专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于OSGI的应用框架测试方法和系统-CN201410710433.6有效
  • 刘海峰 - 阿里巴巴集团控股有限公司
  • 2014-11-28 - 2018-09-18 - G06F11/36
  • 本申请公开了一种基于OSGI的应用框架测试方法和系统,通过应用本申请实施例的技术方案,通过新的OSGI测试框架理论,更好的动态控制细粒度测试范围,在OSGI环境某些场景下,通过应用框架在启动脚本中传入的细粒度‑Dunittesting参数,通过增加MF文件新的标签,动态控制OSGI MF文件的导入导出类,最终从单元测试(集成单元测试)角度编写集成测试脚本测试,最终逐步完善测试场景,并逐步增加遗漏的测试场景范围,可以更好提升OSGI应用框架程序的覆盖率。
  • 基于osgi应用框架测试方法系统
  • [发明专利]SRAM模块与SRAM模块的写入控制方法-CN201510075588.1有效
  • 游江成;连南钧 - 円星科技股份有限公司
  • 2015-02-12 - 2019-08-09 - G11C11/413
  • SRAM模块与SRAM模块的写入控制方法。SRAM模块的写入控制方法应用于具有多个记忆体单元及一位元线的一SRAM模块,包含:在多个记忆体单元的数据保存期间提供一第一电压准位作为该多个记忆体单元的供应电压;将该多个记忆体单元对应储存的该第一电压准位放电至一第二电压准位;以及利用该位元线对该多个记忆体单元执行写入程序;其中该第一电压准位放电至该第二电压准位的放电时间与该多个记忆体单元的数量有关。
  • sram模块写入控制方法

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