|
钻瓜专利网为您找到相关结果 626570个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [实用新型]低栅漏电容的纵向场效应晶体管-CN201720207029.6有效
-
胡欣
-
上海矽望电子科技有限公司
-
2017-03-06
-
2017-09-12
-
H01L29/423
- 本实用新型涉及一种采用了该实用新型的低栅漏电容的纵向场效应晶体管,属于半导体技术领域。采用该结构的低栅漏电容的纵向场效应晶体管,由于其衬底的顶部形成有凸出于衬底顶部的厚栅氧区,并在该厚栅氧区之上形成有作为栅极的多晶硅,从而利用该厚栅氧区增加了栅漏电容介质层的厚度,同样的还可以进一步减少栅极与漏极覆盖区域的面积,减小栅漏电容,降低开关损耗,提升场效应晶体管的性能,进而使本实用新型的低栅漏电容的纵向场效应晶体管更适用于高频应用,且该低栅漏电容的纵向场效应晶体管的结构简单,制造方法简便,生产及应用成本也较为低廉。
- 漏电纵向场效应晶体管
|