“等离子体处理装置 ”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果18866782个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]工件处理装置-CN200810099703.9无效
发明人：岩崎龙一;万川宏史;增田滋;林博史;三毛正明 -专利权人：诺日士钢机株式会社
申请日： 2008-05-21 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种工件处理装置(S)，包括：等离子体发生装置(6)，具有将提供的规定气体等离子体化的等离子体发生部(18)，并从所述等离子体发生部(18)放出等离子体化的气体；输送装置(2)，在所述等离子体发生部(18)的下方支撑作为处理对象的工件(W)；通过对所述工件(W)照射等离子体化的气体，执行规定的处理；所述工件处理装置(S)还包括安装框(4)，用于安装所述等离子体发生装置(6)，以使所述等离子体发生部而且，所述等离子体发生装置(6)相对于所述安装框(4)安装成可以从使所述等离子体发生部(18)配置在工件(W)上方的安装位置沿水平方向拉出。
工件处理装置

[发明专利]一种微波等离子体处理塑料垃圾装置-CN201711076960.6在审
发明人：张贵新;黄诗洋;刘程;谢宏;邓磊 -专利权人：清华大学
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： B09B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及微波等离子体用于垃圾处理领域，提供一种微波等离子体处理塑料垃圾装置，包括预处理区，通过进料通道与预处理区相连的微波等离子体反应炉，还包括与微波等离子体反应炉通过出料通道相连的后处理区，进料通道和出料通道连接于微波等离子体反应炉的同侧；微波等离子体反应炉内连接若干第一微波等离子体管，第一微波等离子体管背离进料通道和出料通道设置，微波等离子体反应炉远离进料通道和出料通道的一端连接反应残留物处理室。该微波等离子体处理塑料垃圾装置具有方便清理微波等离子体反应炉中未完全裂解残留物，提高塑料垃圾处理效率。
一种微波等离子体处理塑料垃圾装置

[发明专利]等离子体处理设备和方法-CN201880084092.2有效
发明人：马绍铭;仲華;杨晓晅;D·V·德塞;瑞安·M·帕库尔斯基 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了等离子体处理设备和方法。在一个示例实施方式中，等离子体处理设备包括处理室。等离子体处理设备包括设置于处理室中的基座。基座用于支撑工件。等离子体处理设备包括在竖直方向上设置于处理室上方的等离子体室。等离子体室包括介电侧壁。等离子体处理设备包括将处理室与等离子体室分开的分离格栅。等离子体处理设备包括邻近介电侧壁的第一等离子体源。第一等离子体源用于在分离格栅上方的等离子体室中产生远程等离子体。等离子体处理设备包括第二等离子体源。第二等离子体源用于在分离格栅下方的处理室中产生直接等离子体。
等离子体处理设备方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN201380002694.6有效
发明人：赤野真也 -专利权人：中外炉工业株式会社
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，即使等离子体与被处理品接近，也能使等离子体与被处理品隔离。本发明的等离子体处理装置1包括腔室（2），该腔室（2）内部具有对被处理品（5）进行保持的保持空间（2a）、以及要形成等离子体的等离子体空间（2b）；向等离子体空间内（2b）放出电子来形成等离子体的等离子体枪（3）；以及在保持空间（2a）与等离子体空间（2b）之间形成横穿腔室（2）的磁通的至少一对位置可调节的对置磁铁（4）。
等离子体处理装置

[发明专利]用于液体的等离子体活化的装置和方法-CN202110411032.0在审
发明人： K·布鲁内克;A·诺伊格鲍尔 -专利权人：厄比电子医学有限责任公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明涉及用于液体的等离子体活化的装置和方法。利用本发明，提供了一种用于产生具有限定特性的等离子体活化的液体（F）的装置（10）。该装置（10）包括设有等离子体施加器（29）的等离子体施加装置（25），其中，在等离子体施加装置（25）中，使液体（F）与气体等离子体（30）接触。传感器装置（36）用于至少按照通过等离子体处理产生的物种来分析经等离子体处理的液体（F）的组分。基于传感器装置（36）检测到的一种或多种物种的浓度，可调整或修改等离子体施加装置（25）中的液体（F）的处理参数。由此，提供了用于患者的处理的具有限定特性的经等离子体处理的液体（F）。
用于液体等离子体活化装置方法

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN201210276306.0无效
发明人：高桥哲朗;藤野丰;户岛宏至;久保敦史;康松润;P·芬泽克;瀬川澄江 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。
等离子体处理方法装置

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN200880024210.7有效
发明人：高桥哲朗;藤野丰;户岛宏至;久保敦史;康松润;P·芬泽克;濑川澄江 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。
等离子体处理方法装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN202110749578.7在审
发明人：田吹圭司;户根川大和;五十岚一将;矢部和雄 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，提供一种能够抑制微粒向基板的附着的技术。本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，其具有纵型的筒体状，在处理容器的侧壁形成有开口，在所述处理容器内部将多个基板分多层收容；等离子体划分壁，其气密地设置于所述处理容器的外壁，覆盖所述开口并且规定等离子体生成空间；等离子体电极，其沿着所述等离子体划分壁设置；以及处理气体供给部，其设置于所述等离子体生成空间的外部，供给等离子体生成用气体。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法-CN201780096699.8有效
发明人：药师神弘士;渡边勇人;芝本雅弘 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：提供有利于均匀地处理基板的技术。等离子体处理装置具备：处理室，用于对基板进行处理；等离子体产生部，用于产生等离子体；输送部，其中在上述等离子体产生部中产生的等离子体被输送至上述处理室；及扫描磁场产生部，产生使上述等离子体偏转的磁场以通过上述等离子体扫描上述基板，上述扫描磁场产生部的构成使得上述等离子体的轨迹的中心是能够调整的。
等离子体处理装置方法

[发明专利]使用等离子体放电水的防疫系统以及将等离子体放电水雾化成液滴的喷嘴-CN202180021022.4在审
发明人：洪镛澈;李义宰;金刚逸 -专利权人：韩国核融合能源研究院
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： A61L2/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用等离子体放电水的防疫系统以及喷嘴。使用所述等离子体放电水的防疫系统，包括：等离子体放电水生成装置；被处理水供给部，用于向所述等离子体放电水生成装置供给被处理水；等离子体放电水吐出部，连接于所述等离子体放电水生成装置的一侧；以及喷嘴，与所述等离子体放电水生成装置连接成可互通流体，由所述等离子体放电水吐出部供给等离子体放电水，所述喷嘴将所供给的等离子体放电水雾化成液滴后喷洒。
使用等离子体放电防疫系统以及水雾化成喷嘴

[发明专利]等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法及应力氮化硅膜的形成方法-CN200810113999.5有效
发明人：吴汉明;王国华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法，包括：将半导体基底置于等离子体处理腔室中；向所述等离子体处理腔室中注入产生等离子体的物质；向所述等离子体处理腔室中注入能受激产生紫外线的气体；打开所述等离子体装置激励源，激励所述产生等离子体的物质形成等离子体，利用所述等离子体对所述半导体基底进行等离子体处理；所述能够受激产生紫外线的气体受等离子体激发，产生紫外线；产生的紫外线辐射半导体基底表面。该方法的紫外线处理能够与等离子处理工艺原位进行，使工艺简化。
等离子体处理腔室中原位紫外线方法应力氮化形成

[发明专利]等离子体处理装置-CN202210905433.6在审
发明人：金秀燕;梁熙俊;尹昇好;丁世勋 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：根据一实施例的等离子体处理装置包括：电源供应部；等离子体电极，连接于所述电源供应部；等离子体处理部，被设置所述等离子体电极；工艺气体排出管，连接于所述等离子体处理部；以及气体方向变换部，位于所述等离子体处理部与所述工艺气体排出管之间
等离子体处理装置

[发明专利]感应耦合等离子体处理装置-CN201010557565.1有效
发明人：佐藤亮;齐藤均;山本浩司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种感应耦合等离子体处理装置和等离子体处理方法，该感应耦合等离子体处理装置能够不提高装置成本和电力成本地在等离子体处理的过程中进行等离子体状态的控制。在处理室(4)的上方，隔着电介质壁(2)配置有通过被供给高频电力在处理室(4)内形成感应电场的高频天线(13)，通过等离子体发光状态检测部(40)检测通过感应电场在所述处理室内形成的感应耦合等离子体的发光状态，根据该等离子体发光状态检测部(40)的检测信息，控制单元(50)控制调节包括高频天线的天线电路的特性的调节单元(21)，由此控制等离子体状态。
感应耦合等离子体处理装置

[发明专利]感应耦合等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN200810181115.X有效
发明人：佐藤亮;齐藤均;山本浩司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-11-21 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种感应耦合等离子体处理装置和等离子体处理方法，该感应耦合等离子体处理装置能够不提高装置成本和电力成本地在等离子体处理的过程中进行等离子体状态的控制。在处理室(4)的上方，隔着电介质壁(2)配置有通过被供给高频电力在处理室(4)内形成感应电场的高频天线(13)，通过等离子体发光状态检测部(40)检测通过感应电场在所述处理室内形成的感应耦合等离子体的发光状态，根据该等离子体发光状态检测部(40)的检测信息，控制单元(50)控制调节包括高频天线的天线电路的特性的调节单元(21)，由此控制等离子体状态。
感应耦合等离子体处理装置方法

[发明专利]一种等离子体处理装置-CN202011491408.5在审
发明人：邱勇;吴堃;张鹏兵;陈世名 -专利权人：上海谙邦半导体设备有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置，包括：反应腔主体，所述反应腔主体的顶部设置有等离子体通道板，所述等离子体通道板包括：等离子体通道板主体；环绕所述等离子体通道板主体的侧部的通道板定位件；位于所述通道板定位件和所述反应腔主体的顶壁之间的导电导热环；位于所述等离子体通道板主体上方的等离子体发生单元。所述等离子体处理装置能够避免等离子体通道板在高温条件下损伤以及等离子体通道板接地不良的问题。
一种等离子体处理装置