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[发明专利]一种基于聚焦离子束诱导的有序砷化镓量子点的制备方法-CN201611089713.5在审
发明人：徐星亮;李俊焘;代刚;向安;肖承全;张林;周阳 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于聚焦离子束诱导的有序砷化镓量子点的制备方法，涉及半导体材料制备技术领域，该方法包括下步骤提供GaAs衬底材料，并对GaAs衬底材料进行表面清洁；利用聚焦离子束（FIB）轰击GaAs衬底，通过改变离子束照射参数，诱导有序Ga金属纳米液滴形成；把GaAs衬底放入分子束外延（MBE）系统中，打开As4源，形成GaAs量子点；本发明利用FIB诱导形成的有序Ga液滴作为加工GaAs量子点的模板
一种基于聚焦离子束诱导有序砷化镓量子制备方法

[发明专利]制作三维重构基准的方法-CN201811028817.4在审
发明人：张玉星;杨继进;刘家龙 -专利权人：中国科学院地质与地球物理研究所
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明旨在解决现有技术中存在的标记容易在扫描过程中被聚焦离子束轰击至模糊，甚至消失的问题。相较于现有直接在样品表面刻蚀预设标记，本发明的制作三维重构基准的方法通过在样品表面设置能够耐受离子束轰击的第一保护层并且在第一保护层的上表面形成预设标记以便于第一保护层保护预设标记不会因为离子束的轰击而模糊甚至消失
第一保护层三维重构预设基准区域切割区域样品表面制作上表面轰击聚焦离子束离子束轰击模糊扫描过程离子束刻蚀耐受分析

[发明专利]一种扫描微焦靶-CN201610397806.8在审
发明人：何小海;李彦;薛小明;娄本超;唐君;牟云峰;李小飞;胡永宏 -专利权人：中国工程物理研究院核物理与化学研究所
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H05H6/00 文献下载
摘要：氘或氘氚混合离子束经加速器加速到额定能量之后，采用交变扫描磁场将离子束快速均匀展开成小角度扇形离子束，然后再进入电四极场或磁四极场，在长度方向上进一步散焦展开，在垂直方向缩小至所需要的微小尺寸，形成大角度扇形离子束扇形离子束轰击到一个移动靶上，在平行于靶面的展开方向上，产生与微焦斑点状中子源等效的出射中子束。本发明的扫描微焦靶适合在需要具备方向性和点源特性的高产额加速器中子源上应用。
一种扫描微焦靶

[实用新型]一种扫描微焦靶-CN201620545812.9有效
发明人：何小海;李彦;薛小明;娄本超;唐君;牟云峰;李小飞;胡永宏 -专利权人：中国工程物理研究院核物理与化学研究所
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H05H6/00 文献下载
摘要：氘或氘氚混合离子束经加速器加速到额定能量之后，采用交变扫描磁场将离子束快速均匀展开成小角度扇形离子束，然后再进入电四极场或磁四极场，在长度方向上进一步散焦展开，在垂直方向缩小至所需要的微小尺寸，形成大角度扇形离子束扇形离子束轰击到一个移动靶上，在平行于靶面的展开方向上，产生与微焦斑点状中子源等效的出射中子束。本实用新型的扫描微焦靶适合在需要具备方向性和点源特性的高产额加速器中子源上应用。
一种扫描微焦靶

[发明专利]一种离子束辐照制备铌酸锂纳米点畴结构的方法和装置-CN202010128429.4有效
发明人：陈智利;刘卫国;惠迎雪;周顺;张进;杨利红;毕倩;唐黎 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明一种离子束辐照制备铌酸锂纳米点畴结构的方法和装置。本发明方法为：1）将待加工的铌酸锂样品固定在离子束刻蚀设备的样品台上，调整使离子束的入射角达到工作角度；调整使离子源的中心与工件中心重合；2）将离子束刻蚀设备抽至高真空，真空度低于2×10‑3Pa；通入高纯度99.999%惰性气体氩气或氙气，利用气体流量计控制气体流量，使工作真空保持在2×10‑2 Pa到8×10‑2Pa；3）设置样品台旋转速度、开启离子源，对铌酸锂样品进行离子束辐照，样品台的转速为6~80本发明利用离子轰击在样品表面诱导形成自组织纳米点畴结构，并且可以通过调控离子束参数来控制所获得的纳米畴结构的特征。
一种离子束辐照制备铌酸锂纳米结构方法装置

[发明专利]一种离子束辐照制备铌酸锂纳米畴结构的方法和装置-CN202010128892.9有效
发明人：杨利红;陈智利;刘卫国;惠迎雪;周顺;张进;费芒芒;毕倩 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种离子束辐照制备铌酸锂纳米畴结构的方法和装置。其包括以下步骤：1）将待加工的铌酸锂样品固定在离子束刻蚀设备的样品台上，调整使离子束的入射角达到工作角度；调整使离子源的中心与工件中心重合；2）将离子束刻蚀设备抽至高真空，真空度低于2×10‑3Pa；通入高纯度99.999%惰性气体氩气或氙气，利用气体流量计控制气体流量，使工作真空保持在2×10‑2 Pa到8×10‑2Pa；3）开启离子源，对铌酸锂样品进行离子束辐照；4）将辐照后的铌酸锂晶体置于高温炉中进行热处理该方法利用离子轰击在样品表面诱导形成自组织纳米畴结构，并且可以通过调控离子束参数来控制所获得的纳米畴结构的特征。
一种离子束辐照制备铌酸锂纳米结构方法装置

[发明专利]一种单原子内嵌富勒烯的大批量制备方法-CN202110679392.9在审
发明人：周珅;谢方;程海峰;王珊珊;袁嘉悦;刘东青;祖梅;余金山 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： C01B32/154 文献下载
摘要：本发明公开一种单原子内嵌富勒烯的大批量制备方法，首先采用湿法刮图方式在沉积基底上刮涂富勒烯薄膜层；再将刮涂有富勒烯薄膜层的沉积基底铜箔安装在卷绕电机上，利用卷绕电机将富勒烯薄膜层卷绕至离子束轰击区域可实现卷对卷连续化批量离子注入；最后通过离子源将反应室内的非金属气体或惰性气体电离，含非金属或惰性气体正离子的气氛经过离子枪屏极与加速极，加速形成含非金属或惰性气体正离子的离子束，该离子束经过中和电极发射出来的电子中和后，轰击在铜箔上的富勒烯薄膜层上
一种原子内嵌富勒烯大批量制备方法

[发明专利]用于制造电荷耗散表面层的方法-CN201480073783.4有效
发明人： C·诺迈尔;C·齐默曼;Z·伊斯坎德罗;J·克莱曼 -专利权人：空中客车DS有限责任公司;完整性测试实验室公司
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01B1/04 文献下载
摘要：所述方法包括以下步骤在真空环境中，通过离子轰击使所述部件的至少一个表面碳化，同时以动态方式更新表面，所述步骤利用了在稀有气体的气态线性大电流技术离子束源中形成的离子束以及在所述离子束气体掺混物中填加的预定量的含碳气体来轰击所述至少一个表面以便获得在电荷耗散范围内具有均一表面电阻率的经处理的碳化表面层
用于制造电荷耗散表面方法

[发明专利]改善金刚石表面光洁度的反应轰击方法-CN03105134.0无效
发明人：韩勇;李钒;熊明 -专利权人：中国地质大学(北京)
申请日： 2003-03-05 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： B24B9/16 文献下载
摘要：本发明属于离子束加工的领域，特别涉及改善金刚石表面光洁度的反应轰击方法。采用高能离子束轰击金刚石表面，气体为氧气或氩气和氧气。高能离子与金刚石表面原子发生碰撞与反应、金刚石表面原子能量增大到高于该原子的逸出功时，便飞离其表面，这样就使金刚石表面不断失去原子，其利用的是碰撞与化学反应双重作用，而不仅仅是机械冲刷作用，大大提高抛光的速度本发明特点是利用离子轰击与化学反应进行抛光，提高金刚石表面光洁度，使金刚石表面亮度增强。
改善金刚石表面光洁度反应轰击方法

[发明专利]基于氮离子源的离子束反应溅射沉积设备及氮化铝薄膜制备方法-CN201710085198.1有效
发明人：刁克明 -专利权人：北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮离子源的离子束反应溅射沉积设备，以及使用该设备的基于氮离子源的氮化铝薄膜制备方法和氮化铝薄膜。其中设备包括氮离子源、工件台和靶台，所述氮离子源用于通入氮气并生成氮离子束，所述靶台用于固定铝靶材且位于氮离子束的发射方向上，所述工件台用于固定衬底且位于靶台的溅射粒子沉积方向上，所述氮离子束轰击铝靶材产生的溅射粒子沉积在衬底上形成氮化铝薄膜本发明直接以氮气作为工作和反应气体，可以避免使用氩气等惰性气体，降低了工艺成本；并且通过离子束反应溅射技术制出的氮化铝薄膜均匀度好，表面光滑，应力小，光学性质更加重复稳定。
基于离子源离子束反应溅射沉积设备氮化薄膜制备方法

[发明专利]一种AlN薄膜的制备方法-CN201610841499.8有效
发明人：王文庆 -专利权人：昆山运城塑业有限公司
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明涉及宽禁带半导体的制备领域，特别涉及一种(100)择优取向的AlN薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)衬底预处理；(2)靶材预处理；(3)采用离子束辅助沉积技术，Ar⁺离子束溅射沉积Al膜，N⁺离子束轰击Al膜，在衬底上形成AlN缓冲层；(4)N₂、Ar以及NH₃混合气体下，采用磁控溅射沉积技术，在AlN缓冲层上形成
制备预处理择优取向衬底薄膜离子束辅助沉积技术离子束溅射沉积磁控溅射沉积宽禁带半导体离子束轰击混合气体靶材生长

[发明专利]一种微秒脉冲微束产生装置-CN202210625949.5在审
发明人：杨振;邹志平;邢宇博;马伟;卢亮;邹丽平 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种微秒脉冲微束产生装置，包括试验台，所述试验台顶面固接光学平台、靶座真空室、分析真空室及束斑测量室。本发明与现有技术相比，靶座真空室内的靶可以更换，采用激光器发出脉冲激光轰击不同的靶，可以产生不同的消融等离子体，再经过磁场调制、静电分析和静电聚焦，能够分别提供多种元素、多种离子电荷态以及不同微秒脉宽的脉冲离子微束，这在离子束成像、离子束蚀刻、离子束注入及薄膜沉积、离子束微纳加工等领域具有广阔的应用前景，目前微束产生方式都是无法实现的；此外本发明采用等离子体膨胀扩散后再进行筛选聚焦，使得离子温度较低，离子束发射度较小，束流直径能够比较容易的聚焦到μm量级，甚至亚μm量级，形成的微束品质更加优异，同时本发明产生的具有时间结构的微秒脉冲微束，与生物细胞作用后，能够获得离子辐射生物效应的演化机制，有一定的医学研究价值。
一种微秒脉冲产生装置

[发明专利]一种非密排有序聚苯乙烯纳米球模板的制备方法-CN201810207326.X在审
发明人：杨杰;杨宇;王茺;张明灵;翁小康;王荣飞;邱峰 -专利权人：云南大学
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：具体包括：将硅片清洗后，使硅片表面氢钝化；在硅片上自组装单层密排聚苯乙烯纳米球薄膜，然后利用正入射的Ar+离子束轰击不同直径的纳米球薄膜，束流密度为0.85 mA/cm2~3.0 mA/cm2，Ar+能量为0.5 keV~1.0 keV，轰击时间为5 min~28 min；离子束轰击后，纳米球的直径减小，而其位置不改变，可获得非密排有序聚苯乙烯纳米球模板。模板中纳米球的尺寸和周期由聚苯乙烯纳米球的初始直径和轰击条件调节。纳米球的刻蚀速率可调控为6.19 nm/min~17.32 nm/min，对比发现离子束刻蚀技术具有低刻蚀速率的优点，有利于控制小尺寸聚苯乙烯纳米球模板的质量。
聚苯乙烯纳米球密排纳米球制备离子束轰击刻蚀薄膜轰击制备技术领域离子束刻蚀自组装单层高稳定性硅片表面硅片清洗纳米结构条件调节网格阵列直径减小低成本可调控纳米孔纳米线纳米柱氢钝化正入射硅片束流研发应用发现

[发明专利]一种制备金属铪薄膜材料的方法-CN200410098996.0无效
发明人：杨少延;柴春林;刘志凯;陈涌海;陈诺夫;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-23 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：利用具有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度要求不高的低成本氯化铪为原材料，在用单束同位素纯低能氩离子轰击溅射清洗过的洁净衬底上，先用产生的同位素纯低能金属铪离子束和氮离子束制备一层薄氮化铪作为阻挡衬底与铪离子发生界面反应的阻挡层和缓冲层，再用单束同位素纯低能金属铪离子外延生长金属铪薄膜，通过准确控制铪离子束能量、沉积剂量、束流密度、束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现难提纯、高熔点的金属铪薄膜低成本高纯、高结晶质量生长与低温外延
一种制备金属薄膜材料方法

[发明专利]一种制备金属锆薄膜材料的方法-CN200410101885.0无效
发明人：杨少延;柴春林;刘志凯;陈涌海;陈诺夫;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-30 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：该方法利用有质量分离功能与荷能离子沉积特点的双离子束外延生长设备，以纯度不高的低成本氯化锆为原材料，在用单束的同位素纯低能氩离子轰击清洗过的洁净衬底上，先用产生的同位素纯低能金属锆离子束和氮离子束制备一层薄氮化锆作为阻挡衬底与锆离子发生界面反应的阻挡层和缓冲层，再用单束的同位素纯低能金属锆离子外延生长金属锆薄膜，通过准确控制锆离子束的能量、沉积剂量、束流密度、束斑形状及生长温度，在超高真空生长室内，实现难提纯、高熔点的金属锆薄膜的低成本高纯、高结晶质量生长与低温外延
一种制备金属薄膜材料方法