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[发明专利]通过植入碳团簇制造半导体装置的系统和方法-CN200680043695.5有效
发明人：韦德·A·克鲁尔;托马斯·N·霍尔斯基 -专利权人：山米奎普公司
申请日： 2006-12-06 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L21/425 文献下载
摘要：本发明揭示一种工艺，其包含将碳团簇植入到衬底中以当在制造集成电路中的PMOS晶体管结构的过程中用硼和磷掺杂所述衬底时改进晶体管接面的特性。结合PMOS中的源极/漏极结构的硼或浅硼团簇植入来说明对USJ形成的扩散控制。更明确地说，首先，以与后续硼植入大致相同的剂量将例如C－IeHx+的团簇碳离子植入到源极/漏极区中；然后优选使用例如B18Hx+或BioHx+的硼氢化物团簇，进行浅硼、硼团簇、磷或磷团簇的离子植入以形成源极经后续的退火和活化后，由于碳原子吸集间隙缺陷而减少硼扩散。
通过植入碳团簇制造半导体装置系统方法

[发明专利]一种硼团簇修饰的二硒化钴/碳纳米管复合材料及制备方法和应用-CN202111469861.0在审
发明人：武立立;张喜田;叶红凤;张明义;马新志 -专利权人：哈尔滨师范大学
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：一种硼团簇修饰的二硒化钴/碳纳米管复合材料及制备方法和应用，它涉及一种碳纳米管复合材料及制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有电催化析氢催化剂成本高、稳定性差的问题。一种硼团簇修饰的二硒化钴/碳纳米管复合材料中硼团簇为含1个空位的3配位结构，均匀地分布于二硒化钴和碳纳米管之间，质量百分比为1％～20％。方法：一、制备溶液A；二、制备碳纳米管溶液；三、制备反应液；四、水热反应，得到硼团簇修饰的二硒化钴/碳纳米管复合材料。本发明获得的硼团簇修饰的二硒化钴/碳纳米管复合材料应用于电催化析氢，法拉第效率可达97.67％。一种硼团簇修饰的二硒化钴/碳纳米管复合材料用于电催化析氢。
一种硼团簇修饰二硒化钴纳米复合材料制备方法应用

[发明专利]半固体TiB₂前体混合物-CN200780040201.2无效
发明人：马丁·迪翁;让-保罗·于尼 -专利权人：加铝国际有限公司
申请日： 2007-10-31 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属硼化物前体混合物，其包含以产生密切连接的团簇的方式组合的金属氧化物和氧化硼，其中氧化硼在金属氧化物之中。此外，本发明公开了采用该金属硼化物前体混合物和含碳组分制成的碳复合材料。最后，本发明还教导了用于制备该金属硼化物前体混合物的方法，包括以下步骤：提供金属氧化物和氧化硼；将金属氧化物和硼化物在使氧化硼液化并且可以浸透金属氧化物的温度下进行机械混合，以生成金属氧化物和氧化硼密切连接的团簇
固体 tib sub 混合物

[发明专利]一种富含硼酯的核壳式磁性复合微球的制备方法及其应用-CN201310400593.6在审
发明人：汪长春;章雨婷 -专利权人：复旦大学
申请日： 2013-09-06 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C08F292/00 文献下载
摘要：本发明核壳式磁性复合微球的核为磁性四氧化三铁纳米粒子团簇，壳为交联的富含羧基的聚合物网络，然后羧基和氨基苯硼酯酰胺化反应进行表面修饰，通过表面固定的大量硼酯可以在生理条件下快速分离富集糖蛋白。首先制备柠檬酸钠稳定的磁性纳米粒子团簇，接着采用溶胶凝胶法，使磁簇表面修饰上活性的乙烯基官能团，然后通过回流沉淀聚合制备得到高磁响应性单分散的表面富含羧基的核壳式磁性聚合物复合微球，再用氨基苯硼酯与羧基进行酰胺化反应修饰上大量硼酯基团
一种富含核壳式磁性复合制备方法及其应用

[发明专利]一种应用于高温环境下的陶瓷复合材料的制备工艺-CN202210728537.4在审
发明人：林萍华 -专利权人：林萍华
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及ZrB2基高温陶瓷制备技术领域，且公开了一种应用于高温环境下的陶瓷复合材料的制备工艺，包括如下步骤：在微米粒径的二硼化锆ZrB2粒子上生成纳米粒径的铬铜复合团簇粒子，将其在真空下煅烧并在煅烧过程中采用氢气还原，得到二硼化锆ZrB2‑铬铜团簇粒子包覆型复合粉体，采用放电等离子体烧结的方法，制备应用于高温环境下的二硼化锆ZrB2‑铬铜团簇粒子包覆型陶瓷复合材料，其断裂韧性达到了5.84‑6.27MPa·m1/2，并且取得了降低二硼化锆ZrB2粒子烧结温度、促进致密化、具备优异抗高温氧化性的有益技术效果。
一种应用于高温环境陶瓷复合材料制备工艺

[发明专利]微纳结构硼锌复合氧化物的制备方法-CN201410176837.1无效
发明人：袁良杰;韩畅;李朗;崔东明 -专利权人：武汉大学
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种微纳结构硼锌复合氧化物的制备方法。该方法制备出流动性好、高分散性的毛线团状硼锌复合氧化物纳米片团簇，一次粒子小于100nm,团簇颗粒大小在5～10μm间，本发明制备得到的微纳结构硼锌复合氧化物可用于聚合物的阻燃剂，无机复合材料增强、快速凝固剂
结构复合氧化物制备方法

[发明专利]导电性硬质碳膜及其成膜方法-CN201180055302.3有效
发明人：北川晃幸;野村修平 -专利权人：株式会社野村镀金
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：在真空减压下，向基材（13）照射气体团簇离子束（4a）而使基材（13）清洁化和/或平坦化的工序；以及使中间层膜形成材料蒸发汽化，使该蒸发汽化物附着在基材（13）的表面，并且向中间层膜形成材料照射气体团簇离子束（4a）形成中间层膜的工序，使包括硼材料和实质上不含氢的碳质材料的碳膜形成材料蒸发汽化，使该蒸发汽化物附着在上述中间层膜表面，并且向碳膜形成材料照射气体团簇离子束（4a）而进行成膜。
导电性硬质及其方法

[发明专利]使用替代的氟化含硼前驱体的硼离子注入和用于注入的大氢化硼的形成-CN201310020125.6有效
发明人：卡尔·M·奥兰德;乔斯·I·阿尔诺;罗伯特·凯姆 -专利权人：先进科技材料公司
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： B05D3/06 文献下载
摘要：本发明涉及使用比三氟化硼更容易解离的含氟硼掺杂物质注入含硼离子的方法。本发明涉及制造半导体器件的方法，其包括使用比三氟化硼更容易解离的含氟硼掺杂物质注入含硼离子。本发明也揭示供应氢化硼前驱体的系统，形成氢化硼前驱体的方法和供应氢化硼前驱体的方法。在本发明的一个实施例中，产生所述氢化硼前驱体来用于团簇硼注入，以制造半导体产品，例如集成电路。
使用替代氟化前驱离子注入用于氢化形成

[发明专利]使用替代的氟化含硼前驱体的硼离子注入和用于注入的大氢化硼的形成-CN200680038622.7有效
发明人：卡尔·M·奥兰德;乔斯·I·阿尔诺;罗伯特·凯姆 -专利权人：先进科技材料公司
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： B05D3/06 文献下载
摘要：本发明涉及使用比三氟化硼更容易解离的含氟硼掺杂物质注入含硼离子的方法。本发明涉及制造半导体器件的方法，其包括使用比三氟化硼更容易解离的含氟硼掺杂物质注入含硼离子。本发明也揭示供应氢化硼前驱体的系统，形成氢化硼前驱体的方法和供应氢化硼前驱体的方法。在本发明的一个实施例中，产生所述氢化硼前驱体来用于团簇硼注入，以制造半导体产品，例如集成电路。
使用替代氟化前驱离子注入用于氢化形成

[发明专利]微纳结构硼钙复合氧化物的制备方法-CN201310603617.8有效
发明人：袁良杰;崔东明;韩畅;裴炎炎 -专利权人：武汉大学
申请日： 2013-11-25 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C01B35/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种微纳结构硼钙复合氧化物的制备方法。该方法制备出流动性好、高分散性的毛线团状硼钙复合氧化物纳米片团簇，一次粒子小于100nm,团簇颗粒大小在5～10μm间，该产品可用于聚合物的阻燃剂，无机复合材料增强、快速凝固剂。
结构复合氧化物制备方法

[发明专利]飞秒激光团簇尺寸的标定方法-CN201310145187.X有效
发明人：张辉;卢海洋;李松;李儒新 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： G01B15/00 文献下载
摘要：一种用于飞秒激光团簇相互作用中飞秒激光团簇尺寸的标定方法，包括下列步骤：根据激光团簇相互作用实验中获得的离子飞行时间谱推导实验上的离子能谱；模拟团簇尺寸的对数正态分布；模拟团簇半径的分布；模拟团簇的离子能谱；确定最终的团簇半径分布和团簇尺寸分布；完成了团簇尺寸的标定。实验表明，本发明可以探测团簇的尺寸范围很大，能够对团簇平均尺寸实现绝对标定，并且可以得到团簇尺寸分布的准确信息，是一种非常有效的诊断团簇尺寸的方法。
激光尺寸标定方法

[发明专利]一种计算缺陷团簇基态构型的方法-CN202110419760.6在审
发明人：李祥艳;张艳革;许依春;李小林;吴学邦;王先平;刘长松;方前锋 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种计算缺陷团簇基态构型的方法，包括设置缺陷团簇尺寸n0以及团簇构型尺寸上限n1；优化缺陷团簇构型，判断优化的缺陷团簇尺寸n是否大于n0；建立缺陷团簇能量与局域结构的离散关系，获得缺陷团簇能量的离散化模型；根据所述离散化模型计算个体能量，优化缺陷团簇构型；最后判断优化后的缺陷团簇尺寸n是否大于n1，获得缺陷团簇尺寸在1‑n1之间缺陷团簇的构型和能量。该方法基于离散化模型对缺陷团簇基态构型进行计算，可高效地获得材料中较大型空位与自间隙团簇的基态构型，节约计算时间的同时，拓展了团簇尺寸上限。
一种计算缺陷基态构型方法

[发明专利]有机材料纳米团簇热蒸发制备方法-CN200910183238.1无效
发明人：张家雨;王志兵;郭尧 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-07-23 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：一种利用团簇蒸发制备有机发光器件的方法，该方法采用在真空室(5)内设置氮化硼坩埚(3)为纳米团簇薄膜制备装置，在有机材料纳米团簇薄膜制备过程中，首先薄膜制备装置将真空室气压至5×10^-5Pa的超高真空的状态下，将氮化硼坩埚上的电阻丝接通电流源(4)，对氮化硼坩埚加热；蒸镀过程中，电流源的电流为22-25安培；加热时坩埚内压强逐渐增大，材料蒸汽在氮化硼坩埚内部不断积累，最后高温气态材料将通过小孔
有机材料纳米团簇热蒸发制备方法

[发明专利]纳米碳负载团簇态钯基催化剂在腈类化合物催化加氢制备伯胺中的应用-CN201911117784.5有效
发明人：刘洪阳;刘治博 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B01J23/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米碳负载团簇态钯基催化剂在腈类化合物催化加氢制备伯胺中的应用，属于液相腈类化合物催化加氢应用催化剂技术领域。以纳米碳负载团簇状态钯作为催化剂，在温和条件下，高选择性地生成伯胺化合物；催化反应条件为：反应温度30～70℃，氢源为氨硼烷。本发明所述的催化剂中，金属以原子级分散的团簇形式存在，更加有效地提高了金属的利用效率，使得苯甲腈加氢的活性和选择性明显提高。
纳米负载团簇态钯基催化剂化合物催化加氢制备中的应用

[发明专利]一种团簇束流实验装置及纳米团簇的制备方法-CN201611154289.8有效
发明人：张勤芳;王保林;樊乐乐;朱雷;王珏;孟强强;侯贵华;陆伟华;罗改霞 -专利权人：盐城工学院
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： G01N31/10 文献下载
摘要：一种团簇束流实验装置及纳米团簇的制备方法，其主要涉及材料制备设备领域。其中，团簇束流实验装置包括团簇束流产生室、差分输运室、在线催化测量室、团簇质量选择器以及高真空团簇沉积室。通过将团簇束流产生室、差分输运室、在线催化测量室以及团簇质量选择器依次密封连接、将第一沉积室和第二沉积室分别与在线催化测量室和团簇质量选择器密封连接，使得纳米团簇产生、团簇质量选择、团簇沉积、在线催化能够集成一体化，从而使得操作人员能够根据自己实际需要的纳米团簇要求制备自己所需的纳米团簇，并能对团簇的催化性能进行在线测量。采用上述团簇束流实验装置进行纳米团簇的制备，大大降低了制取纳米团簇的时长，同时提高了所得纳米团簇的质量稳定性。
纳米团簇团簇团簇束流质量选择催化实验装置测量室沉积室制备密封连接输运室材料制备设备集成一体化质量稳定性催化性能在线测量高真空沉积时长制取

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