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- [发明专利]一种中子变能设备-CN202211223354.3在审
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李金海;姜山
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中国原子能科学研究院
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2022-10-08
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2023-04-04
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H05H3/00
- 本申请涉及中子处理技术领域,提供一种中子变能设备,中子变能设备包括中子通道和磁场装置,极化中子束流在中子通道中沿Z方向运动,中子通道包括变能段,变能段包括正向区、中心区和反向区,正向区位于中心区沿Z方向的上游,反向区位于中心区沿Z方向的下游;磁场装置设置于变能段的外周,磁场装置被配置为在变能段产生交变非均匀磁场,交变非均匀磁场的磁场梯度方向为Z方向,中心区的磁场梯度为零,极化中子束流运动到正向区情况下正向区的磁场方向和极化中子束流运动到反向区情况下反向区的磁场方向相反本申请的中子变能设备,中子产额相对较高且能谱范围宽。
- 一种中子设备
- [发明专利]一种高效降能PECVD装置-CN202211668211.3在审
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张群芳;陶利松;任建强
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浙江合特光电有限公司
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2022-12-24
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2023-04-04
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C23C16/505
- 本申请涉及太阳能电池生产设备技术领域,尤其涉及一种高效降能PECVD装置,包括反应仓,反应仓内设有能放置样品的基片,反应仓上设有能电离反应气体的射频电源,反应仓上设有进气管,反应仓远离进气管一端设有出气管,进气管上连通有供气装置,出气管连通有真空压力装置,基片内设有发热装置,反应仓内设有磁场发生装置,磁场发生装置设置在基片与进气管之间,磁场发生装置发生的磁场能拦截反应仓中游离的电子,磁场发生器发生的磁场能将游离在反应仓内的电子捕获在磁场内,使得电子在磁场内循环,从而提高电子电离反应气体的速率,同时,也能降低高能量电子轰击材料和基片的可能性。
- 一种高效pecvd装置
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