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[发明专利]操纵变色材料的方法和系统-CN201510131954.0有效
发明人：米歇尔·雷金纳德·皮埃尔·约瑟夫·卢西尔 -专利权人：阿迪达斯股份公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： G02F1/09 文献下载
摘要：描述了一种操纵穿戴物所显示颜色的系统和方法，所述穿戴物包括配置于链内的氧化铁胶体纳米晶体。步骤可以包括，由原材料形成穿戴物，其中原材料包括纳米晶体链；将磁场施加于原材料；将能量施加于至少一部分纳米晶体链以软化紧邻被施加能量的纳米晶体链周围的原材料内的材料，调整磁场强度以控制由原材料所显示的颜色；移除能量以允许紧邻纳米晶体链周围的原材料内的材料硬化并固定链内纳米晶体的位置；以及移除磁场。
纳米晶体穿戴物移除磁场氧化铁胶体变色材料磁场施加能量施加施加能量系统描述显示颜色固定链软化硬化配置

[发明专利]复合材料及其制备方法和太阳能电池-CN201810819306.8在审
发明人：杨青松;杨一行 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L31/0256 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和太阳能电池。所述复合材料包括纳米晶体颗粒和连接在所述纳米晶体颗粒表面的羧酸；其中，所述纳米晶体颗粒含有金属阳离子和阴离子，所述羧酸与所述纳米晶体颗粒表面的金属阳离子相连接。该复合材料中的羧酸增强了纳米晶体颗粒表面的电负性，进而增强了纳米晶体颗粒表面的电荷传输与分离效果，将该复合材料用于电池器件时，可以提高电池器件的效率。
纳米晶体颗粒复合材料羧酸金属阳离子电池器件纳米材料技术太阳能电池电荷传输分离效果电负性阴离子制备

[发明专利]包括细长的晶体状纳米结构的纳米级器件-CN201580036397.2在审
发明人： P·克罗格斯拉普;T·S·叶斯帕森;C·M·马卡斯;J·尼加德 -专利权人：哥本哈根大学
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及一种纳米级器件及其制备方法，该纳米级器件包括细长的晶体状纳米结构，如纳米线晶体、纳米晶须晶体或纳米棒晶体。一个实施方案涉及纳米级器件，其包括细长的晶体状半导体纳米结构例如纳米线(晶体)或纳米晶须(晶体)或纳米棒(晶体)，优选由砷化铟制成，其具有多个基本上平的侧面；超导体材料(优选铝)的晶体状结构的第一面层，其覆盖一个或多个所述侧面的至少一部分；以及超导体材料(优选钒)的第二面层，其覆盖第一面层的至少一部分，第二面层的超导体材料不同于第一面层的超导体材料，其中半导体纳米结构的晶体状结构与两个晶体状结构之间的界面上的第一面层的晶体状结构为外延匹配
包括细长晶体纳米结构器件

[发明专利]墨水、薄膜晶体管及其制备方法、有源层薄膜、显示设备-CN202010306883.4在审
发明人：黄航 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C09D11/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种墨水、薄膜晶体管有源层薄膜、薄膜晶体管及其制备方法、显示设备。该墨水包括金属氧化物前驱体盐、纳米导电材料和有机溶剂。纳米导电材料包括：一维纳米材料、二维纳米材料或者由一维纳米材料与二维纳米材料形成的复合材料。通过去除该墨水中的有机溶剂，并使金属氧化物前驱体盐和纳米导电材料形成复合纳米导电材料的金属氧化物薄膜，可形成复合纳米导电材料的金属氧化物薄膜薄膜晶体管有源层薄膜。该薄膜晶体管有源层薄膜可有效应对柔性薄膜晶体管器件的重复弯折，提升薄膜晶体管器件的耐弯折性能和使用寿命。
墨水薄膜晶体管及其制备方法有源薄膜显示设备

[发明专利]采用载流子俘获材料的单极性纳米管晶体管及其制造方法-CN200510106780.9无效
发明人：姜东勋;朴鲁政;朴玩浚 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-10-12 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及采用载流子俘获材料的单极性纳米管晶体管，所述晶体管通过为纳米管提供诸如氧气分子的载流子俘获材料，例如通过纳米管吸收或在邻近纳米管的位置处提供含有载流子俘获材料的材料层的方法，将双极纳米管场效应晶体管转化为单极纳米管场效应晶体管
采用载流子俘获材料极性纳米晶体管及其制造方法

[实用新型]一种梯度结构磷酸钙生物陶瓷-CN201420850174.2有效
发明人：周长春;樊渝江;朱向东;谢鹏飞;肖玉梅;陈雪宁;张兴栋 -专利权人：四川大学
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： A61L27/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种梯度结构磷酸钙生物陶瓷，所述材料包括纳米晶体结构表面层、纳米/微米晶体结构过渡层、微米晶体结构中心层等三种不同梯度晶体结构层。所述材料是通过构置烧结温度梯度分布场获得具有纳米、微米晶体梯度结构变化的陶瓷。材料的纳米晶体层赋予材料独特的生物活性，微米晶体层保证材料的力学性能，二者之间梯度过渡，紧密结合，且可通过调节纳米/微米层结构组合以匹配材料与天然硬组织的力学性能，从而满足生物材料的多功能需求目的。
一种梯度结构磷酸钙生物陶瓷

[发明专利]纳米/微米晶梯度结构磷酸钙生物陶瓷材料及其制备方法和应用-CN201410834049.7有效
发明人：周长春;樊渝江;朱向东;谢鹏飞;肖玉梅;陈雪宁;张兴栋 -专利权人：四川大学
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： A61L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米/微米晶梯度结构磷酸钙生物陶瓷材料及其制备方法和应用，所述材料包括纳米晶体结构表面层、纳米/微米晶体结构过渡层、微米晶体结构中心层等三种不同梯度晶体结构层。其特点是通过构置烧结温度梯度分布场获得具有纳米、微米晶体梯度变化结构的HA生物陶瓷。材料的纳米晶体层赋予材料独特的生物活性，微米晶体层保证材料的力学性能，二者之间梯度过渡，紧密结合，且可通过调节纳米/微米层结构组合以匹配材料与天然硬组织的力学性能，从而满足生物材料的多功能需求目的。
纳米微米梯度结构磷酸钙生物陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]纳米/微米晶梯度结构磷酸钙生物陶瓷材料及其应用-CN201610554065.X有效
发明人：周长春;樊渝江;朱向东;谢鹏飞;肖玉梅;陈雪宁;张兴栋 -专利权人：四川大学
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： A61L27/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米/微米晶梯度结构磷酸钙生物陶瓷材料及其应用，所述材料包括纳米晶体结构表面层、纳米/微米晶体结构过渡层、微米晶体结构中心层等三种不同梯度晶体结构层。其特点是通过构置烧结温度梯度分布场获得具有纳米、微米晶体梯度变化结构的HA生物陶瓷。材料的纳米晶体层赋予材料独特的生物活性，微米晶体层保证材料的力学性能，二者之间梯度过渡，紧密结合，且可通过调节纳米/微米层结构组合以匹配材料与天然硬组织的力学性能，从而满足生物材料的多功能需求目的。
纳米微米梯度结构磷酸钙生物陶瓷材料及其应用

[发明专利]无机体相多结材料及其制备方法-CN200980137196.6有效
发明人： T·汉拉兹;J·R·恩斯特伦 -专利权人：康奈尔研究基金会股份有限公司
申请日： 2009-08-10 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L31/0384 文献下载
摘要：本发明揭示一种纳米结构的复合材料，该复合材料包含在晶体半导体基质中的半导体纳米晶体。合适的纳米晶体包括硅、锗和硅‑锗合金，以及铅盐如PbS、PbSe和PbTe。合适的晶体半导体基质材料包括Si和硅‑锗合金。本发明还揭示一种制备纳米结构的复合材料的方法。本发明还揭示包含纳米结构的复合材料的装置。
机体相多结材料及其制备方法

[发明专利]三维Cu₂S@ZnO纳米异质结构的半导体材料及其制备方法-CN201310118899.2无效
发明人：李守川;郁可;汪阳;宋长青;尹海宏;朱自强 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2013-04-08 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： C01G3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维Cu2S@ZnO纳米异质结构半导体材料，包括ZnO纳米颗粒晶体及Cu2S纳米花结构基底材料，ZnO纳米颗粒晶体均匀覆盖在Cu2S纳米花结构基底材料上；Cu2S纳米花结构基底材料由Cu2S纳米薄片构成；ZnO纳米颗粒晶体与Cu2S纳米花结构基底材料的界面处具有P-N结。本发明还公开三维Cu2S@ZnO纳米异质结构半导体材料的制备方法，利用水热合成法分别合成Cu2S纳米花晶体和ZnO纳米颗粒晶体，以PEI作为协助材料使ZnO纳米颗粒均匀地复合在Cu2S纳米薄片上，得到三维Cu2S@ZnO纳米异质结构半导体材料。
三维 cu sub zno 纳米结构半导体材料及其制备方法

[发明专利]一种聚己内酯/纤维素纳米晶体复合材料的制备方法-CN201610561571.1有效
发明人：吴德峰;徐春江;应泽人 -专利权人：扬州大学
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： C08L67/04 文献下载
摘要：一种聚己内酯/纤维素纳米晶体复合材料的制备方法，涉及生物可降解复合材料的制备方法，本发明将微晶纤维素经酸解形成纤维素纳米晶体，再将纤维素纳米晶体经过乙酰化改性得到乙酰化纤维素纳米晶体，然后再将乙酰化纤维素纳米晶体与聚己内酯溶解于有机溶剂中，取得混合溶液，再将混合溶液流涎成膜，经干燥，取得聚己内酯/纤维素纳米晶体复合材料。本发明可避免纤维素纳米晶体的不可逆团聚，最终得到的乙酰化纤维素纳米晶体在基体分散性更好。
一种内酯纤维素纳米晶体复合材料制备方法

[发明专利]具有嵌入基质中的半导体结构的复合材料-CN201280065133.6在审
发明人：朱厄妮塔·库尔京;科林·里斯;布赖恩·西奥博尔德;内森·麦克劳克林;马修·J·卡里洛;朴欧浩;杰奥尔杰塔·马松;史蒂文·M·休斯 -专利权人：太平洋光技术公司
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：描述了具有嵌入基质中的半导体结构的复合材料。在实例中，复合材料包括基质材料。多个半导体结构被嵌入基质材料中。每个半导体结构包括由第一半导体材料组成的并且具有在1.0至2.0之间但不包括1.0和2.0的宽高比的各向异性纳米晶体核。每个半导体结构还包括至少部分包围所述各向异性纳米晶体核的由不同的第二半导体材料组成的纳米晶体壳。绝缘体层封装每个纳米晶体壳和各向异性纳米晶体核配对。
具有嵌入基质中的半导体结构复合材料

[发明专利]扩展的实现全环栅的纳米梳晶体管装置-CN202110973600.6在审
发明人： V·米什拉;S·M·塞亚;C·E·韦伯;J·T·卡瓦列罗斯;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开内容的实施例基于扩展的实现全环栅的纳米梳晶体管架构，这意味着将具有至少栅极电介质材料或栅极电介质材料和栅电极材料两者的栅极壳体提供在纳米梳晶体管装置的横向纳米带的垂直叠层的每个纳米带的所有侧面上。特别地，本文所提出的扩展的实现全环栅的纳米梳晶体管架构包括使用相对于彼此具有蚀刻选择性的两种电介质壁材料，而不是仅使用用于实现常规纳米梳晶体管装置的单种电介质壁材料。如本文所述的实现全环栅的基于纳米梳的晶体管装置可以在常规纳米梳晶体管装置的短沟道效应方面提供改进。
扩展实现全环栅纳米晶体管装置

[发明专利]具有纳米晶体核和纳米晶体壳的带绝缘体涂层的半导体结构-CN201280065164.1在审
发明人：朱厄妮塔·库尔京;马修·J·卡里洛;史蒂文·休斯;布赖恩·西奥博尔德;科林·里斯;朴欧浩;杰奥尔杰塔·马松 -专利权人：太平洋光技术公司
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：描述了具有纳米晶体核和相应的纳米晶体壳以及绝缘体涂层的半导体结构。在实例中，半导体结构包括由第一半导体材料组成的并且具有在1.0至2.0之间但不包括1.0和2.0的宽高比的各向异性纳米晶体核。所述半导体结构还包括至少部分包围所述各向异性纳米晶体核的由不同的第二半导体材料组成的纳米晶体壳。绝缘体层封装所述纳米晶体壳和所述各向异性纳米晶体核。
具有纳米晶体绝缘体涂层半导体结构

[发明专利]发光材料及其生产方法-CN201380029572.6无效
发明人：帕夫莱·拉多万诺维奇;王婷 -专利权人：帕夫莱·拉多万诺维奇;王婷
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： C09K11/08 文献下载
摘要：提供一种用于发光结构的混合纳米材料基板的合成方法，包括步骤：(a)针对该发光结构定义一个或多个发光特性；(b)选择纳米晶体和适合的发光分子；以及(c)基于发光特性，通过选择性地改变基板中纳米晶体的尺寸，并选择性地将发光分子结合到纳米晶体的表面，从而合成可操作为定义单照明体的纳米材料结构，来合成混合纳米材料基板，其中单照明体可操作为在施加单激发能量值时产生与发光特性一致的光发射。还提供了一种由纳米晶体-发光分子结构组成的新型混合纳米材料，该纳米晶体-发光分子结构定义了单照明体，单照明体具有基于(a)纳米晶体尺寸的选择性改变和(b)结合到纳米晶体表面的发光分子浓度在基板上的选择性改变在应用于例如包括单激发能量值混合纳米材料的二极管时，混合纳米材料基板将能量值转换成在可变基板上的发光，产生白光范围内的光发射。混合纳米材料是可调节的，以便实现发光结构所期望的发光特性。
发光材料及其生产方法

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