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[发明专利]一种基于硅波导的全波段起偏器-CN202010418955.4在审
发明人：时尧成;刘卫喜 -专利权人：浙江大学;舜宇光学（浙江）研究院有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅波导的全波段起偏器。本发明由浅刻蚀锥形渐变硅波导和浅刻蚀条形硅波导构成；所述的浅刻蚀锥形渐变硅波导包括第一浅刻蚀锥形渐变硅波导和第二浅刻蚀锥形渐变硅波导；所述的浅刻蚀条形硅波导为第一浅刻蚀条形硅波导构成；输入硅波导与第一浅刻蚀锥形渐变硅波导相连，第一浅刻蚀条形硅波导分别与第一浅刻蚀锥形渐变硅波导和第二浅刻蚀锥形渐变硅波导相连；第二浅刻蚀锥形渐变硅波导与输出硅波导相连。本发明提出的硅波导的全波段起偏器具有低损耗、高消光比、大带宽、加工简单的特点，满足光通信、集成光学等领域的实际需求。
一种基于波导波段起偏器

[实用新型]基于硅波导的全波段起偏器-CN202020826535.5有效
发明人：时尧成;刘卫喜 -专利权人：浙江大学;舜宇光学（浙江）研究院有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于硅波导的全波段起偏器。本实用新型由浅刻蚀锥形渐变硅波导和浅刻蚀条形硅波导构成；所述的浅刻蚀锥形渐变硅波导包括第一浅刻蚀锥形渐变硅波导和第二浅刻蚀锥形渐变硅波导；所述的浅刻蚀条形硅波导为第一浅刻蚀条形硅波导构成；输入硅波导与第一浅刻蚀锥形渐变硅波导相连，第一浅刻蚀条形硅波导分别与第一浅刻蚀锥形渐变硅波导和第二浅刻蚀锥形渐变硅波导相连；第二浅刻蚀锥形渐变硅波导与输出硅波导相连。本实用新型提出的硅波导的全波段起偏器具有低损耗、高消光比、大带宽、加工简单的特点，满足光通信、集成光学等领域的实际需求。
基于波导波段起偏器

[发明专利]折叠式硅-铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法-CN201910715011.0在审
发明人：陈朋鑫;蔡浚明;刘柳;胡金耀 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明公开了一种折叠式硅‑铌酸锂混合集成电光调制器及其制备方法，包括硅基输入波导，硅基光分路器，硅‑铌酸锂波导耦合结构，第一条波导臂，第二条波导臂，硅基光合路器，硅基输出波导，硅基波导交叉结构，三个电极；其中第一条波导臂、第二条波导臂均包括硅‑铌酸锂波导耦合结构及两条以上铌酸锂波导；第一条波导臂、第二条波导臂还包括硅基弯曲波导，硅基交叉结构；在光路转弯前铌酸锂光波导中的光通过硅‑铌酸锂波导耦合结构从铌酸锂波导中耦合到硅基光波导中，在硅基波导中实现光路的转弯，并通过与硅基弯曲波导相连接的硅基交叉结构实现光路在波导中的转换，本发明有利于实现调制器的小型化。
硅基波导臂铌酸锂波导交叉结构耦合结构光路硅基波导弯曲波导转弯铌酸锂光波导电光调制器硅基光波导光分路器光合路器混合集成输出波导输入波导调制器折叠式铌酸锂耦合到电极波导制备转换

[发明专利]开槽分支型的太赫兹波偏振分束器-CN201210385685.7无效
发明人：李九生 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G02B6/27 文献下载
摘要：它包括信号输入端、第一信号输出端、第二信号输出端、基体、逆z形开槽硅波导、z形分支硅波导；基体上设有不相邻的逆z形开槽硅波导和z形分支硅波导，逆z形开槽硅波导由顺次相连的矩形开槽硅波导、第一直拐角连接硅波导和第一输出硅波导组成，矩形开槽硅波导上设有第一矩形耦合缝隙，z形分支硅波导由顺次连接的八边形开槽波导、矩形硅波导、第二直拐角连接硅波导和第二输出硅波导组成，八边形开槽波导上设有第二矩形耦合缝隙，信号从信号输入端垂直入射，经过逆z形开槽硅波导和z形分支硅波导，从信号输出端输出。
开槽分支赫兹偏振分束器

[发明专利]硅阵列结构的太赫兹波偏振分束器-CN201611160713.X有效
发明人：章乐;李九生 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅阵列结构的太赫兹波偏振分束器。它包括包括基底层、中央矩形硅波导、左一长矩形硅波导、左二长矩形硅波导、左三长矩形硅波导、中一短矩形硅波导、中二短矩形硅波导、中三短矩形硅波导、下一长矩形硅波导、下二长矩形硅波导、右一长矩形硅波导、倒L形硅波导、右二长矩形硅波导、L形硅波导、信号输入端、第一信号输出端、第二信号输出端，信号从信号输入端输入，第一信号输出端输出TE波，第二信号输出端输出TM波，获得偏振分束性能。
阵列结构赫兹偏振分束器

[发明专利]环形光电探测器及其制备方法、光收发系统-CN202310420850.6在审
发明人：宋泽国;郝沁汾 -专利权人：无锡芯光互连技术研究院有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：该环形光电探测器包括硅衬底、硅波导层、光电吸收层和电极层，硅波导层设于硅衬底上，硅波导层包括第一硅波导结构和第二硅波导结构，第一硅波导结构设置为环形，第二硅波导结构设置为长方形，第二硅波导结构设置于第一硅波导结构的一侧；光电吸收层呈环形设置于第一硅波导结构上；电极层设置于第一硅波导结构上。本发明提供的环形光电探测器，入射光进入第二硅波导结构，通过间接耦合的方式进入第一硅波导结构中，光在第一硅波导结构内循环传播，并耦合到光电吸收层内，提高了入射光的吸收效率和环形光电探测器的响应度。
环形光电探测器及其制备方法收发系统

[发明专利]环形光电探测器及光收发系统-CN202310420844.0在审
发明人：宋泽国;郝沁汾 -专利权人：无锡芯光互连技术研究院有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：该环形光电探测器包括硅衬底、硅波导层、光电吸收层和电极层，硅波导层设于硅衬底上，硅波导层包括第一硅波导结构和第二硅波导结构，第一硅波导结构设置为环形，第二硅波导结构设置为两个对称的锥形，第二硅波导结构的宽度从两端向中间逐渐减小，第二硅波导结构设于第一硅波导结构的一侧，第一硅波导结构沿两锥形的连接线的延长线对称分布，第二硅波导结构被配置为能将入射光耦合到第一硅波导结构中；光电吸收层呈环形设置于第一硅波导结构上；电极层呈环形设置于第一硅波导结构上
环形光电探测器收发系统

[发明专利]一种硅基激光器-CN201710488683.3有效
发明人：隋少帅 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本申请提出了一种硅基激光器，涉及光通信技术领域。包括，硅衬底、半导体出光芯片，硅衬底表面形成有环形闭口硅波导、连接硅波导、环形开口硅波导及输出硅波导；半导体出光芯片发出的光通过连接硅波导进入环形闭口硅波导及环形开口硅波导进行谐振；环形开口硅波导与输出硅波导的连接处发生光反射，使得一部分光反射回连接硅波导进行谐振，另一部分光反射向输出光波导从而对外输出。本申请提出的硅基激光器可以对半导体出光芯片提供的光进行谐振、反射最终实现激光输出，从而提高硅发光效率。
一种激光器

[发明专利]一种光模块-CN202010203526.5有效
发明人：尹延龙;陈思涛;隋少帅;赵其圣 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本申请提供的光模块，包括：电路板；光源，用于发出不携带信号的光；硅光芯片，硅光芯片的输入光口设置有光波导耦合器，通过光波导耦合器耦合不携带信号的光，将不携带信号的光调制为信号光并通过硅光芯片的输出光口输出信号光；光波导耦合器包括：衬底；第一硅波导，设置在衬底上；第二硅波导，设置在衬底上，位于第一硅波导长度方向的一侧，长度方向与第一硅波导长度方向平行、与第一硅波导之间存在间距，间距内填充包层材料，第二硅波导的厚度大于第一硅波导的厚度；氮化硅波导，设置在第一硅波导上方，与第一硅波导存在间距，间距内填充包层材料。本申请提供的光模块，通过包含氮化硅波导等的光波导耦合器，提升光到硅光芯片内部的耦合效率。
一种模块

[发明专利]一种光模块-CN202010203530.1有效
发明人：尹延龙;陈思涛;隋少帅;赵其圣 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本申请提供的光模块，包括：电路板；硅光芯片，设置在电路板上，硅光芯片的输入光口内设置偏振旋转分束器，通过偏振旋转分束器接收光模块外部传输至其的信号光，将信号光调制为电信号并通过硅光芯片的光电口输出；偏振旋转分束器包括：衬底；第一硅波导，设置在衬底上；第二硅波导，设置在第一硅波导第一端的上方，厚度大于第一硅波导的厚度；第三硅波导，设置在第一硅波导第一端的上方，厚度大于第一硅波导的厚度，第三硅波导与第二硅波导之间存在间距，间距内填充包层；氮化硅波导，设置在第一硅波导第二端的上方，与第一硅波导之间存在间距，间距内填充包层。通过包含氮化硅波导等的偏振旋转分束器，提升光到硅光芯片内部的耦合效率。
一种模块

[发明专利]一种基于石墨烯的光电探测器-CN201910614105.9有效
发明人：崔积适 -专利权人：三明学院
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于石墨烯的光电探测器，包括：氧化物衬底层；硅波导层，形成于所述氧化物衬底层上；其中，所述硅波导层包括矩形硅波导以及微环形硅波导，所述微环形硅波导设置于所述矩形硅波导的第一侧，并与所述矩形硅波导形成微环谐振腔结构；石墨烯层，设置于所述硅波导层上，并覆盖所述矩形硅波导以及所述微环形硅波导；第一金属电极，设置于所述硅波导层的覆盖有所述石墨烯层的一侧，并位于所述石墨烯层上；第二金属电极，设置于所述硅波导层的未设置有所述石墨烯层的另一侧
一种基于石墨光电探测器

[实用新型]用于激光器与单模硅波导间的耦合结构-CN202120650362.0有效
发明人：宋若谷;蔡艳;汪巍;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于激光器与单模硅波导间的耦合结构，耦合结构包括：直波导；锥形波导，锥形波导的输入端连接于直波导；单模硅波导，连接于锥形波导的输出端；直波导与锥形波导包括交替层叠的二氧化硅层及氮化硅层，交替层叠的次数为2次以上，单模硅波导包括插入至锥形波导中的第一硅波导段以及凸出于锥形波导的第二硅波导段，第一硅波导段被锥形波导最下层的二氧化硅层包裹。本实用新型可以用于实现大尺寸差下激光器/波导与波导间的光耦合，具有耦合效率高，传输损耗小，结构简单，便于加工等优点，在硅光集成领域存在诸多潜在的应用。
用于激光器单模波导耦合结构

[发明专利]一种基于硅锗混合波导的温度传感器及硅光芯片-CN202210662270.3在审
发明人：郑宇;黄颖 -专利权人：武汉科宇智联信息技术有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G01K11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于硅锗混合波导的温度传感器及硅光芯片，温度传感器的核心传感结构包括对称的两个光传输支路：第一传感硅波导和第二传感硅波导；第一传感硅波导或第二传感硅波导上集成有传感锗波导；输入温度传感器的光源信号经过分光后，分别经过第一传感硅波导和第二传感硅波导后输出；尺寸小、成本低、结构简单，实现了硅光芯片核心温度监控。
一种基于混合波导温度传感器芯片

[发明专利]硅波导与氧化硅波导模式转换器的制备方法-CN202010243301.2有效
发明人：孙德贵;于汀 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：硅波导与氧化硅波导模式转换器及其制备方法涉及光通信和光传感技术领域，该转换器包括：硅基底、二氧化硅底包层、单模硅波导芯、楔形波导芯、单模二氧化硅波导芯和二氧化硅上包层；二氧化硅底包层设置在硅基底上，在二氧化硅底包层上从一端到另一端依次设置单模硅波导芯、楔形波导芯和单模二氧化硅波导芯；单模硅波导芯、楔形波导芯和单模二氧化硅波导芯为一体化结构，单模二氧化硅波导芯为条型结构；楔形波导芯靠近单模硅波导芯的部分为硅波导芯，靠近单模二氧化硅波导芯的部分为二氧化硅波导芯通过此方法使其达到从单模到单模的转化效果，即实现了硅单模波导与氧化硅单模波导之间的波导内模式转化，最终满足波导与光纤之间的能量转化效率。
波导氧化模式转换器制备方法

[发明专利]基于相变材料的非易失可重构集成光耦合器及其调谐方法-CN202010994336.X有效
发明人：张敏明;姚欣怡;刘德明 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于相变材料的非易失可重构集成光耦合器及其调谐方法，属于光纤通信和集成光子学技术领域，包括：第一硅波导，由第一直波导、第一S波导、第二直波导、第二S波导和第三直波导顺连组成的第一混合波导，由第四直波导、第三S波导、第五直波导、第四S波导和第六直波导顺连组成的第二混合波导，以及第二硅波导；第一直波导和第一硅波导，第三直波导和第一硅波导，第四直波导和第二硅波导，第六直波导和第二硅波导，第二直波导和第五直波导，分别构成五个耦合区；混合波导中包含非易失相变材料，构成耦合区的混合波导和硅波导在相变材料为非晶态时满足相位匹配，在晶态时相位严重失配。
基于相变材料非易失可重构集成耦合器及其调谐方法

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