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[实用新型]食物处理器-CN201821655518.9有效
发明人：赵航;尚雪峰;张国栋 -专利权人：主力智业（深圳）电器实业有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： A47J43/07 文献下载
摘要：搅拌杯包括杯体，杯体包括底壁和自底壁向上延伸的侧壁，底壁设置有第一耦合端子和第二耦合端子。底座顶部形成沉槽，沉槽设置有第三耦合端子和第四耦合端子，第一耦合端子与第三耦合端子、第二耦合端子和第四耦合端子在搅拌杯与底座连接时分别耦合进行电连接，第一耦合端子与所述第二耦合端子尺寸相异，第三耦合端子与第四耦合端子尺寸相异，第一耦合端子与第三耦合端子耦合以形成弱电连接或强电连接，第二耦合端子与第四耦合端子耦合以形成强电连接或弱电连接。本食物处理器中，搅拌杯和底座的两组耦合端子分别连接强、弱电，且尺寸相异以达到防呆的效果。
食物处理器

[发明专利]电子开关设备、用于运行电子开关设备的方法和控制设备-CN201810927803.X在审
发明人： R.克恩;O.海纳;T.洪德 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H03K17/04 文献下载
摘要：该开关设备包括：用于连接负载的负载端子；用于施加供电电压的供电端子和控制端子，其中所述控制端子在附着供电电压时表现出比所述供电端子低的电压电势；具有源极端子、漏极端子和栅极端子的开关元件，其中源极端子与负载端子耦合或者可耦合，且漏极端子与供电端子耦合或者可耦合；具有基极端子、集电极端子和发射极端子的附加开关元件，其中集电极端子与栅极端子耦合或者可耦合；第一电阻元件，用于将发射极端子与供电端子耦合；第二电阻元件，用于将集电极端子与负载端子耦合；第三电阻元件，用于将基极端子与控制端子耦合；以及第四电阻元件，用于将基极端子与供电端子耦合。
耦合供电端子电子开关设备电阻元件集电极端子负载端子基极端子控制端子发射极端子供电电压开关元件控制设备漏极端子源极端子栅极端子电压电势开关设备附着施加

[发明专利]具有集成电流传感器的功率MOS器件及其制造方法-CN202310285620.3在审
发明人： D·G·帕蒂 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种功率MOS器件，其中功率MOS晶体管具有耦合至电源节点的漏极端子、耦合至驱动节点的栅极端子以及耦合至负载节点的源极端子。检测MOS晶体管具有耦合至检测节点的漏极端子、耦合至驱动节点的栅极端子以及耦合至负载节点的源极端子。检测电阻器具有耦合至电源节点的第一端子以及耦合至检测节点的第二端子。
具有集成电流传感器功率 mos 器件及其制造方法

[发明专利]具有集成电流传感器的功率MOS器件及其制造方法-CN201810326240.9有效
发明人： D·G·帕蒂 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种功率MOS器件，其中功率MOS晶体管具有耦合至电源节点的漏极端子、耦合至驱动节点的栅极端子以及耦合至负载节点的源极端子。检测MOS晶体管具有耦合至检测节点的漏极端子、耦合至驱动节点的栅极端子以及耦合至负载节点的源极端子。检测电阻器具有耦合至电源节点的第一端子以及耦合至检测节点的第二端子。
具有集成电流传感器功率 mos 器件及其制造方法

[实用新型]功率MOS器件-CN201820518315.9有效
发明人： D·G·帕蒂 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及功率MOS器件，其中功率MOS晶体管具有耦合至电源节点的漏极端子、耦合至驱动节点的栅极端子以及耦合至负载节点的源极端子。检测MOS晶体管具有耦合至检测节点的漏极端子、耦合至驱动节点的栅极端子以及耦合至负载节点的源极端子。检测电阻器具有耦合至电源节点的第一端子以及耦合至检测节点的第二端子。
耦合功率MOS器件电源节点负载节点检测节点漏极端子驱动节点源极端子栅极端子功率MOS晶体管电阻器检测

[发明专利]定向耦合器及无线通信装置-CN201610098860.2有效
发明人：藤原俊康;林承彬;大桥武;三岳幸生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01P5/18 文献下载
摘要：本发明提供一种定向耦合器，在叠层结构体内具备具有输入端子和输出端子的主线路和具有耦合端子和隔离端子的副线路，主线路和副线路以在耦合层上进行电磁耦合的方式并以相互隔开某个间隔而平行且以主线路位于副线路的外周侧的方式环状延伸，在主线路更外侧配置输入端子、输出端子、耦合端子及隔离端子，且在输出端子和副线路之间设置主线路。优选在隔离端子及耦合端子和副线路之间也设置主线路。
定向耦合器无线通信装置

[实用新型]定向耦合器及无线通信装置-CN201620136273.3有效
发明人：藤原俊康;林承彬;大桥武;三岳幸生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01P5/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种定向耦合器，在叠层结构体内具备具有输入端子和输出端子的主线路和具有耦合端子和隔离端子的副线路，主线路和副线路以在耦合层上进行电磁耦合的方式并以相互隔开某个间隔而平行且以主线路位于副线路的外周侧的方式环状延伸，在主线路更外侧配置输入端子、输出端子、耦合端子及隔离端子，且在输出端子和副线路之间设置主线路。优选在隔离端子及耦合端子和副线路之间也设置主线路。
定向耦合器无线通信装置

[发明专利]混合存储器以及基于MTJ的MRAM位单元和阵列-CN201410811852.9有效
发明人： S·马尼帕特鲁尼;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明描述了用于混合eDRAM和MRAM存储器单元的装置，其包括：具有第一端子和第二端子的电容器；第一晶体管，其具有耦合到第一字线(WL)的栅极端子、耦合到位线(BL)的源极端子/漏极端子、和耦合到所述电容器的所述第一端子的漏极端子/源极端子；具有第一端子和第二端子的电阻存储器元件，所述电阻存储器元件器件的所述第一端子耦合到所述电容器的所述第一端子；以及第二晶体管，其具有耦合到第二WL的栅极端子、耦合到源线(SL)的源极端子/漏极端子、和耦合到所述电阻存储器元件器件的所述第二端子的漏极端子/源极端子。
耦合到漏极端子源极端子电容器电阻存储器元件栅极端子晶体管混合存储器端子耦合耦合位单元源线字线

[发明专利]用于电压缓冲的方法和装置-CN201980052221.4在审
发明人： S·阿克塔尔;S·桑卡兰 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：在示例装置(108)中，第一晶体管(202)具有基极端子(208)、第一电流端子(206)和第二电流端子(210)。基极端子(208)耦合到输入电压节点(106)。第二晶体管(220)具有控制端子(226)、第三电流端子(224)和第四电流端子(228)。第三电流端子(224)耦合到第二电流端子(210)。第四电流端子(228)耦合到第一电阻器(236)。第二电阻器(402)耦合到控制端子(226)。电感器(406)耦合在第一电阻器(236)和接地端子之间。
用于电压缓冲方法装置

[发明专利]电磁干扰滤波器电路、半导体器件和用于提供电磁干扰滤波的方法-CN202210655580.2在审
发明人：陈宇鹏 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H03H11/04 文献下载
摘要：电磁干扰滤波器电路包括：输入端子；输出端子；电接地端子；电阻器，其电耦合在输入端子和输出端子之间；第一双极晶体管，其包括：与输入端子电耦合的集电极端子，与电接地端子电耦合的发射极端子，以及电浮动的基极端子；以及第二双极晶体管，其包括：与输出端子电耦合的集电极端子，与电接地端子电耦合的发射极端子，以及电浮动的基极端子。
电磁干扰滤波器电路半导体器件用于提供滤波方法

[发明专利]互补金属氧化物半导体工艺中的线性电容器结构-CN00132939.1有效
发明人：马克·L.·塔拉比尔;约瑟夫·Y.·阐;杰弗里·B.·霍尔 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 2000-11-08 - 公布日： 2001-05-23 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：具有期望的恒定电容特性的累积电容器结构包括并联耦合的四个电容器。第一电容器包括与第一端子耦合的n型多晶硅顶极板、与第二端子耦合的第一累积/耗尽区底极板。第二电容器具有与第二端子耦合的n型多晶硅顶极板、与第一端子耦合的累积/耗尽区底极板。第三电容器具有与第一端子耦合的p型多晶硅顶极板、与第二端子耦合的累积/耗尽区底极板。第四电容器具有与第二端子耦合的p型多晶硅端子、与第一端子耦合的累积/耗尽区底极板。
互补金属氧化物半导体工艺中的线性电容器结构

[发明专利]包括复制晶体管的SRAM读复用器-CN201810759063.3有效
发明人： K·J·多里;A·帕沙克;S·库马尔 -专利权人：意法半导体国际有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：第一晶体管具有耦合至第二位线的第一导电端子、耦合至位线节点的第二导电端子以及通过第二控制信号偏置的控制端子。第二晶体管具有耦合至第二互补位线的第一导电端子、耦合至互补位线节点的第二导电端子和通过第二控制信号偏置的控制端子。第一复制晶体管具有耦合至第二位线的第一导电端子、耦合至互补位线节点的第二导电端子和偏置的控制端子，使得第一复制晶体管截止。第二复制晶体管具有耦合至第二互补位线的第一导电端子、耦合至位线节点的第二导电端子和被偏置的控制端子，使得第二复制晶体管截止。
包括复制晶体管 sram 读复用器

[实用新型]电子设备-CN201821094917.2有效
发明人： K·J·多里;A·帕沙克;S·库马尔 -专利权人：意法半导体国际有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：第一晶体管具有耦合至第二位线的第一导电端子、耦合至位线节点的第二导电端子以及通过第二控制信号偏置的控制端子。第二晶体管具有耦合至第二互补位线的第一导电端子、耦合至互补位线节点的第二导电端子和通过第二控制信号偏置的控制端子。第一复制晶体管具有耦合至第二位线的第一导电端子、耦合至互补位线节点的第二导电端子和偏置的控制端子，使得第一复制晶体管截止。第二复制晶体管具有耦合至第二互补位线的第一导电端子、耦合至位线节点的第二导电端子和被偏置的控制端子，使得第二复制晶体管截止。
导电端子耦合晶体管互补位线控制端子偏置复制第二控制信号晶体管截止电子设备位线节点位线复用器

[发明专利]背光单元及其驱动方法-CN200610092233.4有效
发明人：柳连泽 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2006-06-15 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： G09G3/34 文献下载
摘要：一种背光单元，包括：阵列单元，其中所述阵列单元包括输入端子、第一输出端子以及耦合至输入端子且耦合至第一输出端子的阵列，所述阵列包括多个发光二极管；切换单元，耦合至输入端子且耦合至所述阵列；以及比较单元，耦合至第一输出端子且耦合至控制单元，并可操作以将基准电流与第一输出端子的输出电流进行比较；其中控制单元控制切换单元。
背光单元及其驱动方法

[实用新型]控制器件以及电子器件-CN202122061530.5有效
发明人： F·戈蒂埃 -专利权人：意法半导体(图尔)公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H03K17/74 文献下载
摘要：一种电路器件，包括：电子器件，包括：可控电流源，耦合在第一节点与第一端子之间，第一端子被耦合到可控二极管的阴极；电容器，耦合在第一节点与第二端子之间，第二端子被耦合到可控二极管的阳极；第一开关，耦合在第一节点与第三端子之间，第三端子被耦合到可控二极管的栅极；第二开关，耦合在第二端子与第三端子之间；以及第一二极管，耦合在第三端子与第二端子之间，第一二极管的阳极被耦合到第三端子。
控制器件以及电子器件

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