专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]3G射频功率放大器电路模块-CN201621462656.6有效
  • 钱永兵;雷良军;何江波 - 无锡中普微电子有限公司
  • 2016-12-28 - 2017-08-18 - H03F3/19
  • 本实用新型涉及一种3G射频功率放大器电路模块,其包括第一放大结构以及通过匹配电路与所述第一放大结构连接的第二放大结构;第一放大结构包括射频放大管T1、与所述射频放大管T1适配的输入匹配电路以及与所述射频放大管T1适配的放大管T1偏置电路;第二放大结构包括射频放大管T2、与所述射频放大管T2适配的输出匹配电路以及与所述射频放大管T2适配的放大管T2偏置电路;第一放大结构通过匹配电路与第二放大结构连接,第一放大结构的输入匹配电路、第二放大结构的输出匹配电路以及所述匹配电路均不采用SMD电容及SMD电感,能有效提高封装产能,降低封装成本,提高封装的适应性,安全可靠。
  • 3g射频功率放大器电路模块
  • [实用新型]3G射频功率放大器模块-CN201621462604.9有效
  • 钱永兵;雷良军;何江波 - 无锡中普微电子有限公司
  • 2016-12-28 - 2017-07-21 - H03F3/19
  • 本实用新型涉及一种3G射频功率放大器模块,其包括第一放大结构以及通过匹配电路与所述第一放大结构连接的第二放大结构;第一放大结构包括射频放大管T1、与所述射频放大管T1适配的输入匹配电路以及与所述射频放大管T1适配的放大管T1偏置电路;第二放大结构包括射频放大管T2、与所述射频放大管T2适配的输出匹配电路以及与所述射频放大管T2适配的放大管T2偏置电路;第一放大结构通过匹配电路与第二放大结构连接,第一放大结构的输入匹配电路、第二放大结构的输出匹配电路以及所述匹配电路均不采用SMD电容及SMD电感,能有效提高封装产能,降低封装成本,提高封装的适应性,安全可靠。
  • 3g射频功率放大器模块
  • [实用新型]3G射频功率放大器-CN201621461880.3有效
  • 钱永兵;雷良军;何江波 - 无锡中普微电子有限公司
  • 2016-12-28 - 2018-01-05 - H03F3/19
  • 本实用新型涉及一种3G射频功率放大器模块,其包括第一放大结构以及通过匹配电路与所述第一放大结构连接的第二放大结构;第一放大结构包括射频放大管T1、与所述射频放大管T1适配的输入匹配电路以及与所述射频放大管T1适配的放大管T1偏置电路;第二放大结构包括射频放大管T2、与所述射频放大管T2适配的输出匹配电路以及与所述射频放大管T2适配的放大管T2偏置电路;第一放大结构通过匹配电路与第二放大结构连接,第一放大结构的输入匹配电路、第二放大结构的输出匹配电路以及所述匹配电路均不采用SMD电容电感,能有效提高封装产能,降低封装成本,提高封装的适应性,安全可靠。
  • 3g射频功率放大器
  • [实用新型]3G射频功率放大器电路-CN201621462605.3有效
  • 钱永兵;雷良军;何江波 - 无锡中普微电子有限公司
  • 2016-12-28 - 2018-01-05 - H03F3/19
  • 本实用新型涉及一种3G射频功率放大器电路,其包括第一放大结构以及通过匹配电路与所述第一放大结构连接的第二放大结构;第一放大结构包括射频放大管T1、与所述射频放大管T1适配的输入匹配电路以及与所述射频放大管T1适配的放大管T1偏置电路;第二放大结构包括射频放大管T2、与所述射频放大管T2适配的输出匹配电路以及与所述射频放大管T2适配的放大管T2偏置电路;第一放大结构通过匹配电路与第二放大结构连接,第一放大结构的输入匹配电路、第二放大结构的输出匹配电路以及所述匹配电路均不采用SMD电容及SMD电感,能有效提高封装产能,降低封装成本,提高封装的适应性,安全可靠。
  • 3g射频功率放大器电路
  • [发明专利]一种模块化宽输入宽输出电压范围DC-DC变换器-CN202310280990.8在审
  • 吴新科;黄新隆 - 浙江大学杭州国际科创中心
  • 2023-03-22 - 2023-04-21 - H02M3/158
  • 本发明涉及一种模块化宽输入宽输出电压范围DC‑DC变换器,前为多电平拓扑,采用级联的多元胞结构,每个元胞均包含斩波电路、滤波网络和输出端口;后采用固定开关频率固定电压增益的DCX(直流变压器)拓扑。本发明前后位置可互换,同时区别于单独的CHB拓扑或者其他多电平拓扑(比如飞跨电容),该方案不需要特殊的控制即可实现多个单元的自动均压,或者配置成固定的电压比例,包括轻载工况以及各单元负载不平衡的工况本发明实现了电感纹波的倍频降低了电感上的秒,同时降低了电感上的伏,保证了高效率和高功率密度。
  • 一种模块化输入输出电压范围dc变换器
  • [发明专利]一种宽带低噪声放大器-CN202210717715.3在审
  • 刘桂;杨起超;陈卓妮;蔡静;席书琦;魏宣合;陈治洲;施一剑 - 温州大学
  • 2022-06-20 - 2022-10-14 - H03F1/26
  • 本发明公开了一种宽带低噪声放大器,包括第一共源共栅放大器和第二共源共栅放大器,第一共源共栅放大器包括第一电容、第二电容、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电感、第二电感、第三电感和第四电感,第二共源共栅放大器包括第三电容、第四电容、第三NMOS管、第四NMOS管、第五电感、第六电感、第七电感、第八电感、第九电感和第十电感,第一NMOS管和第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管分别形成共源共栅结构,第一电感与第二电感耦合、第三电感与第四电感耦合、第五电感与第六电感耦合、第八电感与第十电感耦合形成四个gm‑boost耦合负反馈结构;优点是具有低噪声、低功耗、高增益和宽带宽。
  • 一种宽带低噪声放大器
  • [发明专利]一种射频有源电感-CN201510366412.1在审
  • 张万荣;黄鑫;谢红云;金冬月;赵彦晓;金子超;陈吉添;刘亚泽;刘硕;赵馨仪 - 北京工业大学
  • 2015-06-29 - 2015-09-16 - H03H11/08
  • 本发明提供了一种射频有源电感,包括第一回转器,第二回转器,耦合电容,可变电容,直流偏置电路,其中,第一回转器与第二回转器通过耦合电容耦合形成级联回转器结构,第一回转器的输入端作为有源电感的信号输入端,第二回转器的输出端作为有源电感的信号输出端,可变电容的输入端连接第一回转器的输出端,直流偏置电路同时连接第一回转器与第二回转器,提供直流偏置。本发明创新地采用级联回转器结构,提高了有源电感的自谐振频率,使有源电感可在高频段下工作,通过调节可变电容的电容值使有源电感的等效电感值与品质因子Q在高频范围内可调,可满足无线通信系统中的射频集成电路与射频系统在高频段下工作的需求
  • 一种射频有源电感
  • [发明专利]一种单单开关降压式漏感能量利用的LED驱动电路-CN201611027050.4有效
  • 林维明;林森 - 福州大学
  • 2016-11-22 - 2018-07-20 - H05B33/08
  • 本发明涉及一种单单开关降压式漏感能量利用的LED驱动电路,包括一输入电源Vin、一功率MOS开关管Q1、一功率二极管D1、一功率二极管D2、一功率二极管D3、一功率二极管D4、一功率二极管D5、一功率二极管D6、一功率二极管D7、一功率二极管D8、一功率二极管D9、一功率二极管D10、一输入电容Cin、一中电容C1、一中电容C2、一输出电容Co、一电感L1、一电感L2、一变压器Tr及其漏感Llk。本发明通过将前BUCK+BUCK‑BOOST电路与后反激电路集成,同时对漏感能量进行再利用,实现单变换、较宽降压范围、低电压开关应力、高效以及恒定的电流输出等功能。
  • 一种单级单开关降压式漏感能量利用led驱动电路

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