新型]一种多极阳极钢爪焊接设备-CN201921398954.7有效
  • 姜彦平;李现友 - 内蒙古世星新材料科技有限公司
  • 2019-08-27 - 2020-04-21 - B23K37/00
  • 多极阳极钢爪焊接设备包括:底部框架、门框架、极板送进机构、上结晶器组、下结晶器组、门框架送进机构和支撑件。门框架与底部框架滑动连接,门框架送进机构固定安装在底部框架上,门框架送进机构用于驱动门框架沿底部框架的长度方向往复滑动;支撑件固定设置在门框架的顶部,下结晶器组包括多个下结晶器和一个下结晶器底板,下结晶器底板可拆卸固定连接于底部框架的顶端,上结晶器组包括多个上结晶器,上结晶器设置在支撑件上,极板送进机构滑动连接于支撑件上,极板送进机构沿与底部框架长度方向垂直的方向往复滑动。
  • 一种多极阳极焊接设备
  • [发明专利]大尺寸β四钼酸铵单晶颗粒的制备方法-CN202110645674.7有效
  • 吴小超;李庆奎;张静;杨凯军;王成铎;何季麟 - 郑州大学
  • 2021-06-09 - 2022-07-26 - C30B7/08
  • 大尺寸β四钼酸铵单晶颗粒的制备方法,包括:用工业钼酸铵、氨水、去离子水配置浓度为0.2~0.6g/mL的钼酸铵溶液;将钼酸铵溶液的pH调节为5~7,溶液温度调节为第一温度70~90℃,得到第一钼酸铵溶液;将β四钼酸铵晶种放置在结晶容器中,将第一钼酸铵溶液倒入结晶容器组成结晶体系,结晶体系在室温下静置,自然降温,β四钼酸铵晶种生长为大颗粒单晶β四钼酸铵产物。通过控制第二钼酸铵溶液的pH值、浓度、温度和结晶时间,在70~90℃之间恒温结晶得到了β四钼酸铵晶种;β四钼酸铵晶种在第一钼酸铵溶液中静置,降温结晶和缓慢蒸发结晶合理结合,生长得到大尺寸β四钼酸铵单晶颗粒,粒径尺寸可达厘米级,实现了大尺寸β四钼酸铵单晶颗粒的可控制备。
  • 尺寸钼酸铵单晶颗粒制备方法
  • [实用新型]椭圆结晶器铜管密封和防变形结构-CN201620669791.1有效
  • 秦勇;李玉华;钱刚 - 江阴兴澄特种钢铁有限公司
  • 2016-06-30 - 2016-12-07 - B22D11/04
  • 本实用新型涉及一种椭圆结晶器铜管密封和防变形结构,这种椭圆结晶器铜管密封和防变形结构中,密封沟槽处采用耐高温氟橡胶密封圈,实现结晶器铜管冷却水有效密封,减少避免连铸坯因漏水产生的连铸铸坯质量问题。挡板的设计可以减少椭圆结晶器铜管在受热时产生的变形,保证结晶器铜管弧度精度,保证了铸坯形状尺寸。本实用新型可以控制世界上连铸坯大断面椭圆结晶器有效密封和弧度精确,降低了生产成本,实现连铸坯大断面椭圆结晶器连续大批量生产。
  • 椭圆结晶器铜管密封变形结构
  • [实用新型]一种恒温结晶装置-CN201420128999.3有效
  • 卢永明;汪朝金;李云贵;龚斌;曾祥福 - 四川什邡市三高生化实业有限公司
  • 2014-03-21 - 2014-08-27 - B01D9/02
  • 本实用新型提供了一种恒温结晶装置,包括恒温水入口、恒温水出口、水浴腔、过滤器、密封盖、结晶收集器、T支架,其特征在于:所述恒温水入口和所述恒温水出口与所述水浴腔连通,水浴绝热外墙与恒温导热墙间形成腔体为所述水浴腔;所述水浴腔底部上设有所述过滤器,所述过滤器上设有过滤可拆卸部件和过滤器阀门;所述恒温导热墙顶端设有密封盖;所述结晶收集器位于恒温导热墙内,在所述结晶收集器上设有结晶收集器顶端扣件;在所述结晶收集器上还设有T支架、T支架扣件、T支架柱和堵头。本实用新型装置结晶温度稳定,结晶剂和结晶分离方便,工艺流程短,结晶收率高,结构简单。
  • 一种恒温结晶装置
  • [发明专利]发光元件及其制造方法-CN200710168278.X无效
  • 石崎顺也 - 信越半导体株式会社
  • 2002-07-24 - 2008-05-07 - H01L33/00
  • 本发明提供了发光元件,其具有由带隙能为2.2eV以上的宽带隙氧化物半导体所构成的发光层部;该发光层部具有由p金属包层、活性层及n金属包层相互层叠的双异型构造,且前述p金属包层与前述n金属包层中的至少一方具有第一结晶层及第二结晶层,前述第一结晶层通过异型接合与前述活性层邻接,对载体显现障壁层的作用;第二结晶层在前述活性层的相反侧与该第一结晶层异型接合,其带隙能较该第一结晶层低。
  • 发光元件及其制造方法

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