专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]SRAM模块与SRAM模块的写入控制方法-CN201510075588.1有效
  • 游江成;连南钧 - 円星科技股份有限公司
  • 2015-02-12 - 2019-08-09 - G11C11/413
  • SRAM模块与SRAM模块的写入控制方法。SRAM模块的写入控制方法应用于具有多个记忆体单元及一位元线的一SRAM模块,包含:在多个记忆体单元的数据保存期间提供一第一电压准位作为该多个记忆体单元的供应电压;将该多个记忆体单元对应储存的该第一电压准位放电至一第二电压准位;以及利用该位元线对该多个记忆体单元执行写入程序;其中该第一电压准位放电至该第二电压准位的放电时间与该多个记忆体单元的数量有关。
  • sram模块写入控制方法
  • [发明专利]随机存取记忆体与记忆体存取方法-CN201510078573.0有效
  • 连南钧;游江成 - 円星科技股份有限公司
  • 2015-02-13 - 2019-06-21 - G11C11/4063
  • 本发明揭露了一种随机存取记忆体与记忆体存取方法,能够避免读取干扰,并且提升读取数据的速度。所述随机存取记忆体的一实施例包含:一字元线;一字元线驱动单元,耦接于该字元线,用于接收一存取控制信号以据以产生一第一字元线致能电压;一电压调整单元,包含一开关模块以及一电容,该开关模块耦接于该字元线,用于接收一控制信号以据以呈现导通或不导通,该电容,耦接于该开关模块,用于依据该开关模块的导通情形以调整该字元线致能电压的电压准位;以及一记忆体单元,耦接于该字元线,用于依据该字元线致能电压而被致能。
  • 随机存取记忆体存取方法

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