“磁光晶体”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果1457771个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种掺杂钒酸铽磁光晶体、生长方法及其应用-CN201510478490.0有效
发明人：胡章贵;涂衡;赵营;岳银超;范飞镝 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2015-08-06 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种掺杂钒酸铽的磁光晶体、生产方法及其应用，所述掺杂钒酸铽磁光晶体的分子式为CaxMyTb1‑x‑yVO4，其中，M为稀土元素和碱金属元素，0.01≤x≤0.5，0≤y≤0.5。该系列晶体在1064nm处法拉第旋转角为TGG晶体的1.3‑1.5倍，该晶体为同成分熔融，可以用提拉法生长，易生长出大尺寸晶体，原料成本低，可有效降低磁光晶体成本。由该磁光晶体制作的磁光晶体器件在制作磁光隔离器时由于具有大的费尔德常数，可以降低对磁光晶体长度的要求，与现有；技术相比，具有器件设计更紧凑，减少隔离器中磁光晶体的使用个数，降低成本等优点。本发明同时也可用于光开关制作。
一种掺杂钒酸铽磁光晶体生长方法及其应用

[实用新型]一种法拉第旋光器-CN202020635462.1有效
发明人：周煌 -专利权人：英世光（苏州）光电科技有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G02F1/09 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种法拉第旋光器，由调节片、端盖、磁光晶体、第一扇形磁块、中间磁块、第二扇形磁块、磁屏蔽套、磁光晶体套筒和外壳组成，由第一扇形磁块、中间磁块、第二扇形磁块和磁屏蔽套组成复合磁体，磁光晶体套筒和磁光晶体设置在复合磁体的内部，通过两端的调节片实现位置调节，复合磁体设置在外壳内部，一端通过端盖实现锁定，所述磁光晶体中设置有左反射片和右反射片，左反射片设置在磁光晶体内的左端下方，右反射片设置在磁光晶体内的右端上方，左反射片和右反射片均倾斜并相对设置其通过反射片的设置，使得入射光在磁光晶体内的行程得到延长，从而能获取较大的偏振角度。在同等偏振效果时，能降低产品的体积和重量在60％以上。
一种法拉第旋光器

[发明专利]一种磁光隔离器芯及其制作方法、磁光隔离器-CN202010925809.0有效
发明人：郑熠;吴少凡;王帅华;黄鑫;徐刘伟 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G02F1/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁光隔离器芯及其制作方法、磁光隔离器，属于光纤通讯技术领域，能够解决现有磁光隔离器插入损耗较大，封装成品率较低的问题。所述磁光隔离器芯包括中空柱状的磁环和柱状的磁光晶体；磁环的内壁上设置有第一焊接金属层；磁光晶体的外壁上设置有第二焊接金属层，磁环的内径小于磁光晶体的外径，磁环可以套设在经过降温冷缩的磁光晶体上，以使第一焊接金属层和第二焊接金属层在磁光晶体温度回升后压焊连接；或者，经过升温膨胀的磁环可以套设在磁光晶体上，以使第一焊接金属层和第二焊接金属层在磁环温度回降后压焊连接。本发明用于制作磁光隔离器芯。
一种隔离器及其制作方法

[发明专利]一种适用于大功率光隔离器的法拉第旋转器-CN201310150964.X有效
发明人：胡姝玲;陆乔乔;王鑫龙;耿伟彪;章博 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： G02F1/095 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于大功率光隔离器的法拉第旋转器，该法拉第旋转器包括有热补偿晶体、半波片、铁环、第一磁致旋光晶体、第二磁致旋光晶体、第一磁体和第二磁体，第一磁致旋光晶体、热补偿晶体、半波片和第二磁致旋光晶体沿Z轴正向顺次排布，热补偿晶体和半波片的外部套接有铁环，第一磁致旋光晶体的外部套接有第一磁体，第二磁致旋光晶体的外部套接有第二磁体。将本发明设计的法拉第旋转器应用于光隔离器时，使得光隔离器能够满足上百瓦的大功率要求，隔离度至少提高3dB。
一种适用于大功率隔离器法拉第旋转

[发明专利]磁光晶体及其制备方法以及磁光晶体的应用装置-CN200910056802.3有效
发明人：袁海骏 -专利权人：上海舜宇海逸光电技术有限公司
申请日： 2009-01-04 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G02F1/09 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁光晶体及其制备方法以及磁光晶体的应用装置，该磁光晶体表面设置了具有永久磁畴的磁性薄膜，永久磁畴包括具有磁场方向的条纹，条纹包括以下至少之一：点、连续或不连续的线条，并且条纹之间的间隙与磁光晶体自由能状况或自然形成的条状复合磁畴的间隙相匹配本发明因为采用具有永久磁畴的磁性薄膜，所以克服了现有的磁光晶体的复合磁畴变化后不能完全复原导致的随机误差问题，进而达到了测量精度的效果。
晶体及其制备方法以及应用装置

[发明专利]一种磁光隔离器芯及其制作方法、磁光隔离器-CN201910951599.X在审
发明人：郑熠;吴少凡;王帅华;黄鑫;徐刘伟 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： G02F1/095 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁光隔离器芯及其制作方法、磁光隔离器，属于光纤通讯技术领域，能够解决现有磁光隔离器插入损耗较大，封装成品率较低的问题。所述磁光隔离器芯包括中空柱状的磁环和柱状的磁光晶体；磁环的内壁上设置有第一焊接金属层；磁光晶体的外壁上设置有第二焊接金属层，磁环的内径小于磁光晶体的外径，磁环在经过降温冷缩后可套设在磁光晶体上，以使第一焊接金属层和第二焊接金属层在磁环温度回升后压焊连接本发明用于制作磁光隔离器芯。
磁光隔离器磁环焊接金属层磁光晶体光纤通讯技术插入损耗温度回升中空柱状成品率冷缩内壁外壁压焊柱状封装制作

[实用新型]光隔离器及激光器-CN202120421496.5有效
发明人：邹萌;谢绍平;张永平;刘开威;朱忽 -专利权人：武汉锐科光纤激光技术股份有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G02B6/27 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种光隔离器及激光器。该光隔离器包括外壳及设置于所述外壳内的磁光晶体组件以及旋转组件；所述磁光晶体组件包括位于入射光轴上的磁光晶体；所述旋转组件一端位于所述外壳内并与所述磁光晶体连接，另一端伸出所述外壳并与所述外壳连接；所述旋转组件旋转带动所述磁光晶体旋转；其中，所述磁光晶体包括平行设置的第一反射面及第二反射面；所述磁光晶体旋转不同角度，使得光束在所述第一反射面及所述第二反射面之间经过至少两次反射后输出。本申请实施例提供的光隔离器可以在不增大体积的基础上实现工作波长的多次调谐。
隔离器激光器

[发明专利]基于光子晶体波导的T字型光子晶体环行器-CN201711202569.6在审
发明人：王勇;张登国;许彪刚;董政 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： G02F1/095 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种基于光子晶体波导的T字型光子晶体环行器。该环行器包括一个T字型光子晶体波导，所述T字型光子晶体波导中心设置有一个第一磁光介质柱，所述T字型光子晶体波导的两个拐角处分别设置有第二磁光介质柱，所述第一磁光介质柱的形状和所述第二磁光介质柱的形状相同，以及所述第一磁光介质柱的横截面积大于所述第二磁光介质圆柱的横截面积。本发明实施例通过在T字型光子晶体波导中心及两个拐角处分别设置第一磁光介质柱和第二磁光介质柱，利用磁光介质柱的法拉第旋转效应，得到一种隔离度更高、插入损耗更小的便于集成的T字型光子晶体环行器。
基于光子晶体波导字型环行器

[发明专利]一种波段可调的宽带光隔离器及可调谐激光器-CN201410148924.6有效
发明人：李泉;张开汉;谭荣怀;岳超瑜;朱少军 -专利权人：深圳朗光科技有限公司
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本发明适用于光学技术领域，提供了一种波段可调的宽带光隔离器，包括沿光路传输方向依次设置的第一准直器、第一分光晶体、可调谐半波片组件、可调谐磁光晶体组件、第二分光晶体以及第二准直器；第一、第二分光晶体分光晶体、可调谐半波片组件、可调谐磁光晶体组件设置于外封件内，第一、第二准直器分别于外封件的两端伸入；可调谐半波片组件包括至少两片工作波段不同的半波片，可调谐磁光晶体组件包括磁环以及套设于磁环内并可移动的磁光晶体本发明通过波段可调的半波片组件及可移动磁光晶体相配合，对不同波段的光实现高隔离及低损耗传输，保证正向光的传输并满足反向光的最佳隔离要求，确保可调谐激光器系统长期稳定的工作。
一种波段可调宽带隔离器调谐激光器

[发明专利]一种磁光隔离器-CN201911036288.7有效
发明人：黄鑫;吴少凡;王帅华;郑熠;徐刘伟 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G02F1/095 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁光隔离器，属于光纤通讯技术领域，能够解决当系统反向光波长范围较宽时，现有磁光隔离器隔离效果较差的问题。所述磁光隔离器包括：柱状的磁光晶体；设置在磁光晶体外围的活动磁体；驱动单元，驱动单元与活动磁体连接，用于驱动活动磁体在磁光晶体的轴向上发生位移。本发明用于磁光隔离器。
一种隔离器

[发明专利]光隔离器-CN202111072589.2在审
发明人：邓剑钦;吉贵军;卢建南;张大鹏 -专利权人：珠海光库科技股份有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G02F1/09 文献下载
摘要：本发明提供一种光隔离器，包括第一输入组件、第二输入组件、第一输出组件、第二输出组件、磁致旋光晶体、第一光路调整PBS棱镜、第二光路调整PBS棱镜和旋光半波片，通过输入/输出PBS棱镜对光纤进行偏振分合光，并通过第一/第二光路调整PBS棱镜将光路调整，继而是光线汇聚在第一光路从磁致旋光晶体穿过并实现相应的旋光，使得不同端口输入的光线均从该磁致旋光晶体穿过，在从对应的不同端口输出，从而大大提高磁致旋光晶体的利用效率，磁致旋光晶体由于只需要沿第一光路布置即可，继而磁致旋光晶体可制作的相对较小，不需要全面积覆盖，因而可大大降低成本，也有利于提高晶体消光比ER的均匀性。
隔离器

[实用新型]光隔离器-CN202122216638.7有效
发明人：邓剑钦;吉贵军;卢建南;张大鹏 -专利权人：珠海光库科技股份有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G02F1/09 文献下载
摘要：本实用新型提供一种光隔离器，包括第一输入组件、第二输入组件、第一输出组件、第二输出组件、磁致旋光晶体、第一光路调整PBS棱镜、第二光路调整PBS棱镜和旋光半波片，通过输入/输出PBS棱镜对光纤进行偏振分合光，并通过第一/第二光路调整PBS棱镜将光路调整，继而是光线汇聚在第一光路从磁致旋光晶体穿过并实现相应的旋光，使得不同端口输入的光线均从该磁致旋光晶体穿过，在从对应的不同端口输出，从而大大提高磁致旋光晶体的利用效率，磁致旋光晶体由于只需要沿第一光路布置即可，继而磁致旋光晶体可制作的相对较小，不需要全面积覆盖，因而可大大降低成本，也有利于提高晶体消光比ER的均匀性。
隔离器

[发明专利]基于磁光材料的与偏振无关的光子晶体环行器-CN202011567531.0有效
发明人：林密;欧阳征标;傅立新;王琼 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G02F1/09 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于磁光材料的与偏振无关的光子晶体环行器，其中，包括：光子晶体波导；磁光材料复合件，设置于所述光子晶体波导的中心；所述磁光材料复合件包括：铁氧体材料层和等离子体材料层。通过在光子晶体波导的中心设置磁光材料复合件，利用磁光材料复合件中的铁氧体材料层和等离子体材料层，分别对TE和TM模式提供磁光旋转效应。从而使得该光子晶体环行器，可同时工作于TE和TM两种偏振模式下，扩大了光子晶体环行器的适用范围。
基于材料偏振无关光子晶体环行器

[发明专利]一种新型磁光晶体Tb₂YGa₅O₁₂（TYGG）制备方法-CN201711266766.4在审
发明人：曾繁明;金维召;李春;林海;刘丽娜;周艳艳 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型磁光晶体TYGG制备方法，该方法使用的是中频感应晶体提拉炉，涉及石榴石型磁光晶体生长工艺领域，主要包括6个步骤，4个生长阶段。本发明所提供的是一种新型磁光晶体TYGG，生长出的晶体完整性好，磁光性能优良，工艺稳定，具有广阔的应用前景。
新型磁光制备晶体提拉炉晶体完整性磁光晶体磁光性能方法使用工艺领域工艺稳定生长阶段石榴石型中频感应生长应用

[发明专利]阵列基板及磁光开关显示器-CN201610003747.1在审
发明人：陈鹏名;张斌;董殿正;张衎;张强;王光兴 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2016-01-04 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： G02F1/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及磁光开关显示器。其中，该阵列基板包括：薄膜晶体管；与所述薄膜晶体管连接的线圈，以及穿插在所述线圈中的磁光晶体，所述线圈和所述磁光晶体构成一磁光开关结构，所述磁光开关结构能够改变通过所述阵列基板的出射光的通过率。
阵列开关显示器

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top