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[发明专利]改良西门子法中二级三氯氢硅的处理方法-CN200910308969.4无效
发明人：唐前正;张新;李钊;王璜;卫雄;山玉庸 -专利权人：乐山乐电天威硅业科技有限责任公司
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2010-04-07 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明多晶硅生产领域，具体涉及改良西门子法中二级三氯氢硅的处理方法。为提供一种能耗少的方法用于处理改良西门子法的副产物二级三氯氢硅。本发明方法采用对二级三氯氢硅进行单独收集的技术方案。单独收集二级三氯氢硅可降低生产能耗，避免二级三氯氢硅与原料氯硅烷之间的交叉污染。再将收集的二级三氯氢硅进行提纯处理以进一步利用该副产品。
改良西门子二级三氯氢硅处理方法

[发明专利]一种电子级二氯二氢硅的制备方法及设备-CN201810747794.6在审
发明人：王红星;陈锦溢;郑广强;华超;李飞;刘伯潭;盖晓龙 -专利权人：天津科技大学
申请日： 2018-07-10 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子级二氯二氢硅的制备方法及设备。主要包括反应部分、二氯二氢硅的提纯、三氯氢硅的回收。应用本发明的技术方案，三氯氢硅原料经预热器预热后进入固定床反应器，在固定床反应器内歧化催化剂的催化作用下反应生成二氯二氢硅；反应产物进入分离塔，塔顶得到粗二氯二氢硅，粗二氯二氢硅分别经脱轻塔和脱重塔脱除其中的轻组分和重组分，得到电子级二氯二氢硅产品；分离塔塔底采出的含三氯氢硅的重组分进入三氯氢硅回收塔回收其中的三氯氢硅，回收所得的三氯氢硅返回至固定床反应器。本工艺系统流程简短，收率高，操作简单，产品品质达到电子级。
二氯二氢硅三氯氢硅电子级固定床反应器制备方法及设备分离塔回收工艺系统流程歧化催化剂产品品质催化作用回收塔脱轻塔脱重塔预热器提纯预热收率塔顶脱除返回应用

[发明专利]还原生产多晶硅回收的氯硅烷的处理方法和装置、多晶硅生产中的氯硅烷的处理方法和系统-CN201410443572.7有效
发明人：陈莉娜;宋高杰;张旭;江庆云;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种还原生产多晶硅回收的氯硅烷的处理方法和装置、多晶硅生产中的氯硅烷的处理方法和系统，还原生产多晶硅回收的氯硅烷的处理方法，包括以下步骤(1)将多晶硅生产中的还原生产多晶硅回收的氯硅烷经过一级精馏，再经过二级精馏，其中，一级精馏过程得到四氯化硅，二级精馏过程得到二氯二氢硅；(2)将一级精馏过程得到的四氯化硅和二级精馏过程得到的二氯二氢硅经过第一反歧化反应，得到三氯氢硅。该方法直接将还原生产多晶硅回收的氯硅烷分离出的二氯二氢硅与分离出来的四氯化硅经过第一反歧化反应，得到精制的三氯氢硅，该精制的三氯氢硅不需要再经过5～6级的精馏提纯，可直接用于生产多晶硅，降低了能耗，减轻了精馏负荷
还原生产多晶回收硅烷处理方法装置中的系统

[实用新型]一种三氯氢硅提纯装置和精馏系统-CN202222484590.2有效
发明人：宋高杰;郑宝刚;张治锦;张强;闫磊;吕春生;刘智鹏;刘杨 -专利权人：内蒙古新特硅材料有限公司;新特能源股份有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B01D3/14 文献下载
摘要：本实用新型公开一种三氯氢硅提纯装置和精馏系统，包括：一级精馏塔，用于接收粗制三氯氢硅并对粗制三氯氢硅进行一次精馏。二级精馏塔与一级精馏塔连通，用于接收经过一次精馏的三氯氢硅并进行二次精馏，以提纯出精制三氯氢硅。氯硅烷精馏塔与第一加热器连通，用于通过第一加热器对塔内的氯硅烷进行加热，以产生高温流体。二级再沸器设于二级精馏塔和氯硅烷精馏塔之间，并分别与二级精馏塔和氯硅烷精馏塔连通，用于通过高温流体加热二级精馏塔中的三氯氢硅，以提供二次精馏所需的热量。一级再沸器设于一级精馏塔和二级精馏塔之间，并分别与一级精馏塔和二级精馏塔连通，用于通过高温塔顶气对粗制三氯氢硅加热，以实现一次精馏。
一种三氯氢硅提纯装置精馏系统

[发明专利]一种同时生产电子级二氯二氢硅、电子级三氯氢硅及电子级四氯化硅的方法-CN201910323974.6有效
发明人：董立强;戴帅;杨志军 -专利权人：唐山三孚电子材料有限公司
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明涉及一种同时生产电子级二氯二氢硅、电子级三氯氢硅及电子级四氯化硅的方法，以粗品三氯氢硅为原料，包括一次除尘、气相吸附、一次脱轻组分、一次脱重组分、歧化、添加络合剂、二次除尘、一次分离、二次分离处理、二次脱轻组分处理、二次脱重组分处理、三次分离处理、三次脱轻组分、三次脱重组分、四次脱轻组分、四次脱重组分等步骤。本发明工艺路线，是在现有的制造电子级二氯二氢硅的工艺路线上，通过步骤的变化及调整，对原材料三氯氢硅纯度要求降低，可同时得到的电子级二氯二氢硅、电子级三氯氢硅和电子级四氯化硅，金属杂质、氯硅烷杂质以及硼等杂质含量少
一种同时生产电子级二氯二氢硅级三氯氢硅氯化方法

[发明专利]一种制备电子级二氯二氢硅的装置-CN201710226794.7有效
发明人：刘见华;赵雄;万烨;郭树虎;姜利霞;王芳;杨永亮;杜俊平;汤传斌;严大洲 -专利权人：洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2017-04-06 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备电子级二氯二氢硅的装置。其中，该装置包括：反应器，用于芳香醛或芳香醛的衍生物与原料二氯二氢硅进行反应；提纯塔，用于将反应器中的反应产物先脱除部分重组分、再脱除轻组分和剩余的重组分得到电子级二氯二氢硅；以及吸附提纯单元，用于将二氯二氢硅进一步去除杂质，得到电子级二氯二氢硅应用本发明的技术方案，本工艺极大地的缩短流程，降低了设备投资和运行能耗，产品品质达到电子级。
一种制备电子级二氯二氢硅装置

[实用新型]一种制备电子级二氯二氢硅的装置-CN201720362987.0有效
发明人：刘见华;赵雄;万烨;郭树虎;姜丽霞;王芳;杨永亮;杜俊平;汤传斌;严大洲 -专利权人：洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2017-04-06 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种制备电子级二氯二氢硅的装置。其中，该装置包括反应器，用于芳香醛或芳香醛的衍生物与原料二氯二氢硅进行反应；提纯塔，用于将反应器中的反应产物先脱除部分重组分、再脱除轻组分和剩余的重组分得到电子级二氯二氢硅；以及吸附提纯单元，用于将二氯二氢硅进一步去除杂质，得到电子级二氯二氢硅应用本实用新型的技术方案，本工艺极大地的缩短流程，降低了设备投资和运行能耗，产品品质达到电子级。
一种制备电子级二氯二氢硅装置

[发明专利]制备区熔用电子级多晶硅的方法和系统-CN202010120752.7有效
发明人：吴锋;赵培芝;孙江桥;李钊;韩秀娟 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了制备区熔用电子级多晶硅的方法和系统。其中，制备区熔用电子级多晶硅的方法包括：(1)将三氯氢硅和氢气供给至反应器中进行第一阶段反应；(2)继续向所述反应器中供给三氯氢硅、氢气和二氯二氢硅，进行第二阶段反应；(3)继续向所述反应器中供给三氯氢硅、氢气和二氯二氢硅，进行第三阶段反应，得到区熔用电子级多晶硅。该方法可以产出内应力小、晶粒大小适中且分布均匀的区熔用电子级多晶硅产品。
制备用电多晶方法系统

[发明专利]一种制备电子级二氯二氢硅的方法-CN201710872934.8在审
发明人：万烨;刘见华;赵雄;郭树虎;赵宇;常欣;辛超;姜利霞;严大洲;吕东 -专利权人：洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备电子级二氯二氢硅的方法。该方法包括以下步骤S1，将三氯氢硅产品加入装填有歧化催化剂的反应精馏塔进行反应精馏，得到的反应产物；S2，将反应产物脱除轻组分和重组分得到提纯产品；S3，将提纯产品送入吸附提纯单元，进一步去除杂质，得到电子级二氯二氢硅应用本发明的技术方案，三氯氢硅产品在歧化催化剂的催化下生成二氯二氢硅，之后反应精馏塔塔顶产品分别脱除轻组分和重组分，同时，为了降低反应系统波动，进一步保证产品质量，在提纯装置后设置吸附提纯单元，进一步去除杂质，得到电子级二氯二氢硅，工艺步骤简单且得到的电子级二氯二氢硅纯度高。
一种制备电子级二氯二氢硅方法

[实用新型]制备电子级二氯二氢硅的装置-CN201721252939.2有效
发明人：万烨;刘见华;赵雄;赵宇;郭树虎;常欣;辛超;姜利霞;严大洲;吕东 -专利权人：洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种制备电子级二氯二氢硅的装置，该装置包括：反应精馏塔，装填有催化三氯氢硅进行歧化反应的歧化催化剂；提纯塔，用于将反应精馏塔中的反应产物先脱除轻组分再脱除重组分得到提纯产品；以及吸附提纯单元，用于将提纯产品进一步去除杂质，得到电子级二氯二氢硅。应用本实用新型的技术方案，反应精馏塔中三氯氢硅在歧化催化剂的催化下生成二氯二氢硅，之后反应精馏塔塔顶产品进入提纯塔分别脱除轻组分和重组分，同时，为了降低反应系统波动，进一步保证产品质量，在提纯塔后设置吸附提纯单元，进一步去除杂质，得到电子级二氯二氢硅，工艺步骤简单且得到的电子级二氯二氢硅纯度高。
二氯二氢硅电子级反应精馏塔提纯塔脱除本实用新型歧化催化剂三氯氢硅提纯单元提纯去除吸附催化制备反应精馏塔塔顶反应系统工艺步骤歧化反应装填应用保证

[实用新型]一种用于三氯氢硅精馏提纯的装置-CN201920822681.8有效
发明人：何瑞;李力;葛冬松;谢岩;童贵;王苏俊 -专利权人：新疆协鑫新能源材料科技有限公司
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于三氯氢硅精馏提纯的装置，包括依次串联的除硼吸附器、一级精馏塔、二级精馏塔、除磷吸附器和三级精馏塔；除硼吸附器主要用于去除原料氯硅烷中的硼杂质，同时去除部分磷杂质和金属杂质；一级精馏塔为隔壁塔，可以同时从塔顶切除二氯二氢硅，从塔釜切除四氯化硅，从塔中侧线采出已脱去低沸物和高沸物的、纯度达99％～99.99％的三氯氢硅；二级精馏塔为隔壁塔，可以分别从塔顶和塔釜同时去除三氯氢硅中的轻组分杂质和重组分杂质；除磷吸附器主要用于去除三氯氢硅中的磷杂质，同时去除部分硼杂质和金属杂质；三级精馏塔再次脱除三氯氢硅中的重组分杂质，得到合格的三氯氢硅。
一种用于三氯氢硅精馏提纯装置

[实用新型]一种增大多晶硅还原炉反应效率的系统-CN202220812697.2有效
发明人：徐凯;何敬敬;赵长森;牛强;韩婷婷 -专利权人：内蒙古鄂尔多斯电力冶金集团股份有限公司;鄂尔多斯市西金矿冶有限责任公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了增大多晶硅还原炉反应效率的系统，涉及多晶硅工业生产领域，包括粗馏塔内的低沸物料，进入到高低沸一级塔，并经高低沸一级塔、一级塔冷凝器、一级回流罐和回流一级泵处理后，分为两路分别进入到反歧化反应器和杂质吸附塔，经过杂质吸附塔的精制二氯二氢硅最终进入到还原炉内；进入到高低沸二级塔再次精馏，高低沸二级塔塔顶排出三氯氢硅给一级塔再沸器加热，再通过二级塔冷凝器和二级回流罐，由回流二级泵打入到三氯氢硅储罐中；高低沸二级塔塔釜的物料再次进入到粗馏塔内进行分离本实用新型将高低沸塔排出的粗二氯二氢硅充分利用，将其中用于还原炉中的提前通过杂质吸附塔得到精制二氯二氢硅。
一种增大多晶还原反应效率系统

[发明专利]一种多晶硅还原生产中的尾气中的二氯二氢硅的回收方法和装置-CN201410484800.5有效
发明人：张吉武;张伟;陈朝霞;王惠 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅还原生产中的尾气中的二氯二氢硅的回收方法和装置，该方法包括以下步骤(1)将多晶硅还原生产中的尾气进行解析分离，得到分离开的氯化氢和氯硅烷；(2)对所述氯硅烷进行吸附除掉含有硼磷的杂质；(3)进行一级精馏脱除轻组分；(4)进行二级精馏脱除重组分，得到二氯二氢硅。不需要消耗大量的碱液和水，可以通过解析、吸附、一级精馏、二级精馏过程便得到二氯二氢硅，尾气处理成本低，污染少。
一种多晶还原生产中的尾气二氯二氢硅回收方法装置

[实用新型]一种三氯氢硅提纯装置-CN201020231452.8有效
发明人：孙亮 -专利权人：唐山三孚硅业有限公司
申请日： 2010-06-22 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：一种三氯氢硅提纯装置，属于化工生产设备技术领域，目的是提供一种能够提取高纯度三氯氢硅和四氯化硅、且可以大幅度地降低尾气总量的提纯装置，其技术方案是：它采用脱轻塔、两级三氯氢硅精馏塔和四氯化硅精馏塔结构，脱轻塔与第一级三氯氢硅精馏塔、第二级三氯氢硅精馏塔依次连接，四氯化硅精馏塔接在第二级三氯氢硅精馏塔后，在第二级三氯氢硅精馏塔与四氯化硅精馏塔之间还接有中间罐。本实用新型的优点是：高纯三氯氢硅产品中的B含量得到了明显的降低，可以适用目前国内所有多晶硅生产厂家的要求；高纯三氯氢硅产品的纯度及收率均得到了明显的提高；四氯化硅纯度可以适用各气相白炭黑厂家的使用要求；
一种三氯氢硅提纯装置

[发明专利]一种电子级多晶硅生产用三氯氢硅的制备方法及系统-CN202211142371.4在审
发明人：彭中;李寿琴;刘逸枫;甘居富;罗周;向春林;程茂林;杜炳胜 -专利权人：云南通威高纯晶硅有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子级多晶硅生产用三氯氢硅的制备方法，采用太阳能级多晶硅生产中的精制三氯氢硅为原料，经脱碳塔除去甲基二氯硅烷，再经脱重塔除去重组分，得到金属杂质含量不高于0.5ppbw、B、P杂质不高于0.05ppbw、总碳含量不高于0.1ppm的精制三氯氢硅，同时公开了一种制备电子级多晶硅生产用三氯氢硅的系统，保证最终成品三氯氢硅杂质含量符合生产电子级三氯氢硅要求的同时，保证输出的成品三氯氢硅中杂质含量稳定，为为连续生产质量稳定的电子级多晶硅提供良好的前提条件。
一种电子多晶生产用三氯氢硅制备方法系统

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