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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用多晶硅原料制备熔硅的方法-CN96117958.9无效
发明人： K-M·吉姆;L·A·艾伦 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 1996-12-25 - 公布日： 1997-08-20 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于由切氏法制造单晶硅的由多晶制备熔硅的方法。粒状多晶硅和块状多晶硅形成混合原料装入切氏坩埚。粒状多晶硅最好装在底面上，对着坩埚的中心线堆起，不接触坩埚壁的上半部分。块状多晶硅装在粒状多晶硅的上面。熔化粒状多晶硅和块状多晶硅以形成熔硅。
多晶原料制备方法

[发明专利]用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术-CN200710086008.4无效
发明人： J·D·霍尔德 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2002-11-12 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种用于在坩埚中制备硅熔体供在用直拉法生长单晶硅锭时使用的方法。坩埚首先用块状多晶硅装料，并加热以便部分地熔化装料。然后将粒状多晶硅加料到露出的未熔化的块状多晶硅上，以便完成坩埚中硅的装料。粒状多晶硅用多个交替的工作周期和停歇周期间歇式输送。在每个工作周期期间，使粒状多晶硅通过一个将粒状多晶硅导引到未熔化的块状多晶硅上的加料装置流动。在每个停歇周期期间，使粒状多晶硅的流动中断。将装料的块状多晶硅和加料的粒状多晶硅熔化，以便形成硅熔体。
用于增加多晶熔化速率间歇加料技术

[发明专利]用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术-CN02822314.4无效
发明人： J·D·霍尔德 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2002-11-12 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：一种用于在坩埚中制备硅熔体供在用直拉法生长单晶硅锭时使用的方法。坩埚首先用块状多晶硅装料，并加热以便部分地熔化装料。然后将粒状多晶硅加料到露出的未熔化的块状多晶硅上，以便完成坩埚中硅的装料。粒状多晶硅用多个交替的工作周期和停歇周期间歇式输送。在每个工作周期期间，使粒状多晶硅通过一个将粒状多晶硅导引到未熔化的块状多晶硅上的加料装置流动。在每个停歇周期期间，使粒状多晶硅的流动中断。将装料的块状多晶硅和加料的粒状多晶硅熔化，以便形成硅熔体。
用于增加多晶熔化速率间歇加料技术

[发明专利]生产颗粒状多晶硅的方法-CN201480072665.1有效
发明人： R·豪斯维特;R·恩格鲁贝尔 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提供一种在流化床反应器中生产颗粒状多晶硅的方法，包括在流化床中借助气流使硅颗粒流体化，所述流化床借助加热装置加热至850‑1100℃的温度，加入含硅反应气体，并在硅颗粒上沉积硅，从反应器排出产生的颗粒状多晶硅，并包装颗粒状多晶硅，其中在从反应器排出颗粒状多晶硅直至包装颗粒状多晶硅的过程中，利用针对漏斗流设计的容器多次转移颗粒状多晶硅。
生产颗粒状多晶方法

[发明专利]由多晶硅装料制备熔化的硅熔体的方法和装置-CN01818537.1无效
发明人： R·H·菲尔克霍夫;M·巴纳;J·D·霍尔德 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 2001-10-23 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：用于在拉晶装置中由多晶硅制备熔化的硅熔体的方法和装置，要求装入坩埚中的多晶硅装置少于要熔化的预定的多晶硅总量。将坩埚加热，以便在坩埚中形成具有暴露于熔化的硅的上表面之上的未熔化的多晶硅岛的部分熔化的装料。从加料器将粒状多晶硅加到未熔化的多晶硅岛上，直至已将预定的多晶硅总量装入坩埚为止。随着将粒状多晶硅加到上述岛上，用电子学方法确定该岛相对于坩埚侧壁的位置。根据所确定的该岛相对于坩埚侧壁的位置，控制从加料器将粒状多晶加到未熔化的多晶硅岛上的加料速率。
多晶装料制备熔化硅熔体方法装置

[发明专利]由多晶硅炉料制备熔硅熔料的方法-CN96110663.8无效
发明人：约翰·Ｄ·霍尔德 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 1996-07-24 - 公布日： 2002-04-10 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：公开了一种用多晶硅制备熔硅熔料的工艺，该熔硅熔料用于通过切克劳斯基方法生产单晶硅。初始向坩埚中填充多晶硅并加以熔化，形成包含熔硅和未熔化多晶硅的特殊熔化炉料。熔硅具有一个上表面，未熔化多晶硅部分暴露于该上表面之上。以一种方式向暴露的未熔化多晶硅上添加颗粒状多晶硅，该方式足以使颗粒状多晶硅在停留于暴露的未熔化多晶硅的表面期间和在逐渐沉入熔硅之前实现脱氢。然后颗粒状多晶硅和未熔化的多晶硅全部熔化形成熔硅熔料。该方法使生产单晶硅晶锭时的零缺陷成品率、产量和平均热循环时间均得到改善。$#!
多晶炉料制备熔硅熔料方法

[发明专利]连续生产粒状多晶硅的方法-CN201710800673.9在审
发明人：大卫·米克森;本·菲尔斯曼 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种粒状多晶硅的生产方法，在流化床反应器中通过HCl‑TCS混合进料，利用HCl在一定温度下的延迟化学反应，有效抑制硅粉的生成，高效地生产出粒状多晶硅。采用本发明的粒状多晶硅的生产方法，能避免进气口区域的滞留区以及进气管道、喷嘴沉积硅粉导致团聚、结垢或堵塞等现象发生，含硅气体仅在流态化较好的区域发生沉积生成粒状多晶硅。
粒状多晶硅硅粉沉积流化床反应器化学反应进气口区域含硅气体混合进料进气管道有效抑制喷嘴流态化滞留区结垢生产延迟团聚堵塞

[发明专利]用于除尘工艺的加湿的吹扫气体-CN201780027661.5在审
发明人：罗伯特·J·格尔特森 -专利权人：瑞科硅公司
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： B03C3/16 文献下载
摘要：本发明公开了从粒状多晶硅和多晶硅粉末的混合物中分离多晶硅粉末的方法和设备。所述方法包括使多晶硅材料在滚动装置中滚动，同时使加湿的吹扫气体流过所述滚动装置。本发明还公开了包含颗粒状多晶硅的组合物，在一些实施例中，包含基本上由水组成的涂层。
吹扫气体滚动装置多晶硅加湿颗粒状多晶硅多晶硅材料方法和设备粒状多晶硅除尘工艺混合物滚动

[发明专利]用多晶硅炉料制备硅熔体的方法-CN98810175.0无效
发明人： J·D·霍尔德 -专利权人： MEMC电子材料有限公司
申请日： 1998-10-07 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：一种用多晶硅炉料制备硅熔体的方法，该硅熔体用于按照丘克拉斯基方法制取单晶硅锭。制备硅熔体所用的坩埚为底、侧壁结构，其中心线基本上平行于侧壁并截过底面几何中心点，半径为从中心线到侧壁的距离。本方法中，将块状多晶硅装入坩埚形成碗状炉料，其中炉料的初始形状是，通常沿径向从中心线向上向外朝着侧壁方向倾斜至坡顶，然后从坡顶向下向外倾斜至侧壁。加热碗形块状多晶硅炉料使之部分熔融，再在其上加入粒状多晶硅，形成块状和粒状多晶硅的混合料；继续加热混合多晶硅炉料使其形成硅熔体，而位于硅熔体表面上方的未熔块状多晶硅，在粒状多晶硅快速熔融并释放出氢时为可能飞溅的熔融硅导流
多晶炉料制备硅熔体方法

[发明专利]一种颗粒状多晶硅中O、C、Ⅲ、Ⅴ族元素的检测方法-CN201910290250.6有效
发明人：李辉;宗凤云;贺珍俊;高云龙;宋佳宁;董燕军;曹忠 -专利权人：内蒙古神舟硅业有限责任公司
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明公开了一种颗粒状多晶硅中O、C、Ⅲ、Ⅴ族元素的检测方法，包括实验样棒制作检测单元、对比样棒制作检测单元和颗粒状多晶硅元素含量计算单元，由于颗粒状多晶硅本身的颗粒性，不具备直接低温红外检测的条件，采用常规的在石英坩埚里直接熔化拉单晶或者利用容器(如石英管)熔成棒状，都会不同程度地给样品带来污染，无法得到颗粒硅真实杂质含量。而本方案使用高纯的母料棒作为颗粒状多晶硅的载体，并分别测出高纯母料样棒的杂质浓度，以及混合单晶样棒的杂质浓度，利用差减法可以精确的计算出颗粒状多晶硅中的杂质含量。
一种颗粒状多晶元素检测方法

[发明专利]颗粒状多晶硅生产工艺及硅晶种制造系统-CN201510555764.1有效
发明人：陶刚义 -专利权人：内蒙古兴洋科技有限公司
申请日： 2015-09-01 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： C01B33/029 文献下载
摘要：本发明属于颗粒状多晶硅的生产制造技术领域，特指一种颗粒状多晶硅生产工艺及硅晶种制造系统，颗粒状多晶硅生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：①预备硅晶种原料；②对硅晶种原料进行粉碎，并筛选得到直径合适的硅晶种；③在流化床内对硅烷进行加热分解并对硅晶种进行流化，使产生的硅粉在硅晶种上沉积；④对硫化后的硅晶种进行脱氢，并得到符合要求的颗粒状多晶硅；采用此工艺，彻底避免传统的破碎环节带来的二次污染，减少了加工步骤和成本
颗粒状多晶生产工艺硅晶种制造系统

[发明专利]用于生产多晶硅颗粒的具有夹紧配件的流化床反应器及其方法和用途-CN201780019402.8有效
发明人： G·福斯特波音特纳尔;B·鲍曼 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： F16K7/04 文献下载
摘要：本发明涉及至少一个夹紧配件的用途，所述夹紧配件包括用于控制或终止粒状多晶硅流动的夹紧配件套筒，涉及用于生产颗粒多晶硅的流化床反应器设备，其中在所述设备中使用了至少一个这种夹紧配件(1、3、5、10、14)，并且涉及使用此类夹紧配件生产颗粒多晶硅的方法。尤其是，已经显示了由乙烯‑丙烯‑二烯橡胶和/或氟化弹性体制成的夹紧配件适合用于控制和/或终止粒状多晶硅的流动，尤其适合用于生产颗粒多晶硅的流化床反应器设备中。所述夹紧配件以恒久气密方式并低污染地控制或终止粒状多晶硅流动。所述夹紧配件套筒具有长工作寿命，是耐化学和耐热的，并且适于多晶硅的硬度和磨损。
用于生产多晶颗粒具有夹紧配件流化床反应器及其方法用途

[发明专利]颗粒状多晶硅及其制备-CN201310132657.9有效
发明人： D·韦克塞尔;R·豪斯维特 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2013-04-17 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明涉及颗粒状多晶硅及其制备。具体地涉及凸度为0.850-1.000，氯含量为10-40ppmw的颗粒状多晶硅；并涉及在流化床反应器中制备颗粒状多晶硅的方法，包括：借助于由加热装置加热的流化床中气流使硅晶种颗粒流化，加入含硅和卤素的反应气体，通过热解使元素硅在热晶种颗粒表面沉积，形成颗粒状多晶硅，从反应器中去除由于沉积直径已长成的颗粒和包含卤化氢的废气并计量加入新晶种颗粒；特征在于测定废气中卤化氢浓度作为控制变量并控制新的晶种颗粒的计量加入速率和加热装置的热输出量作为操作变量，使操作期间废气中卤化氢浓度保持在以上述范围，且进一步特征在于颗粒状多晶硅包含凸度为0.850-1.000的颗粒。
颗粒状多晶及其制备

[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管制造方法-CN201210004411.9有效
发明人：许民庆;吴钊鹏;庄涂城;余鸿志;吴宏哲 -专利权人：深超光电(深圳)有限公司
申请日： 2012-01-09 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明为一种低温多晶硅薄膜晶体管制造方法，该方法为在一基板上形成一非晶硅层，接着对该非晶硅层进行去氢处理，此时即使非晶硅层成为一微晶粒状，其后在该微晶粒状的非晶硅层上再形成一层未微晶粒化的非晶硅层，再接着对该非晶硅层上进行去氢处理使非晶硅层也成为一微晶粒状，然后继续重复形成该非晶硅层并进行去氢处理，以形成多层微晶粒状的非晶硅层，最后再进行一准分子激光退火工艺，使该多层微晶粒状的非晶硅层结晶成为一多晶硅层，其中该多晶硅层因为经过预处理成为多层微晶粒状的非晶硅层后再进行准分子激光退火工艺，使多晶硅层之晶粒变得更大，因此载子迁移率也变大。
低温多晶薄膜晶体管制造方法

[发明专利]多晶硅铸锭边皮料的去杂质方法-CN201410733691.6在审
发明人：付红平;章金兵;刘渝龙;彭也庆 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种多晶硅铸锭边皮料的去杂质方法，包括步骤：对多晶硅铸锭边皮料进行破碎处理，得到目标尺寸的多晶硅料；将目标尺寸的多晶硅料放置于酸性腐蚀液或碱性腐蚀液中浸泡，去除多晶硅料表面的碳化硅、氮化硅或金属等杂质；将浸泡后的多晶硅料用纯水冲洗至溶液呈中性；将多晶硅料烘干。通过先利用颚式破碎机将片状或块状的多晶硅铸锭边皮料进行破碎，得到颗粒状的多晶硅料，从而使得更多的内嵌杂质暴露于多晶硅料表面，进而利用酸溶液或碱溶液对多晶硅料进行腐蚀，使得内嵌杂质从多晶硅料表面剥离，达到除去杂质的效果
多晶铸锭边皮料杂质方法

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