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[发明专利]一种横向交换耦合的磁信息存储介质材料及其制备方法-CN200710050346.2无效
发明人：钟智勇;刘爽;张怀武;荆玉兰;唐晓莉;苏桦;贾利军 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2007-10-30 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01F10/16 文献下载
摘要：本发明属于电子材料技术领域，涉及超高密度磁信息存储技术。本发明的磁信息存储单元由高/低各向异性常数磁性薄膜在横向方向上交换耦合而成。制备时，先制备高各向异性常数磁性薄膜，经退火处理后，采用离子注入或离子扩散工艺对其进行部分改性，降低改性部分的各向异性和矫顽力，从而形成低各向异性常数磁性薄膜；最终由高/低各向异性常数磁性薄膜在横向上耦合成横向交换耦合的磁信息存储介质材料本发明解决了纵向交换耦合复合磁信息存储介质在高温处理过程中因界面扩散、记录层恶化引起的信息存储单元翻转场分布增大和信息记录稳定性降低的不足，能够进一步降低信息存储单元翻转场，使信息记录更加稳定，满足超高密度磁信息存储的要求
一种横向交换耦合信息存储介质材料及其制备方法

[发明专利]磁隧道结及其形成方法、磁存储器-CN202010084400.0在审
发明人：赵巍胜;彭守仲;芦家琪;熊丹荣 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种磁隧道结及其形成方法、磁存储器，该磁隧道结从下到上依次包括：第一铁磁层、氧化物势垒层、第二铁磁层以及第一体磁各向异性铁磁层；所述第二铁磁层和所述第一体磁各向异性铁磁层作为所述磁隧道结的自由层；所述第一铁磁层作为所述磁隧道结的参考层；其中，所述第一体磁各向异性铁磁层由体垂直磁各向异性的铁磁材料形成。其中，通过在第二铁磁层上设置由体垂直磁各向异性的铁磁材料形成的第一体磁各向异性铁磁层，第一体磁各向异性铁磁层与第二铁磁层实现层间耦合，提高了磁隧道结的体垂直磁各向异性常数，使得磁隧道结具有强垂直磁各向异性和高热稳定性，当磁隧道结尺寸较小时，热稳定性依然能够得到保障。
隧道及其形成方法磁存储器

[发明专利]低磁各向异性无取向硅钢板及其制备工艺-CN201410386178.4无效
发明人：安治国;李建新;侯环宇;孙中华;田志强;熊自柳 -专利权人：河北钢铁股份有限公司
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： C22C38/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种低磁各向异性无取向硅钢板及其制备工艺，所述钢种化学成分的质量百分比为：C 0.001～0.004％，Si0.8～2.8％，Mn 0.1～0.5％，Al 0.2～0.6％，P≤0.008％本无取向硅钢板通过控制Si、Al、Mn、C、P、S含量，再添加合适的微量元素Mo、Cr和Ce，以此降低无取向硅钢磁化时的磁各向异性常数K1，改善钢板组织织构，降低无取向硅钢板纵向和横向的铁损和磁感的各向异性本无取向硅钢板具有制备工艺简单，钢板纵横向铁损差值小于8％、磁感差值小于9％，具有低的磁各向异性。本工艺具有合金体系设计合理、工艺简单，制备的无取向硅钢板纵横向铁损差值小于8％、磁感差值小于9％，具有低的磁各向异性。
各向异性取向硅钢及其制备工艺

[发明专利]一种多壳层结构稀土软磁材料及其制备方法-CN202111228138.3有效
发明人：韩瑞;陈红升;方以坤;周栋;郭朝晖;董生智;朱明刚;李卫;李发伸 -专利权人：钢铁研究总院
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01F1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种多壳层结构稀土软磁材料及其制备方法，属于磁性材料技术领域，解决了现有的软磁材料的频带宽度较小的问题。多壳层结构稀土软磁材料是由主相内核和两个壳层组成的核壳结构，沿主相内核至壳层方向，两个壳层依次为第一壳层和第二壳层；主相内核具有易平面形状各向异性和易平面磁晶各向异性，且两种各向异性场方向一致；第一壳层为同时具有易平面形状各向异性和易锥面磁晶各向异性的相本发明的多壳层结构稀土软磁材料具有更宽频带宽度，较低的复数介电常数，能有效改善材料的阻抗匹配和微波吸收性能。
一种多壳层结构稀土材料及其制备方法

[发明专利]各向异性Z型六角铁氧体及使用该铁氧体的天线-CN201010133383.1无效
发明人：冯全源 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2010-03-26 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01F1/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种各向异性Z型六角铁氧体，适用于高频和超高频段天线，所述各向异性Z型六角铁氧体主配方是：Ba3Me2Fe24O41其中Me为：Co，Zn，Ni，Mg，Cu之一；各向异性Z型六角铁氧体的烧结温度控制在1150℃～1300℃，并通过加入微量的氧化物调节介电常数、磁导率和烧结温度，使得介电常数的实部ε′在1～20，复数磁导率的实部μ′在1～10，在100MHz～3GHz频率的某个频段内能够使介电常数或磁导率保持在某一数值上基本不变六角铁氧体因其较高的磁晶各向异性场，具有很高的截止频率，高的介电常数和磁导率，可以应用于高频和超高频天线尺寸的小型化。
各向异性六角铁氧体使用天线

[发明专利]用于垂直磁性隧道结(MTJ)的混合合成反铁磁层-CN201480069456.1有效
发明人： C·帕克;K·李;S·H·康 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：固定层包括第一合成反铁磁(SAF)多层，其具有第一垂直磁各向异性(PMA)和第一阻尼常数。固定层还包括第二SAF多层，其具有第二垂直磁各向异性(PMA)以及低于第一阻尼常数的第二阻尼常数。
用于垂直磁性隧道 mtj 混合合成反铁磁层

[发明专利]液晶组合物及反射型液晶显示装置-CN02801132.5有效
发明人：植田秀昭;北洞健;本告文绘 -专利权人：美能达株式会社
申请日： 2002-05-22 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： C09K19/02 文献下载
摘要：一种手性向列型液晶组合物，它包含向列型液晶混合物和手性试剂，它在室温下呈胆甾醇相，并有选择地反射特定波长的光，其中，手性试剂的介电常数各向异性为12－60。该手性向列型液晶组合物的介电常数各向异性大于与手性试剂混合前的向列型液晶混合物的介电常数各向异性。或者，在该手性向列型液晶组合物中，手性试剂的介电常数各向异性大于向列型液晶组合物的介电常数各向异性。
液晶组合反射显示装置

[发明专利]一种用于实现自旋扭矩传递切换的磁性元件、制备方法及磁存储器件-CN201710379588.X在审
发明人：刁治涛;李占杰;罗逍 -专利权人：湖北中部慧易数据科技有限公司
申请日： 2017-05-25 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于实现自旋扭矩传递切换的磁性元件、制备方法及磁存储器件；磁性元件的双钉扎垂直各向异性磁固定层，非磁性间隔层和垂直各向异性磁自由层的结构。其中垂直各向异性磁自由层位于双层非磁性间隔层之间。垂直各向异性磁自由层具有垂直于膜平面方向的退磁能和对应于垂直各向异性的各向异性能。其垂直各向异性能大于垂直于膜平面方向的退磁能。当写电流通过该磁性元件时，通过自旋扭矩传递效应，其垂直各向异性磁自由层可实现在垂直于平面方向的平行及反平行磁状态之间切换以达到磁存储的目的。
一种用于实现自旋扭矩传递切换磁性元件制备方法磁存储器

[发明专利]液晶组合物及液晶显示元件-CN201580057818.X有效
发明人：冈部英二 -专利权人：捷恩智株式会社;捷恩智石油化学株式会社
申请日： 2015-07-10 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： C09K19/18 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶组合物，其在向列相的高上限温度、向列相的低下限温度、大的光学各向异性、大的正介电常数各向异性、对紫外线的高稳定性等特性中，充分满足至少一种特性。所述液晶组合物含有作为第一成分的具有大的光学各向异性的特定化合物、及作为第二成分的具有大的光学各向异性而且具有大的正介电常数各向异性的特定化合物，并含有作为第三成分的具有大的正介电常数各向异性的特定化合物，以及含有作为第四成分的具有大的光学各向异性、更具有高上限温度或低下限温度的特定化合物。
液晶组合液晶显示元件

[发明专利]一种含氟液晶组合物-CN202310472760.1在审
发明人：朱吉洪;闻宇清;肖智勇 -专利权人：福建永泓高新材料有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C09K19/44 文献下载
摘要：本发明提供一种含氟液晶组合物，该液晶组合物具有正的介电常数各向异性，至少包含一种或多种通式Ⅰ所代表的化合物、一种或多种通式Ⅱ所代表的化合物、通式Ⅲ所代表的化合物。本发明的液晶组合物具有合适的正介电常数各向异性、合适的光学各向异性Δn，较低的旋转黏度γ1，适中的介电常数各向异性Δε。
一种液晶组合

[发明专利]一种光学模铁磁共振增强的多层膜及其制备方法-CN201610024678.2有效
发明人：李山东;李强;徐洁;宗卫华;金俊哲 -专利权人：青岛大学
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01F10/32 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种光学模铁磁共振增强的多层膜及其制备方法，该多层膜包括第一单轴磁各向异性层、非磁性隔离层和第二单轴磁各向异性层，第一单轴磁各向异性层和第二单轴磁各向异性层的易磁化轴方向一致，非磁性隔离层的厚度配置为使所述第一单轴磁各向异性层和所述第二单轴磁各向异性层反铁磁耦合本发明实施例提供的一种光学模铁磁共振增强的多层膜中，两单轴磁各向异性层保证了在零偏置磁场下仍能沿着内生磁各向异性场保持磁损耗较小的铁磁共振；另外，层间反铁磁耦合作用，一方面使得具有相同易磁化轴方向的两单轴磁各向异性层的磁矩分别沿着相反方向的有效磁场进动
一种光学磁共振增强多层及其制备方法

[发明专利]一种光学模铁磁共振增强的多层膜-CN201711159052.3有效
发明人：李山东;李强;徐洁;宗卫华;金俊哲 -专利权人：青岛大学
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01F10/32 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种光学模铁磁共振增强的多层膜，该多层膜包括第一单轴磁各向异性层、非磁性隔离层和第二单轴磁各向异性层，第一单轴磁各向异性层和第二单轴磁各向异性层的易磁化轴方向一致，非磁性隔离层的厚度配置为使所述第一单轴磁各向异性层和所述第二单轴磁各向异性层反铁磁耦合本发明实施例提供的一种光学模铁磁共振增强的多层膜中，两单轴磁各向异性层保证了在零偏置磁场下仍能沿着内生磁各向异性场保持磁损耗较小的铁磁共振；另外，层间反铁磁耦合作用，一方面使得具有相同易磁化轴方向的两单轴磁各向异性层的磁矩分别沿着相反方向的有效磁场进动
一种光学磁共振增强多层

[发明专利]一种光学模铁磁共振增强的多层膜-CN201711160210.7有效
发明人：李山东;李强;徐洁;宗卫华;金俊哲 -专利权人：青岛大学
申请日： 2016-01-14 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01F10/32 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种光学模铁磁共振增强的多层膜，该多层膜包括第一单轴磁各向异性层、非磁性隔离层和第二单轴磁各向异性层，第一单轴磁各向异性层和第二单轴磁各向异性层的易磁化轴方向一致，非磁性隔离层的厚度配置为使所述第一单轴磁各向异性层和所述第二单轴磁各向异性层反铁磁耦合本发明实施例提供的一种光学模铁磁共振增强的多层膜中，两单轴磁各向异性层保证了在零偏置磁场下仍能沿着内生磁各向异性场保持磁损耗较小的铁磁共振；另外，层间反铁磁耦合作用，一方面使得具有相同易磁化轴方向的两单轴磁各向异性层的磁矩分别沿着相反方向的有效磁场进动
一种光学磁共振增强多层

[发明专利]一种软/硬磁交换耦合结构-CN201610308998.0在审
发明人：陆海鹏;侯志华;毕美;王昕;谢建良;邓龙江 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：本发明涉及磁性材料与元器件领域，具体涉及一种软/硬磁交换耦合结构。本发明通过将现有嵌入型软/硬磁交换耦合结构中的硬磁材料分为两部分且由软磁材料层隔离形成新的软/硬磁交换耦合结构，通过微磁学模拟可见该结构能够有效降低高磁晶各向异性常数材料的矫顽力，且矩形度较好。本发明结构通过规则间隔排列应用于磁存储中，且对于磁晶各向异性常数Ku值高达7×10⁶J/m³的材料，能够有效降低矫顽力，且矩形度较好，能够满足垂直磁记录的要求并能解决写入困难的问题
一种交换耦合结构

[发明专利]一种基于各向异性超材料的天线阵列解耦结构及设计方法-CN202310791694.4在审
发明人：张淼;徐佳帅;黄智昌;于大全 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01Q1/52 文献下载
摘要：本发明属于天线解耦技术领域，具体公开了一种基于各向异性超材料的天线阵列解耦结构及设计方法，其中设计方法包括在辐射缝隙上方加载理想各向异性材料层，根据对天线的性能要求以及解耦要求，使用软件仿真优化理想各向异性材料层介电常数和磁导率的分布，达到解耦的效果；设计出各向异性介电常数和磁导率分布的实际的各向异性超材料；将各向异性超材料放置于待解耦波导缝隙天线阵列辐射缝隙上方，仿真优化天线的各项尺寸参数降低反射，直至优化出所需求的天线工作带宽。本发明利用各向异性超材料对缝隙天线的辐射近场的控制，实现缝隙天线阵列单元间的高隔离度以及实现各个天线单元方向图的稳定，从而实现天线解耦。
一种基于各向异性材料天线阵列结构设计方法

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