“硒化铋单晶”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果69376个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种高质量硒化铋单晶体的制备方法-CN201910917871.2在审
发明人：张俊凯;刘扶阳;关壬铨;赵钊;张继野;张艳;刘闯 -专利权人：吉林师范大学
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种高质量硒化铋单晶体的制备方法，本发明通过适当调节Bi：Se的摩尔比，引入少量过量的Se作为传输剂，在不引入额外传输剂及助熔剂的条件下，同时解决了Se挥发性高不易制得理想配比的硒化铋化合物的问题，通过自掺杂效应实现了p型或n型高质量硒化铋单晶体的制备。本发明方法所合成的硒化铋单晶样品纯度高，化学计量比理想，且合成工艺简单、环保、先进，可重复性高；此合成产物对研究拓扑绝缘体材料的拓扑非平凡性具有显著的科学价值。
硒化铋单晶体制备拓扑绝缘体材料化学计量比单晶样品额外传输合成产物合成工艺可重复性理想配比挥发性传输剂摩尔比助熔剂自掺杂引入拓扑过量合成环保研究

[发明专利]一种硒化铋纳米颗粒的制备方法-CN201510193660.0有效
发明人：姜守振;张超;仇恒伟;李振;陈沛玺;高赛赛 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供一种硒化铋纳米颗粒的制备方法，利用脉冲激光剥离浸没在溶液中硒化铋靶材表面，制备得到纳米尺度的硒化铋颗粒，其所用的脉冲激光波长为248、325、532或1064nm，其所用的硒化铋靶材为单晶或非晶硒化铋靶材，其所用的溶液为去离子水或液氮，该方法无污染，对人体无伤害且该方法操作简单成本低、易实现批量生产，所制备的硒化铋纳米颗粒尺寸均匀、浓度简单可控。因此本发明是一种工艺简单，无污染，高效的硒化铋纳米颗粒的制备方法。
一种硒化铋纳米颗粒制备方法

[发明专利]一种自支撑二维硒氧化物纳米片阵列及其制备方法-CN202111493079.2在审
发明人：乔梁;丁翔 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种自支撑二维硒氧化物晶体阵列的制备方法，属于半导体材料技术领域。其包括以下步骤：采用硒化铋粉末作为硒化材料置于管式炉上游低温区，利用低温蒸发将其气化，通过载气氩气把硒化铋带到中心高温区与氧化铋进行气相化学反应并沉积到下游低温区氯化钠单晶衬底，形成外延取向一致的二维硒氧化铋晶体阵列随后通过在材料表面旋涂有机聚合物并加热，待其固化后在去离子水中将氯化钠单晶衬底溶解，获得粘有自支撑二维硒氧化铋阵列的有机聚合物膜并可以转移到其他衬底上去。本发明方法解决了二维硒氧化物纳米片阵列的制备问题和之后的转移问题，有望将这种新兴材料应用于柔性器件，发展到可穿戴设备上，具有广阔的应用前景。
一种支撑二维氧化物纳米阵列及其制备方法

[发明专利]一种在硅衬底上生长硒化铋单晶薄膜的方法及装置-CN201310336220.7无效
发明人：李含东;高磊;李辉;王高云;罗思源;任武洋;艾远飞;巫江;周志华;王志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-08-05 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种在硅衬底上生长硒化铋单晶薄膜的方法，包含如下步骤：步骤1.对单晶硅表面做化学清洗并刻蚀钝化，得到硅衬底；步骤2.将Bi2Se3化合物和硅衬底分别放置于管式炉石英管中心区和第一管口，密封石英管并抽真空及一种在硅衬底上生长硒化铋单晶薄膜的装置。本发明所述的在硅衬底上生长硒化铋单晶薄膜的方法及装置，采用物理气相输运沉积装置在常见的Si衬底上制备Bi2Se3单晶薄膜，操作简单、成本低廉，能制备出高质量的外延单晶薄膜。
一种衬底生长硒化铋单晶薄膜方法装置

[发明专利]一种硒化铋基有机插层热电材料及其制备方法-CN201910398492.7在审
发明人：万春磊;宗鹏安;潘伟 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L35/12 文献下载
摘要：本发明公开了属于热电材料技术领域的一种硒化铋基有机插层热电材料及其制备方法，该材料结构式为Bi₂Se₃HA_xDMSO_{y硒化铋单晶为原料，通过锂插层、钠离子交换、正己胺离子交换得到硒化铋有机插层热电材料。有机分子扩大了硒化铋五层原子原胞之间的空间距离，弱化了层间键合，造成了振动模式软化，同时引入声子限制效应，大幅降低了晶格热导率，使硒化铋的热电优值提高约100％。因此，本发明的基于硒化铋的有机插层超晶热电材料是一种具有良好应用前景的热电材料。}
硒化铋热电材料有机插层己胺制备材料结构式二甲基亚砜晶格热导率钠离子交换层间键合空间距离离子交换有机分子振动模式锂插层单晶热电声子原胞软化弱化引入应用

[发明专利]一种硒化铋超晶格结构及其制备-CN202110206992.3有效
发明人：李含冬;贺靖;李俊烨;杜绍增;陈治;姬海宁;牛晓滨;王志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10N10/857 文献下载
摘要：本发明提供一种硒化铋超晶格结构及其制备，属于拓扑绝缘体与热电材料领域。利用分子束外延技术在衬底表面依次交替外延生长结晶取向为(001)的硒化铋拓扑绝缘体(化学式为：Bi2Se3)单晶薄膜与硒化铟铋普通绝缘体1‑xInx)2Se3，其中0.20≤x≤0.35)单晶薄膜与现有硒化铋超晶格结构相比，本发明所述超晶格中Bi2Se3拓扑绝缘体层与(Bi1‑x
一种硒化铋超晶格结构及其制备

[发明专利]一种基于硒氧化铋/硒化铟异质结的光电探测器及其制备方法和应用-CN202210863080.8在审
发明人：韩理想;张之洋;高伟;霍能杰;李京波 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明属于红外‑可见光探测技术领域，公开了一种基于硒氧化铋/硒化铟异质结的光电探测器及其制备方法和应用。所述光电探测器包括硒氧化铋/硒化铟异质结和金属电极，该硒氧化铋/硒化铟异质结位于两侧金属电极之间；所述光电探测器是将二维硒化铟纳米片转移至二维硒氧化铋纳米片上，形成二维硒氧化铋/硒化铟异质结，在不重合的二维硒化铟纳米片和二维硒氧化铋纳米片上制作金属电极得到本发明的基于硒氧化铋/硒化铟异质结的光电探测器具有高开关比、宽光谱探测、自驱动等特点，在高性能自驱动光电探测器应用中显示出良好的潜力。
一种基于氧化硒化铟异质结光电探测器及其制备方法应用

[发明专利]碲化铋-二硒化钼纳米片及其制备方法和应用-CN202111634635.3有效
发明人：曾炜;李龙斌;石超生 -专利权人：广东省科学院化工研究所
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化铋‑二硒化钼纳米片及其制备方法和应用。本发明的碲化铋‑二硒化钼纳米片是以碲化铋为基底，二硒化钼纳米片为阻挡层的N型热电材料，具有塞贝克系数的绝对值较高、热电性能较好的优点。本发明的碲化铋‑二硒化钼纳米片的制备方法，包括将钼源、碲化铋、硒源和还原剂分散在水中进行水热反应，再分离出固体产物进行煅烧，即得碲化铋‑二硒化钼纳米片。该碲化铋‑二硒化钼纳米片的制备方法简单和便捷的优势。碲化铋‑二硒化钼纳米片及其制备方法可适用于环保、热电和储能材料的领域。
碲化铋二硒化钼纳米及其制备方法应用

[发明专利]锰磷化钙包裹装载AIPH硒化铋纳米颗粒的制备方法-CN202110051259.9在审
发明人：薛鹏;李永灿;康跃军;张蕾 -专利权人：西南大学
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： A61K41/00 文献下载
摘要：本发明涉及纳米材料的合成领域，更具体地涉及制备从硒化铋、装载偶氮引发剂AIPH的硒化铋和最终通过生物矿化生成的锰磷化钙包裹装载AIPH硒化铋纳米颗粒及各步骤的具体方法。锰磷化钙包裹装载AIPH的硒化铋纳米颗粒的制备方法具体包括以下步骤：（1）硒化铋纳米颗粒的制备，（2）装载偶氮引发剂AIPH的硒化铋纳米粒子的制备，（3）锰磷化钙包裹装载AIPH的硒化铋纳米颗粒。
磷化钙包裹装载 aiph 硒化铋纳米颗粒制备方法

[发明专利]一种基于纳米压印的二维层状硒化铋纳米片制备方法-CN202210549058.6在审
发明人：陶立;宋东东;陈佳熠;陈启超;丁亚梅 -专利权人：东南大学
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纳米压印的二维层状硒化铋纳米片制备方法，采用聚二甲基硅氧烷将硒化铋片附着于衬底上，然后将其整体放置于纳米压印机的工作台上，在不高于80℃以及在20～30bar压力下进行压印，得到硒化铋纳米片本发明通过纳米压印对层间结合力强的硒化铋材料进行剥离制备，采用与硒化铋材料结合力好的衬底，在聚二甲基硅氧烷热释放温度以下以及稳定的压力氛围中，促使硒化铋厚片层与层之间的分离，从而获得厚度为十几纳米的硒化铋片
一种基于纳米压印二维层状硒化铋制备方法

[发明专利]一种控制硒化铋薄膜分形断裂的方法-CN202210359227.X在审
发明人：田仲政;任中阳;于达程;田姣姣;任黎明;傅云义 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公布了一种控制硒化铋薄膜分形断裂的方法，属于纳米或原子尺度器件领域。该方法在衬底上制备硒化铋薄膜，使用电学设备，使硒化铋在高电流作用下发生初始断裂，产生横向裂纹，在横向裂纹中确定物质桥位置；继续升高施加在硒化铋薄膜沟道两侧的电压，对硒化铋沟道扫描范围从0V开始，最大电压10～100V，使物质桥发生熔断，分形裂纹从物质桥处开始延展，通过施加更高电压的I‑V扫描，控制硒化铋薄膜分形裂纹。本发明使用纯电学方法来控制硒化铋薄膜分形断裂，速度快，工艺简单。
一种控制硒化铋薄膜断裂方法

[发明专利]光照释放氧气的载酶硒化铋纳米粒子的制备方法-CN201910596581.2有效
发明人：薛鹏;任俊洁;张蕾;康跃军 -专利权人：西南大学
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： A61K41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光照释放氧气的载酶硒化铋纳米粒子的制备方法，涉及药物化学的合成领域，更具体地涉及从合成空心介孔硒化铋、载酶硒化铋以及全氟化碳的装载等各步的具体方法。光照释放氧气的载酶硒化铋纳米粒子的制备方法具体包括以下步骤：（1）利用水热法合成硒化铋（2）利用离子吸附法合成在空心介孔的硒化铋外壳上吸附葡萄糖氧化酶（3）利用超声法将全氟化碳填充入硒化铋空腔内，然后充入氧气
光照释放氧气载酶硒化铋纳米粒子制备方法

[发明专利]氧等离子体处理的硒氧化铋纳米片光电探测器及制备方法-CN202010291662.4在审
发明人：诸葛福伟;熊绪婧;翟天佑 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明属于光电探测相关技术领域，其公开了一种氧等离子体处理的硒氧化铋纳米片光电探测器及制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)采用化学气相沉积方法在衬底上制备硒氧化铋纳米片；(2)采用激光直写或者电子束曝光技术，结合热蒸发及电子束蒸发在所述硒氧化铋纳米片上制备一对源漏金属电极；(3)对所述硒氧化铋纳米片进行氧等离子体处理，由此得到硒氧化铋纳米片光电探测器。本发明采用等离子体处理的方法，可以使得硒氧化铋纳米片的初始暗态电流下降，可以增大器件的光响应，且制备方法工艺简单，操作容易，成本较低，有望应用于大规模改善硒氧化铋纳米片光电探测器的性能，为硒氧化铋在光电探测器的应用奠定了基础
等离子体处理氧化纳米光电探测器制备方法

[发明专利]一种制备Bi₂(Se_xTe_1-x)₃单晶纳米片的方法-CN201510647429.4在审
发明人：雷仁博;郭靓;简基康 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备Bi₂(Se_xTe_1-x)₃单晶纳米片的方法，该方法是在高压反应釜里，加入碲粉末、硒粉末及有机溶剂，搅拌15~35分钟后加入氯化铋，继续搅拌15~35分钟后将反应釜密封并置于180-200℃温度下保持12-48小时，进行溶剂热反应，将反应产物用去离子水、无水乙醇清洗1~3遍，真空干燥并收集，得最终产物Bi₂(Se_xTe_1-x)₃单晶纳米片。本发明使用溶剂热法，以二亚乙基三胺为溶剂，氯化铋和碲、硒单质粉末为前驱物，无其它表面活性剂辅助下，合成组分可调Bi₂(Se_xTe_1-x)₃单晶纳米片，所获得的Bi₂(Se_xTe_1-x)₃单晶纳米片其结晶性、分散性好；本发明制备方法环境污染小
一种制备 bi sub se te 纳米方法

[发明专利]纳米硒氧化铋的制备方法及其应用-CN202111669948.2在审
发明人：赵志成;孙伟佳;罗睿杰;张双猛;刘勇 -专利权人：广东宜纳新材料科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米硒氧化铋的制备方法及其应用，涉及压电催化剂技术领域。具体的，纳米硒氧化铋的制备方法包括：(1)将硒脲、铋化合物、螯合剂和水混合，得到前驱体溶液；(2)在所述前驱体溶液中加入碱，反应预设时间后将所得沉淀分离，即得到纳米硒氧化铋成品；其中，所述铋化合物中Bi与硒脲中Se的摩尔比为(1.8～5)：1。本发明的纳米硒氧化铋的制备方法流程简单，周期短，重复性高，且制备得到的纳米硒氧化铋具有良好的制氢潜力。
纳米氧化制备方法及其应用

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 69376 条