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[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN202010177559.7在审
发明人：酒井永典 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够高精度地判定等离子体处理装置的内壁的状态。使用了测定等离子体处理装置内的等离子体发光强度的检测器的等离子体处理方法包括以下工序：利用所述检测器来检测使用具有第一光轴的光测定出的第一等离子体发光强度，所述第一光轴是通过等离子体的生成区域后到达所述等离子体处理装置的内壁的光轴；利用所述检测器来检测使用具有第二光轴的光测定出的第二等离子体发光强度，所述第二光轴是以不通过等离子体的生成区域的方式到达所述等离子体处理装置的内壁的光轴；以及基于检测出的所述第一等离子体发光强度与所述第二等离子体发光强度的差或比率，来判定所述等离子体处理装置的内壁的状态。
等离子体处理方法装置

[发明专利]印刷装置及印刷物的制造方法-CN201980026676.9在审
发明人：石塚崇;望月保嗣 -专利权人：阪田油墨股份有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： B41M7/00 文献下载
摘要：本发明课题在于得到一种印刷装置及印刷物的制造方法，可在使用由远程型的等离子体产生装置生成的等离子体的同时，使印刷后的记录组成物充分干燥、固化。具体而言，作为解决方法，提供了一种印刷装置，其具备：印刷部，使记录用组成物附着在印刷媒体的表面上来进行印刷；等离子体生成部，由等离子体生成室构成，所述等离子体生成室具备将等离子体原料气体的气流导入到内部的导入口，并使所述等离子体原料气体在其内部等离子化而形成等离子体改性气体的气流，且具备使该气流向外部放出的等离子体放出口；及等离子体照射部，使从所述等离子体放出口放出的包含等离子体改性气体及/或由其形成的等离子体消光气体的气流与被所述印刷部印刷后的印刷媒体的表面接触
印刷装置制造方法

[发明专利]一种基于进气分布控制的等离子体密度分布调控方法-CN202110376609.9在审
发明人：李志炜;范斌;雷柏平;邵俊铭;罗倩;刘盾;高国涵;辛强;刘海涛;毛羽丰 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基于进气分布控制的等离子体密度分布调控方法，利用对等离子体放电密度分布的实时监测反馈，对进气气流分布进行即时调控，从而调控等离子体密度分布乃至等离子体放电状态。该发明可以实时、精确调控等离子体放电状态，获得需要的等离子体密度分布，或者基于闭环控制维持稳定的等离子体放电状态。调控原理简单，易于实现，适用于半导体行业等离子体均匀去除或者光学加工领域的等离子体稳定去除工艺。
一种基于分布控制等离子体密度调控方法

[发明专利]一种基于表面耦合诱导等离子体的冷链消毒装置及方法-CN202110287149.2在审
发明人：沈俊;高新强;张麟德;李振兴;莫兆军;李珂;王利晨;陈琪 -专利权人：中国科学院江西稀土研究院
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： A61L2/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于表面耦合诱导等离子体的冷链消毒装置及方法，包括等离子体生成装置、等离子体稀释降温装置、等离子体消毒灭菌装置；所述等离子体稀释降温装置的一端与等离子体生成装置连接；所述等离子体稀释降温装置的另一端与等离子体消毒灭菌装置连接；利用表面耦合诱导等离子体，在常压低温的环境下，对冷冻冷藏货物进行消毒灭菌，特别是对冷链物流货物装卸、运输全过程实现消毒灭菌。
一种基于表面耦合诱导等离子体消毒装置方法

[发明专利]高效紧凑型聚变反应堆-CN201580030642.9在审
发明人：阿兰·赛克斯;米哈尔·格瑞亚耐维奇;大卫·金厄姆 -专利权人：托卡马克能量有限公司
申请日： 2015-04-09 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： G21B1/05 文献下载
摘要：该反应堆具有环形等离子体室和等离子体约束系统，此等离子体约束系统被布置成产生用于约束等离子体室中的等离子体的磁场。等离子体约束系统被配置成使得被约束的等离子体的主要半径为1.5m或更小。环形磁场运行于5T或更小，以及等离子体电流是5MA或更小。此外，所生成的α粒子约束在等离子体中。
高效紧凑型聚变反应堆

[发明专利]等离子体反应器线圈磁体系统-CN02816257.9无效
发明人：安德列·S·米特洛维奇 -专利权人：东京电子株式会社
申请日： 2002-09-04 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于处理工件的方法，利用等离子体处理操作期间得自于存在于等离子体处置装置等离子体室内的处理气体的等离子体执行。该装置包括周向围绕等离子体室安装的电磁体阵列。该方法包括由室内的处理气体产生等离子体并使等离子体粒子撞击工件，为电磁体选择电流信号分布，和将每个所选择的分布提供给电磁体从而在等离子体处理操作期间在等离子体上施加多于一种的磁场布局。
等离子体反应器线圈磁体系统

[发明专利]用于等离子体处理的装置-CN200580005315.4无效
发明人：殷永柏;马瑟拉·比莱克;大卫·麦克肯茨;安尼·格尔德·伊曼尼斯 -专利权人：悉尼大学
申请日： 2005-02-21 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H05H1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于基片表面(16)等离子体处理的装置(10)。该装置包括用于产生等离子体的等离子体源(12)和等离子体控制电极(14)。该装置还包括驱动装置，用于实现所述等离子体控制电极(14)和等离子体源(12)之间的相对运动，或所述等离子体控制电极(14)和等离子体源(12)相对于所述基片(16)的相对运动。所述等离子体控制电极(14)靠近所述基片(16)，以方便采用可控的方式进行所述基片(16)表面的处理。
用于等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法及应力氮化硅膜的形成方法-CN200810113999.5有效
发明人：吴汉明;王国华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法，包括：将半导体基底置于等离子体处理腔室中；向所述等离子体处理腔室中注入产生等离子体的物质；向所述等离子体处理腔室中注入能受激产生紫外线的气体；打开所述等离子体装置激励源，激励所述产生等离子体的物质形成等离子体，利用所述等离子体对所述半导体基底进行等离子体处理；所述能够受激产生紫外线的气体受等离子体激发，产生紫外线；产生的紫外线辐射半导体基底表面。该方法的紫外线处理能够与等离子处理工艺原位进行，使工艺简化。
等离子体处理腔室中原位紫外线方法应力氮化形成

[实用新型]一种等离子体驱动装置-CN200420029732.5无效
发明人：秦友刚 -专利权人：石家庄钢铁股份有限公司
申请日： 2004-09-11 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： H05H1/18 文献下载
摘要：一种等离子体驱动装置，属等离子体技术领域，用于解决利用等离子体作驱动动力的问题，其技术方案是；它包括真空腔、微波源、初级真空泵、出口阀、等离子体输送管，环绕等离子体输送管设有定子铁芯，定子铁芯靠近等离子体输送管一侧绕有交流绕组线圈采用这种结构的等离子体驱动装置，可实现等离子体驱动的全封闭、非接触、高低速任意可调，可用于超高真空泵、各种速度下的等离子体镀膜、低压等离子粒子束及实现其它等离子体的定向运动。由于该方法更容易控制等离子体处理的量度、纯度和气氛，特别适合于高精尖的材料科学研究和制造领域。
一种等离子体驱动装置

[发明专利]使用多脉冲等离子体源连续供应负离子的系统和方法-CN201880074595.1有效
发明人：许诚烈 -专利权人：韩国原子力研究院
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01J27/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种使用多脉冲等离子体源连续供应负离子的系统和方法。该系统包括：多个等离子体发生器，每个等离子体发生器用于通过将脉冲功率施加到来自气体源的负电性气体来产生等离子体；负离子供应单元，连接至等离子体发生器，以接收从其中传递的等离子体并连续供应离子；以及控制器，连接至多个等离子体发生器，并被配置成用于控制递送到各个等离子体发生器的脉冲功率的特性，以及用于调节与脉冲功率包络相关联的相移。通过调节相移，当等离子体发生器中的一个等离子体发生器中的等离子体处于活动辉光状态时，控制器使另一个等离子体能够处于后辉光状态。为了实现这一点，多个等离子体发生器根据相移以交替的方式生成等离子体。因此，从在后辉光状态下的一个等离子体发生器供应到负离子供应单元的负离子的附加供应可以补偿从在活动辉光状态下的另一个等离子体发生器到负离子供应单元的负离子供应的减少的量，导致连续供应负离子，同时使负离子供应单元中的负离子密度随时间保持恒定
使用脉冲等离子体连续供应负离子系统方法

[发明专利]等离子体中活性氮氧化物种时空分布的检测系统-CN202310001378.2在审
发明人：刘晨;丁洪斌;冯春雷;吴鼎 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明涉及低温等离子体诊断技术领域，提供一种等离子体中活性氮氧化物种时空分布的检测系统，包括：宽带连续光源用于提供初始探测光束；光束整形切片系统用于将初始光束转换为片状平行探测光束；高精度时序可控电源用于提供高压激励源本发明能够方便有效地诊断等离子体中产生的活性氮氧化物种的时空演化行为。
等离子体活性氧化物种时空分布检测系统

[发明专利]一种用于等离子体密度测量的莱曼束发射谱诊断装置-CN202211666857.8在审
发明人：周艺轩;余羿;柯锐;许敏;李继全;聂林;王占辉 -专利权人：核工业西南物理研究院
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G21B1/23 文献下载
摘要：本发明涉及磁约束聚变实验装置等离子体密度测量技术领域，具体涉及一种用于等离子体密度测量的莱曼束发射谱诊断装置，包括：收光系统、分光系统、探测系统和采集控制系统；收光系统的一端与分光系统的一端密封连接，分光系统的另一端与探测系统的一端密封连接本发明突破传统束发射谱诊断因测量原理导致的厘米级空间分辨率限制，实现对等离子体密度及其扰动的更高精度测量。
一种用于等离子体密度测量束发诊断装置

[发明专利]一种等离子体密度极限破裂预警和缓解系统-CN202211712870.2在审
发明人：陈伟;施培万;石中兵 -专利权人：核工业西南物理研究院
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G21B1/05 文献下载
摘要：本发明属于核科学技术领域，具体涉及一种等离子体密度极限破裂预警和缓解系统，该系统包括：等离子体、扰动量测量诊断系统、平衡量测量诊断系统、频谱分析仪、一般鱼骨模色散关系求解器、中央处理器、送气控制系统、托卡马克送气系统本发明系统针对磁约束聚变装置高电子密度运行时容易产生等离子体破裂的实验现象，通过测量高密度条件下激发的动理气球模作为预警信号，通过送气系统和电子回旋加热系统等外部手段降低电子密度或者控制动理气球模从而实现对密度极限破裂的缓解
一种等离子体密度极限破裂预警缓解系统

[发明专利]衬底处理装置中的等离子体-CN202010564372.2在审
发明人： N·霍尔姆;铃木俊哉 -专利权人：皮考逊公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及衬底处理装置中的等离子体。衬底处理装置(100)及相关方法，其中等离子体物质经由等离子体进料线(115)而被引入到针对沉积目标(160)的反应室(130)中。等离子体进料线(115)经过等离子体形成区。在等离子体进料线内的等离子体物质的速度通过等离子体形成区下游的收缩部(112)而加速。
衬底处理装置中的等离子体

[发明专利]零部件、形成耐等离子体涂层的方法和等离子体反应装置-CN202010432447.1在审
发明人：段蛟;孙祥;陈星建 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，公开了一种用于等离子体反应装置中的零部件、零部件形成耐等离子体涂层的方法和等离子体反应装置。一种用于等离子体反应装置中的零部件，等离子体反应装置包括反应腔，反应腔内为等离子体环境，零部件暴露于等离子体环境中，零部件包括：非氧化物基底；耐等离子体涂层，耐等离子体涂层涂覆于非氧化物基底表面，耐等离子体涂层为稀土金属化合物，耐等离子体涂层和非氧化物基底之间通过饱和化学键过渡。本发明提供的零部件，在非氧化物基底与耐等离子体涂层之间的界面通过饱和的化学键实现过渡，降低耐等离子体涂层脱落的风险，提高耐等离子体涂层的服役寿命。
零部件形成等离子体涂层方法反应装置