“等离子体位形”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1992501个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种等离子体催化流化床处理有机废气方法-CN201410849939.5无效
发明人：杜长明 -专利权人：中山大学
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： B01D53/86 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体催化流化床处理有机废气方法，将待处理的有机废气引入包括等离子体流化床和高压电源的等离子体装置内；启动高压电源；刀形不锈钢电极在高压电的作用下在电极之间最小距离处形成击穿放电，有机废气驱动击穿放电快速沿着电极表面向下游移动形成非热电弧等离子体，使有机废气中的空气转变成含有大量的活性物种活性气体，驱动不锈钢网内的含贵金属Pd、Pt活性组分的γ-Al₂O₃颗粒催化剂流化，形成等离子体流化床，有机废气在等离子体和催化耦合作用下降解和矿化为无机物本发明集等离子体和催化技术为一体，尤其适合小风量、高浓度有机废气的治理，并可根据实际情况组装成移动式等离子体催化流化床净化有机废气设备。
一种等离子体催化流化床处理有机废气方法

[发明专利]一种球形纳米钨粉的制备方法-CN201110180705.2无效
发明人：袁方利;张海宝;白柳杨;尹春雷 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： B22F9/28 文献下载
摘要：本发明公开一种采用高频Ar+NH3+H2混合气等离子体直接还原APT(仲钨酸铵)一步制备球形纳米钨粉的方法。在高频等离子体装置中，中心气和边气采用Ar，载气采用NH3和H2，建立持续稳定运行的高频Ar+NH3+H2混合气等离子体。原料APT通过加料器在载气带动下加入等离子体中，在高反应活性Ar+NH3+H2混合气等离子体气氛下被一步还原为金属钨，经后续冷却、收集得到球形纳米钨粉。Ar+NH3+H2混合气等离子体的优点是弧柱体长而粗，柱体饱满，尾焰无缺口，克服了普通高频Ar+H2等离子体弧柱体收缩、尾焰存在缺陷和反应时间短的问题，延长了物料在等离子体弧中停留时间，强化了APT还原过程，得到了形纳米钨粉。
一种球形纳米制备方法

[发明专利]确定行星际等离子体密度总含量及电波路径延迟的方法-CN202210144478.6在审
发明人：陈光明;曹建峰;李勰;陈略;张晓芳;满海钧;高红;刘舒莳;谭永政;高峰 -专利权人：北京航天飞行控制中心
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本公开提供一种确定行星际等离子体密度总含量及电波路径延迟的方法，确定行星际等离子体密度总含量的方法包括：获取行星际等离子体在观测点处的等离子体密度和等离子体速度；根据等离子体速度，确定对行星际等离子体的初始观测时刻；根据等离子体密度，确定行星际等离子体密度总含量。根据本公开的确定行星际等离子体密度总含量及电波路径延迟的方法解决了无法准确确定行星际等离子体所引起的电波折射的问题，可以基于实测等离子体密度和速度，计算观测点与深空探测器间的等离子体密度总含量，从而确定等离子体引起的电波路径延迟
确定行星等离子体密度含量电波路径延迟方法

[发明专利]等离子体控制装置和等离子体处理系统-CN202211629767.1在审
发明人：陈厦东;高时永;金南均;李庆旼;林成龙;金成烈;沈承辅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了一种等离子体控制装置，包括：等离子体电极，设置在等离子体腔室中，并且具有基频的射频(RF)功率被施加到该等离子体电极以生成等离子体；边缘电极，与等离子体电极相邻设置，并且对应于等离子体边缘边界区；以及等离子体控制电路，电连接到边缘电极，该等离子体控制电路被配置为控制基频分量、由等离子体的非线性生成的谐波分量以及由基频分量和谐波分量中的每一个和等离子体腔室中的频率分量生成的互调失真频率分量在等离子体边缘边界区中的电边界条件，其中，等离子体控制电路被配置为改变电边界条件以控制等离子体腔室中的驻波。
等离子体控制装置处理系统

[发明专利]大气常压差分输出激励低温等离子体玻璃清洗装置-CN201610712284.6有效
发明人：陈选章;万良淏 -专利权人：南京苏曼等离子科技有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： B08B11/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体清洗设备，具体为一种大气常压差分输出激励低温等离子体玻璃清洗装置，包括低温等离子体激励部分和低温等离子体发生装置；所述低温等离子体激励部分包括低温等离子体电源发生器，低温等离子体变压器；低温等离子体发生装置包括两只电极，所述低温等离子体电源发生器通过等离子体变压器与两只等离子体电极相连；低温等离子体发生装置还包括低温等离子体电极间隙调整装置、等离子体电极固定端板、整体金属方形支架，和散热排风的接口
大气常压输出激励低温等离子体玻璃清洗装置

[发明专利]智能化等离子体刷系统及其实现方法、装置、存储介质-CN202210998359.7有效
发明人：常华梅;方志;金珊珊;刘诗筠;赵亚军;时贞平 -专利权人：江苏容正医药科技有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： A61N1/44 文献下载
摘要：本说明书实施例提供一种智能化等离子体刷系统及其实现方法、装置、存储介质，该系统包括输入装置、电源装置、等离子体生成装置、等离子体刷、移动装置、摄像装置，以及控制器；电源装置用于对智能化等离子体刷系统进行供电；等离子体生成装置用于生成等离子体；等离子体刷用于发射等离子体；移动装置连接等离子体刷，移动装置用于接收等离子体刷的移动指令，并带动等离子体刷移动至目标区域；控制器用于从输入装置获取目标区域，并控制等离子体刷在移动装置的带动下移动至目标区域；从摄像装置获取第一图像，基于第一图像确定等离子体刷的等离子体参数以及治疗时间。
智能化等离子体系统及其实现方法装置存储介质

[发明专利]等离子体刻蚀装置-CN201911000922.1在审
发明人：赵博超;施洋;郑江楠 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：本申请涉及半导体加工设备技术领域，具体涉及一种等离子体刻蚀装置。本申请实施例提供了一种等离子体刻蚀装置，包括反应腔，反应腔内设置有:静电吸盘，静电吸盘用于吸附待处理晶片；等离子体束释放口，等离子体束缚口用于形成轰击待处理晶片的等离子体束；电场发生器，电场发生器用于产生电场；当等离子体刻蚀装置工作时，反应腔内形成有磁场，磁场沿着等离子体束的径向延伸；电场沿等离子体束的轴向延伸。本申请通过电场轴向穿过等离子体束，磁场径向穿过等离子体束，从而使得等离子体束中会形成环向等离子体流，使得等离子体束中的等离子体分布均匀，提高等离子体束的稳定性。
等离子体束等离子体刻蚀装置电场反应腔待处理晶片电场发生器静电吸盘磁场申请半导体加工设备等离子体分布等离子体等离子体流磁场径向径向延伸轴向穿过轴向延伸释放口轰击环向吸附穿过束缚

[发明专利]洗碗机及其液相等离子体杀菌系统、控制方法和控制装置-CN202310081844.2在审
发明人：胡逢亮;张秋俊;巨姗;莫维广;胡紫嫣;李春莹 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： A47L15/00 文献下载
摘要：本发明涉及洗碗机及其液相等离子体杀菌系统、控制方法和控制装置，液相等离子体杀菌系统包括等离子体发生装置，等离子体发生装置包括储液室和等离子体发生单元，等离子体发生单元电解产生的等离子体能够溶解于储液室的液体中以制备等离子体溶液，等离子体发生单元包括适于与供电电源的火线连接的放电电极，方法包括：控制等离子体发生装置启动；获取储液室中等离子体溶液的实时PH值；基于实时PH值与预设目标PH值的关系，实时调整所述供电电源的电压幅值以控制所述等离子体溶液的溶度本发明实现了根据等离子体溶液当前的浓度来调节等离子体溶于液体的速度，可以维持等离子体溶液浓度的恒定，从而保证杀菌性能的稳定性，保证杀菌效果。
洗碗机及其相等离子杀菌系统控制方法装置

[发明专利]一种变温大气压等离子体产生装置-CN202210834196.9在审
发明人：石富坤;庄杰;朱凯 -专利权人：中国科学院苏州生物医学工程技术研究所
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种变温大气压等离子体产生装置，属于等离子体领域，包括等离子体用气源、等离子体产生部以及气体温度调节部，气体温度调节部包括涡流管，涡流管与等离子体用气源以及等离子体产生部连接，等离子体用气源向涡流管供气，涡流管调节气体温度使等离子体产生部产生确定温度的等离子体，本申请的变温大气压等离子体产生装置通过气流的气压使涡流管调节气体温度，使等离子体产生部产生确定温度的等离子体，无需外部能量源进行加热或制冷，使变温大气压等离子体产生装置整体结构简单，并且能耗小，使变温大气压等离子体产生装置能够产生不同温度的等离子体，适用不同场合，增强变温大气压等离子体产生装置的适用性。
一种大气压等离子体产生装置

[发明专利]用于设置具有自适应等离子体源的等离子体室的方法、使用该等离子体室的等离子体蚀刻方法和用于自适应等离子体源的制造方法-CN200480038583.1无效
发明人：宋荣洙;吴相龙;金升基;金南宪;吴荣根;李堵汉 -专利权人：自适应等离子体技术公司
申请日： 2004-12-22 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：这里所公开的是一种用于在等离子体室中生成等离子体的等离子体室设置方法。制备多个等离子体线圈，包括第一等离子体源线圈、第二等离子体源线圈和第三等离子体源线圈，该第二等离子体源线圈在其中心部分具有高于第一等离子体源线圈蚀刻速率的蚀刻速率，该第三等离子体源线圈在其边缘部分具有高于第一等离子体源线圈蚀刻速率的蚀刻速率将第一等离子体源线圈设置在等离子体室上，并蚀刻测试芯片。对测试芯片的每个位置的蚀刻速率进行分析，并基于分析结果利用第二等离子体源线圈或第三等离子体源线圈代替第一等离子体源线圈。
用于设置具有自适应等离子体方法使用蚀刻制造

[实用新型]等离子体设备-CN202223424556.2有效
发明人：王思宇;郭东;张赛谦 -专利权人：拓荆科技股份有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本实用新型提供一种等离子体设备，涉及等离子体处理技术领域。该等离子体设备包括电源装置、匹配装置、主等离子体装置和远程等离子体装置；电源装置和匹配装置均位于远程等离子体装置外；匹配装置内设有切换开关，电源装置和切换开关连接；主等离子体装置设有第一通电端，远程等离子体装置设有第二通电端该等离子体设备通过将电源装置和匹配装置均外置于远程等离子体装置外可以有效节约远程等离子体设备的内部空间、减小远程等离子体设备的体积和重量，且该等离子体设备通过切换开关可以择一向主等离子体装置和远程等离子体装置供电，保证主等离子体装置和远程等离子体装置分别可以正常工作。
等离子体设备

[发明专利]用浸润式低电感RF线圈和多尖端磁铁配置的感应耦合等离子体流体枪-CN201180055640.7有效
发明人：彼得·F·库鲁尼西;维克多·M·本夫尼斯特;奥利佛·V·那莫佛斯奇 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2011-10-07 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种离子布植系统中的等离子体流体枪。等离子体流体枪可包括具有一或多个孔的等离子体腔室(118)、能供应至少一种气体物质至等离子体腔室的气体源、设置于等离子体腔室里的单匝线圈(120)、及用来感应耦合射频电功率以激发等离子体腔室中至少一种气体物质以产生等离子体而耦合至线圈的电源等离子体腔室的内表面可以是不含金属的材料，且等离子体不可暴露于等离子体腔室里任何含金属的组件。等离子体腔室可包括多个用来控制等离子体的磁铁(126)。出口孔(124)可提供于等离子体腔室中以使得产出等离子体的负电荷粒子能参与离子束，其中离子束为相关离子布植系统的部份。在一个实施例中，磁铁可被设置在孔的相对侧上，且被用于操纵等离子体的电子。
浸润电感 rf 线圈尖端磁铁配置感应耦合等离子体流体

[发明专利]原子态等离子体形成装置及其应用-CN201910189788.8在审
发明人：刘新宇;尤楠楠;王盛凯;白云 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种原子态等离子体形成装置及其应用。该装置包括：微波等离子体反应单元，用于通过微波能量耦合待激发气体以激发产生等离子体火球；气压控制单元，与微波等离子体反应单元连通，用于向微波等离子体反应单元中输送待激发气体；原子态控制单元，分别与微波等离子体反应单元以及气压控制单元连通，用于对等离子体火球产生气体扰动以调控原子态等离子体与分子态等离子体的激发比例。该装置借助气体扰动，使等离子体维持在初期的原子态，实现了对原子态等离子体与分子态等离子体激发比例的调控；并且，该装置若不启动气体扰动，在等离子体起辉后，反应腔内将维持分子态等离子的激发，从而实现分子态等离子和原子态等离子的调控激发
原子态等离子体微波等离子体反应单元分子态气体扰动等离子等离子体形成装置等离子体火球气压控制单元激发激发气体连通调控等离子体激发等离子体起辉微波能量耦合反应腔应用

[发明专利]微波驱动的等离子体离子源-CN202180027304.5在审
发明人： M·坦纳 -专利权人：托夫沃克股份公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H05H1/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将待电离样品电离成样品离子的微波驱动的等离子体离子源(1)，该微波驱动的等离子体离子源(1)包括用于将样品从微波驱动的等离子体离子源(1)的外部送入微波驱动的等离子体离子源(1)的内部(3)的样品入口(6)；用于生成微波以从等离子体气体(100)生成等离子体(101)的微波发生器(10)；提供等离子体炬的定向方向(29)的等离子体炬(20)具有内部(21)，用于容纳(2)由等离子体气体(100)生成等离子体(101)的过程以及通过将样品暴露于等离子体(101)而将样品电离成样品离子的过程，其中等离子体炬(20)包括炬出口(22)，其用于将等离子体(101)和样品离子基本上沿着等离子体炬的定向方向其用于将等离子体(101)和样品离子基本上沿着等离子体炬定向方向(29)从微波驱动的等离子体离子源(1)的内部(3)排放至微波驱动的等离子体离子源(1)的外部，屏蔽出口(5)具有屏蔽孔径。由此，屏蔽出口(5)与炬出口(22)流体耦合，以将等离子体(101)和样品离子基本上沿着等离子体炬的定向方向(29)从等离子体炬(20)的内部(21)排放至微波驱动的等离子体离子源(1)的外部，其中屏蔽孔径的尺寸小于炬孔径的尺寸的
微波驱动等离子体离子源

[发明专利]利用氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜-CN201010241301.5有效
发明人：李效民;何邕;高相东;冷雪 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明提供一种利用氧等离子体辅助的脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜的方法，特征在于，通过在脉冲激光沉积方法制备钛铌镁酸铅薄膜过程中引入高活性的氧等离子体，改善其结晶性和形貌，从而获得高质量钛铌镁酸铅薄膜具体过程是将钛铌镁酸铅靶材和衬底一起置于真空室中；将真空室抽真空，并将衬底加热至一定温度；然后通入一定量高纯氧气，通过气体电离系统施加高压将氧气电离，形成高活性氧等离子体；氧等离子体位于钛铌镁酸铅靶材和衬底之间；利用高能脉冲激光轰击钛铌镁酸铅靶材，产生高能等离子体，在衬底上沉积得到钛铌镁酸铅薄膜。
利用等离子体辅助脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜