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- [发明专利]等离子体处理设备与溅镀系统-CN201380039732.5有效
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卢多维克·葛特;阿德金·沙拉积历
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瓦里安半导体设备公司
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2013-07-25
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2017-03-22
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C23C14/34
- 揭示一种等离子体处理设备(200)与溅镀系统。所述等离子体处理设备包括经配置以在处理腔室(202)中产生等离子体(140)的源(206)与等离子体鞘调节器(208)，处理腔室(202)具有邻近工件(138)的前表面的等离子体鞘(242)。等离子体鞘调节器控制等离子体与等离子体鞘之间的边界(241)的形状，使得所述边界的形状的一部分不平行于由工件的朝向等离子体的前表面定义的平面(151)。金属靶材(209)附加于等离子体鞘调节器的后表面，以与等离子体鞘调节器电性地隔离，且金属靶材被电性地施加偏压，使得离开等离子体且穿过等离子体鞘调节器中的孔洞的离子(102)被吸引朝向金属靶材。这些离子造成金属靶材被溅射，从而允许工件的三维金属沉积。
- 等离子体处理设备系统
- [发明专利]一种产生无鞘层等离子体的设备及方法-CN201810232924.2有效
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赵海龙;郑薇薇;林忠英
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台州学院
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2018-03-21
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2022-02-18
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H05H1/46
- 本发明公开了一种产生无鞘层等离子体的设备及方法，通过在等离子体产生区域的外围设置使等离子体区域外围形成涡旋气流的装置，使等离子体区域向外运动的电子与等离子体区域外围的高密度中性气体气流碰撞损失能量并与离子中和，进而形成无鞘层等离子体。设备包括在等离子体区域的外围均匀排布的多个气体射流源，多个气体射流源使等离子体区域外围形成涡旋气流。本发明通过在等离子体产生区域外围设置涡旋生成设备，通过高密度的中性气体流来碰撞向外运动的电子，通过碰撞中和电子，进而避免在壁面产生鞘层的情况，从而产生无鞘层边界的等离子体，本发明可以与各种等离子体发生设备相结合，为等离子体特性的研究及应用提供条件。
- 一种产生无鞘层等离子体设备方法
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