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[实用新型]屋面穿管的防护层-CN201520110629.1有效
发明人：王忠 -专利权人：海南红杉科创实业有限公司
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： E04D13/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种屋面穿管的防护层，自屋面沿穿管外壁向上设置；包括由内向外依次设置在所述穿管外壁的界面剂涂层、防水涂层、隔热涂层和罩面涂层；所述防水涂层包括第一防水涂层、第二防水涂层以及设置在所述第一防水涂层和第二防水涂层之间的附加层；所述附加层为玻璃纤维网格布、尼龙网格布、聚酯无纺布或细钢丝网。本实用新型在屋面穿管的外壁由内向外依次设置界面剂涂层、防水涂层、隔热涂层和罩面涂层，且所述防水涂层包括第一防水涂层、第二防水涂层以及设置在所述第一防水涂层和第二防水涂层之间玻璃纤维网格布，与屋面系统一体化设置
屋面防护

[发明专利]互穿聚合物层-CN201180059538.4无效
发明人：迈克尔·A·约翰逊;托马斯·B·加卢什;加里·A·科尔巴;杰伊施瑞·塞思;坎塔·库马尔 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： C08J7/16 文献下载
摘要：本发明描述了具有互穿聚合物层的结构。所述互穿层(230)包含第一组分(211)与第二组分(212)的混合物，其中所述第一组分和所述第二组分的浓度在整个互穿层的厚度中相反地变化。本发明描述了互穿表面层(210,220)和互穿粘合层(230)二者。本发明还公开了形成互穿层的方法。
聚合物

[发明专利]隧穿氧化层的制备方法-CN201910450579.4在审
发明人：高勇平;孙勤 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-05-28 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供一种隧穿氧化层的制备方法，包括：提供一硅衬底，所述硅衬底与一氧化氮气体发生反应并生成一隧穿氧化层，所述隧穿氧化层覆盖所述硅衬底表面，其中，采用所述一氧化氮气体这唯一氧源形成隧穿氧化层，使得形成的所述隧穿氧化层中掺杂特定比重的氮元素，使得所述隧穿氧化层的应力较小且结构稳定，从而使得快闪存储器的反复擦写性能更好。
隧穿氧化层一氧化氮气体硅衬底制备硅衬底表面快闪存储器结构稳定氮元素擦写氧源掺杂覆盖

[发明专利]遂穿氧化层的制造方法-CN200910197810.X无效
发明人：李冰寒;孔蔚然;邵华;江红;李荣林;曹立 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2010-04-21 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种遂穿氧化层的制造方法，包括以下步骤：提供一半导体基底；在所述半导体基底上沉积一层遂穿氧化层；对所述遂穿氧化层进行湿法清洗，以调节所述遂穿氧化层的厚度。该制造方法，是在遂穿氧化层的制造过程中通过加入湿洗步骤来调节遂穿氧化层的厚度，这就省去了根据不同的产品分别建立不同的遂穿氧化层沉积厚度的操作流程菜单的步骤，不仅简化了产生的工艺步骤，使工厂在生产过程中能更容易的安排各类产品的运行顺序提高了生产效率，而且保证了遂穿氧化层的质量，确保了存储元件的稳定性。
氧化制造方法

[发明专利]岩石穿层孔防喷装置-CN201110394871.2无效
发明人：尚云杰;李春常;时锋;许鹏飞;周军;王彦杰;陈丽 -专利权人：鹤壁煤电股份有限公司第三煤矿
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： E21F7/00 文献下载
摘要：一种岩石穿层孔防喷装置，在钻孔（1）孔口处设有接抽管Ⅰ（3）和接抽管Ⅱ（8），接抽管Ⅰ（3）与汇流管（4）连通，接抽管Ⅱ（8）与气水分离器（9）的进气口（9-1）连接，气水分离器（9）的气体出口（9-2采用本发明的防喷孔装置，在打钻过程中避免了煤粉沿钻孔向外大量涌出，杜绝了在岩巷实施穿层孔喷孔、喷瓦斯现象发生，保证了抽放系统的正常运行，提高了煤矿安全生产效率。
岩石穿层孔防喷装置

[实用新型]穿层钻孔瓦斯防喷孔装置-CN201420602196.7有效
发明人：栗海滔;徐玉胜;张育恒;王家健;李海涛;李全瑞;牛江江;张丰杰;曹雪芹;徐慧芳 -专利权人：山西晋城无烟煤矿业集团有限责任公司
申请日： 2014-10-20 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： E21B33/06 文献下载
摘要：本实用新型一种穿层钻孔瓦斯防喷孔装置针对矿井高瓦斯应力集中区穿层钻孔防喷孔装置使用过程中存在的固定不牢固、排渣不利等问题，研制出了一种新型防喷孔装置。
钻孔瓦斯防喷孔装置

[实用新型]穿层钻孔水力割缝装置-CN201720916011.3有效
发明人：李勇;潘怀义;陈磊;余岩 -专利权人：淮南矿业（集团）有限责任公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： E21B43/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种穿层钻孔水力割缝装置，包括水箱、进水管、水泵、出水管、旋转水尾、钻机、钻杆和水力割缝钻头；所述进水管的一端通入所述水箱中，另一端连接所述水泵的进水口；所述出水管的一端连接所述水泵的出水口
钻孔水力装置

[实用新型]管道穿墙穿层保护套-CN201720380457.9有效
发明人：蓝骏 -专利权人：浙江大亚节能科技有限公司
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： F16L5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种管道穿墙穿层保护套，在墙体中安装有穿墙护套，穿墙护套中安装有保温层，保温层内部设有无缝钢管，穿墙护套在墙体外侧设有活动环；穿墙护套上部设有第一硅胶压条和第二硅胶压条，第一硅胶压条和第二硅胶压条外部均采用固定螺栓予以固定该实用新型中，穿墙穿层保护套外形美观大方、拆装方便、结构合理、可重复利用、防止雨水进入，可有效化解管道在运行过程中的偏移。穿墙穿层保护套应具备化解管道热胀冷缩的功能，安装后可以隔断楼板(或墙体)灰尘、侵入，降低噪音。穿墙穿层保护套内部结构具有防踩踏支撑，可承受一个人(100Kg内)的踩踏；化解管道位移及热胀冷缩的部件应活动连贯、顺畅。
管道穿墙穿层保护套

[实用新型]一种穿砾石层钻头-CN01261387.8无效
发明人：彭烨;侯庆勇;王福修;孙明光;韩涛;张崇砚 -专利权人：胜利石油管理局钻井工艺研究院
申请日： 2001-08-31 - 公布日： 2002-11-27 - 主分类号： E21B10/50 文献下载
摘要：一种穿砾石层钻头，属于石油、地质钻井用钻头。由硬质合金圆片、保径元件、刀翼、喷嘴、钻头体和接头组成，采用硬质合金圆片为主切削元件，刀翼式布齿方式，大排屑槽水力结构。在松软～中软地层中钻进不仅机械钻速快，而且进尺高，并可穿过砾石层。具有钻压小、扭矩小、井眼规则等优点，有利于保护井下钻具和钻井设备。
一种砾石钻头

[实用新型]高效穿层顶部压桩机-CN00230430.9无效
发明人：蔡崇晓 -专利权人：蔡崇晓
申请日： 2000-07-20 - 公布日： 2001-05-30 - 主分类号： E02D7/20 文献下载
摘要：一种高效穿层顶部压桩机,由行走机构Ⅰ、桩机架9、压桩机构Ⅱ、卷相机28、或者还有吊车8组成。
高效顶部压桩机

[发明专利]电荷捕捉式非易失性存储器的存储单元-CN202310026575.X在审
发明人：黎俊霄;赖宗沐;沈政彦;许家荣 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10B43/00 文献下载
摘要：存储晶体管的栅极结构包括：第一隧穿层、第二隧穿层、捕捉层、阻挡层与栅极层。第一隧穿层接触于阱区的表面。第二隧穿层覆盖于第一隧穿层。捕捉层覆盖于第二隧穿层。阻挡层覆盖于捕捉层。栅极层覆盖于阻挡层。第二隧穿层中有渐变的氮分布。第二隧穿层中靠近第一隧穿层的第一区域的第一氮浓度低于第二隧穿层中靠近捕捉层的第二区域的第二氮浓度。
电荷捕捉非易失性存储器存储单元

[发明专利]带隧穿氧化层的存储器件制备中隧穿氧化层的制备方法-CN200810043733.8有效
发明人：王雷 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-08-25 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种带隧穿氧化层的存储器器件制备中隧穿氧化层的制备方法，其通过使用可显影的抗反射层取代现有工艺中的普通抗反射层，使制造工艺大幅度简化，降低成本。同时由于无干法刻蚀过程，对于光刻胶的厚度无要求，因此可以大大降低所使用的光刻胶厚度，降低后续湿法刻蚀时隧穿氧化层的高宽比，提高湿法工艺对小尺寸的隧穿氧化孔的刻蚀能力。
带隧穿氧化存储器件制备中隧穿方法

[发明专利]非易失性存储器器件-CN201911187722.1在审
发明人：金保延 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：根据本公开的一个实施例的非易失性存储器器件包括：具有沟道层的衬底、设置于沟道层上的第一隧穿层、设置于第一隧穿层上的第二隧穿层、设置于所述第二隧穿层上的第三隧穿层、设置于第三隧穿层上的电荷俘获层、设置于电荷俘获层上的电荷阻挡层以及设置于电荷阻挡层上的栅极电极层第一隧穿层包括第一绝缘材料。第二隧穿层包括电阻切换材料。第三隧穿层包括第二绝缘材料。电阻切换材料是电阻根据所施加的电场的幅度而在高阻态和低阻态之间可逆地改变的材料。
非易失性存储器器件

[发明专利]一种太阳电池以及制作方法-CN202110297175.3有效
发明人：张策;朱鸿根;郭文辉;吴志明;张雷;翁妹芝;吴真龙 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本申请实施例提供了的一种太阳电池以及制作方法，层叠的多个子电池以及位于相邻子电池之间的隧穿结结构，所述隧穿结结构包括层叠的第一超晶格层、隧穿结层以及第二超晶格层，所述第一超晶格层和所述第二超晶格层能够抑制所述隧穿结层中的掺杂离子扩散到相邻子电池中，进而避免所述隧穿结层的掺杂浓度降低，有助于维持所述隧穿结层高掺杂的特点，使得隧穿结层的隧穿效果好，隧穿电流大，满足大电流输运需求。并且，所述第一超晶格层和所述第二超晶格层能够有效抑制所述隧穿结层中的掺杂离子扩散到相邻的子电池中，还能够避免所述隧穿结层的掺杂浓度降低，进而避免所述隧穿结层对所述太阳电池开路电压的损耗增大。
一种太阳电池以及制作方法

[发明专利]基于二维材料的磁性隧穿结器件及其制作方法-CN201811495195.6在审
发明人：刘强;俞文杰;陈治西;刘晨鹤;任青华;赵兰天;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种基于二维材料的磁性隧穿结器件及其制作方法，包括：第一金属连接层，形成于一CMOS电路基底上、第一金属过渡层、固定磁层，所述固定磁层为二维磁性材料层、隧穿层，所述隧穿层为二维绝缘材料层，所述隧穿层包含二维绝缘材料层的层数为1～5层、自由磁层，所述自由磁层为二维磁性材料；第二金属过渡层以及第二金属连接层。本发明在制作完隧穿层之后，采用原子层沉积工艺、化学气相沉积工艺或薄膜剥离‑转移工艺制作自由磁层，可以避免隧穿层不被溅射粒子损伤，提高隧穿层的质量。本发明的隧穿层为1～5层二维绝缘材料，隧穿层的一致性非常好，大大提高隧穿几率，同时，可以使得固定磁层和自由磁层的磁化方向互不发生强烈影响。
基于二维材料磁性隧穿结器件及其制作方法

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