专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]等离子处理装置-CN201180037725.2有效
  • 节原裕一;江部明宪 - 国立大学法人大阪大学;EMD株式会社
  • 2011-08-02 - 2013-06-12 - H01L21/205
  • 本发明的课题在于提供一种能够根据离解的气体分子的种类或其离解能来容易地控制等离子中的电子的能量分布的等离子处理装置。本发明的等离子处理装置(10)具备:等离子处理室(11);与等离子处理室(11)连通的等离子生成室(12);用于生成等离子的高频天线(16);用于控制等离子中的电子的能量的等离子控制板(17);用于调整等离子控制板(17)的位置的操作棒(171)及移动机构(172)。在该等离子处理装置(10)中,仅通过利用移动机构(172)使操作棒(171)沿着长度方向移动来调整高频天线(16)与等离子控制板(17)之间的距离,就能够控制在等离子生成室(12)内生成的等离子的电子的能量分布,因此能够容易地进行与离解的气体分子的种类或其离解能对应的等离子处理
  • 等离子体处理装置
  • [发明专利]等离子处理系统和设备,及用于输送射频功率至等离子处理室的方法-CN00809597.3有效
  • 安德瑞斯·费舍尔;巴巴科·卡德库达因;安德拉斯·库蒂 - 拉姆研究公司
  • 2000-06-15 - 2002-07-10 - H01J37/32
  • 本发明提供一种等离子处理设备与系统,及用以输送射频功率至等离子处理室的方法。等离子处理系统包括一个射频产生器、一个等离子室、一个匹配网络盒、第一电缆、第二电缆,及用以电隔离匹配网络盒的装置。射频产生器产生射频功率以传送至等离子室。等离子室接收射频功率以处理晶片且在等离子处理期间由内阻抗来作为特征。等离子室有一面或多面墙壁可用以返回射频电流。匹配网络盒能够接收射频电流并产生阻抗使得等离子室的内阻抗可以和射频产生器的阻抗相匹配。第一电缆连接射频产生器与匹配网络盒以在射频产生器与匹配网络盒之间传送射频功率。第二电缆连接匹配网络盒与等离子室以在匹配网络盒与等离子室之间传送射频功率。第二电缆为射频返回电流提供一个从等离子室至匹配网络盒之间的返回路径。电隔离装置使匹配网络盒隔离防止其与等离子室作电接触,使得仅有第二电缆可以提供射频返回电流从等离子室至匹配网络盒的返回路径。
  • 等离子体处理系统设备用于输送射频功率方法
  • [实用新型]一种有机废气低温等离子处理设备-CN202222608765.6有效
  • 章旭明;韩竞一;冯亮;祝雨明 - 海宁蓝光环保科技有限公司
  • 2022-09-30 - 2023-02-24 - B01D53/32
  • 本实用新型公开了一种有机废气低温等离子处理设备,包括低温等离子设备、进气管和气罐,所述低温等离子设备一端通过法兰连接有进气管,所述进气管内部通过螺栓固定有结构块,所述结构块内部等距开设有用于降低气体流速的蛇形槽,所述进气管顶部通过螺栓固定有盒,所述盒体内部两端通过安装架安装有抽风扇。本实用新型可以在有机废气进入低温等离子设备之前对其进行降温,避免温度较高的有机废气影响低温等离子设备的净化效率,同时可以将臭氧加入低温等离子设备内,提高低温等离子设备对有机废气的净化效率。
  • 一种有机废气低温等离子体处理设备
  • [发明专利]等离子处理方法和等离子处理装置-CN202010177559.7在审
  • 酒井永典 - 东京毅力科创株式会社
  • 2020-03-13 - 2020-09-29 - H01J37/32
  • 本发明提供一种等离子处理方法和等离子处理装置,能够高精度地判定等离子处理装置的内壁的状态。使用了测定等离子处理装置内的等离子发光强度的检测器的等离子处理方法包括以下工序:利用所述检测器来检测使用具有第一光轴的光测定出的第一等离子发光强度,所述第一光轴是通过等离子的生成区域后到达所述等离子处理装置的内壁的光轴;利用所述检测器来检测使用具有第二光轴的光测定出的第二等离子发光强度,所述第二光轴是以不通过等离子的生成区域的方式到达所述等离子处理装置的内壁的光轴;以及基于检测出的所述第一等离子发光强度与所述第二等离子发光强度的差或比率,来判定所述等离子处理装置的内壁的状态。
  • 等离子体处理方法装置

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