专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果413888个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]利用纳米球反相多孔模板制备尺寸可控纳米点阵列的方法-CN200610089737.0无效
  • 钱骏;庹新林;袁俊;王晓工 - 清华大学
  • 2006-07-14 - 2007-01-03 - B82B3/00
  • 利用纳米球反相多孔模板制备尺寸可控纳米点阵列的方法,本发明公开了属于纳米光刻领域的使用反相纳米球模板制备密度和单元尺寸可控的纳米点阵列的方法。先通过单分散核壳结构纳米球的自组装,得到单层规则密排的纳米球模板。通过选择性溶解的方法获得反相多孔阵列。利用反应离子刻蚀技术,对模板中的反相孔进行修饰获得贯穿的沉积通道。然后通过薄膜制备技术在模板上沉积一层薄膜,并在选择性溶剂中溶解多孔模板,得到规则排列的圆形纳米点阵列。通过与不同材料薄膜制备技术的结合,应用本纳米点阵列的制备方法可以制备出不同材料的高密度、尺寸可控点阵列,可用于基于纳米点阵列的器件制备和性能优化。
  • 利用纳米球反相多孔模板制备尺寸可控阵列方法
  • [发明专利]基于锡氧化物和贵金属双纳米粒子点阵氢气传感器及其制备方法-CN202110870742.X在审
  • 谢波;刘伊妮;胡军 - 浙江工业大学
  • 2021-07-30 - 2021-12-14 - G01N27/12
  • 本发明提供了一种基于锡氧化物和贵金属双纳米粒子点阵氢气传感器及其制备方法,所述氢气传感器包括:双纳米粒子点阵氢气气敏膜、嵌有金属微电极的石英玻璃基片、电导测量外电路;本发明采用磁控等离子体聚集法将贵金属和锡纳米粒子沉积到嵌有金属微电极的石英玻璃基片表面,组成双纳米粒子点阵氢气气敏膜,氢气气敏膜由锡氧化物纳米粒子点阵和贵金属纳米粒子点阵组成,并且贵金属纳米粒子点阵高度分散于锡氧化物纳米粒子点阵体系中;本发明制备的氢气传感器在检测氢气时,具有响应速度快、选择性高、工作温度低等优点,纳米粒子点阵所组装的氢气气敏膜具有高比表面积,高灵敏的感氢能力,检测氢气的灵敏度和选择性优异。
  • 基于氧化物贵金属纳米粒子点阵氢气传感器及其制备方法
  • [发明专利]利用纳米球模板制备单元尺寸可控的纳米点阵列的方法-CN200410083939.5无效
  • 吴培文;庹新林;王晓工;袁俊 - 清华大学
  • 2004-10-13 - 2005-03-02 - G03F7/20
  • 本发明公开了属于纳米光刻技术领域的一种利用纳米球模板制备单元尺寸可控的纳米点阵列方法。该方法是利用等离子刻蚀控制纳米球模板中沉积通道的尺寸,通过结合纳米球光刻技术中的镀膜和清洗步骤,可以得到单元尺寸可控的纳米点阵列。演示实验中纳米点阵列的密度为42G/in2,同时单元尺寸控制在26-100nm。该方法直接基于模板中沉积通道的控制,适用于各种材料点阵列的制备。通过与不同材料薄膜制备技术的结合,应用本方法改进的纳米球光刻技术可以制备出不同材料的、单元尺寸可控的高密度纳米点阵列。可用于基于纳米点阵列的器件如磁存储、传感器等的制备和基于单元尺寸调制的器件性能优化。
  • 利用纳米模板制备单元尺寸可控阵列方法
  • [发明专利]一种利用超长纳米线制备电化学纳米点阵列电极的方法-CN202010844645.9有效
  • 耿延泉;方卓;闫永达;胡振江 - 哈尔滨工业大学
  • 2020-08-20 - 2023-07-18 - G01N27/30
  • 一种利用超长纳米线制备电化学纳米点阵列电极的方法,属于纳米电极制备技术领域。本发明是为了简单高效可重复地制备纳米点阵列电极,在含微米沟槽阵列的硅模板上浇注PDMS;在固化完成的PDMS模具上浇注树脂,得到带有微米沟槽阵列的树脂块;在树脂块上沉积一层金属薄膜,用树脂包埋,进行纳米切片,将单个含纳米线阵列的树脂薄片或多个与空树脂薄片交替堆叠的含纳米线阵列的树脂薄片转移至基底上,将导线搭接固定在纳米线阵列的表面,加入树脂封装,将未搭接导线的一端修块抛光,得到纳米点阵列电极。本发明避免了邻近电极的电容和扩散层重叠,且通过对纳米线端面再次修块抛光可获得新的干净的纳米点阵列,有利于纳米点阵列电极的长期重复使用。
  • 一种利用超长纳米制备电化学阵列电极方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top