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- [发明专利]等离子体处理装置-CN201180037725.2有效
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节原裕一;江部明宪
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国立大学法人大阪大学;EMD株式会社
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2011-08-02
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2013-06-12
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H01L21/205
- 本发明的课题在于提供一种能够根据离解的气体分子的种类或其离解能来容易地控制等离子体中的电子的能量分布的等离子体处理装置。本发明的等离子体处理装置(10)具备:等离子体处理室(11);与等离子体处理室(11)连通的等离子体生成室(12);用于生成等离子体的高频天线(16);用于控制等离子体中的电子的能量的等离子体控制板(17);用于调整等离子体控制板(17)的位置的操作棒(171)及移动机构(172)。在该等离子体处理装置(10)中,仅通过利用移动机构(172)使操作棒(171)沿着长度方向移动来调整高频天线(16)与等离子体控制板(17)之间的距离,就能够控制在等离子体生成室(12)内生成的等离子体的电子的能量分布,因此能够容易地进行与离解的气体分子的种类或其离解能对应的等离子体处理。
- 等离子体处理装置
- [发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN202010177559.7在审
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酒井永典
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东京毅力科创株式会社
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2020-03-13
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2020-09-29
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H01J37/32
- 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置,能够高精度地判定等离子体处理装置的内壁的状态。使用了测定等离子体处理装置内的等离子体发光强度的检测器的等离子体处理方法包括以下工序:利用所述检测器来检测使用具有第一光轴的光测定出的第一等离子体发光强度,所述第一光轴是通过等离子体的生成区域后到达所述等离子体处理装置的内壁的光轴;利用所述检测器来检测使用具有第二光轴的光测定出的第二等离子体发光强度,所述第二光轴是以不通过等离子体的生成区域的方式到达所述等离子体处理装置的内壁的光轴;以及基于检测出的所述第一等离子体发光强度与所述第二等离子体发光强度的差或比率,来判定所述等离子体处理装置的内壁的状态。
- 等离子体处理方法装置
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