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[实用新型]一种硅光芯片光电共封装用的封装结构-CN202320476433.9有效
发明人：彭德军;代等;陈享郭;许广俊;王峻岭;廖斐 -专利权人：深圳市光为光通信科技有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅光芯片光电共封装用的封装结构，包括：硅光芯片、扇出结构基板、转接电路模块，硅光芯片设置在转接电路模块顶端中间处，扇出结构基板设置在硅光芯片上方，硅光芯片与扇出结构基板电性连接，转接电路模块与扇出结构基板电性连接，转接电路模块顶端可拆卸设置有壳体，硅光芯片与扇出结构基板位于壳体内。本实用新型的目的在于提供一种结构简单、封装方便的硅光芯片光电共封装用的封装结构。
一种芯片光电封装结构

[实用新型]一种芯片的封装结构-CN202022950124.X有效
发明人：余泽龙;刘怡;徐健;戴宏德 -专利权人：星科金朋半导体（江阴）有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：其包括扇出型芯片封装体、再布线金属层（40）和基板（50），所述扇出型芯片封装体设置于再布线金属层（40）的上方，所述硅板（60）通过粘结散热剂（63）与扇出型芯片封装体的背面连接。本实用新型通过设置硅板有效地解决了扇出型芯片在芯片回流焊过程中翘曲变形问题。
一种芯片封装结构

[发明专利]具有微细间距硅穿孔封装的扇出型封装晶片结构及单元-CN201910875550.0在审
发明人：蔡佩君;徐宏欣;张简上煜;林南君 -专利权人：力成科技股份有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供一种具有微细间距硅穿孔封装的扇出型封装晶片结构及单元。该具有微细间距硅穿孔封装的扇出型封装晶片结构将硅工艺的硅中介层设置于下层的封装单元内，作为上层的封装单元与底层的基板之间的电连接。依据上层封装单元的扇出接点的设计分布，以一个或多个局部配置硅中介层于下层封装单元的半导体晶粒侧边，可满足对于高阶晶片更不受限制的设计需求。
具有微细间距穿孔封装扇出型晶片结构单元

[发明专利]一种硅光芯片高密度光电共封装的封装结构及封装方法-CN202211398685.0在审
发明人：王真真;李佳;黄欣雨;储涛 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅光芯片高密度光电共封装的封装结构及封装方法，包括硅光芯片、扇出结构基板以及转接电路模块，扇出结构基板既作为基板，又作为扇出结构，通过其底部的高密度第二电学引脚、内部电路图以及第三电学引脚，在固定硅光芯片的同时，将硅光芯片的高密度第一电学引脚扇出至第三电学引脚，并采用引线焊接方式与转接电路模块的第四电学引脚电学连接，实现电学封装，并避免封装和使用中的热失配问题。扇出结构基板的工字形状，扇出结构基板的两侧凹槽区域作为避让空间，便于硅光芯片两侧光学耦合端口与外部光纤阵列的耦合封装，满足了电学引脚、光学耦合端口高密度并存的硅光芯片及类似光芯片的封装需求。
一种芯片高密度光电封装结构方法

[发明专利]扇出型封装方法-CN202011622964.1在审
发明人：李尚轩;李俊德 -专利权人：南通通富微电子有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本申请公开了一种扇出型封装方法，包括步骤：提供一芯片，所述芯片上设有多个焊盘，提供一硅基板，将所述芯片布置在所述硅基板上，所述芯片远离所述焊盘的一面粘贴在所述硅基板上；对所述芯片进行扇出型封装。根据本申请实施例提供的技术方案，通过提供硅基板作为承载板，取代现有的金属或者玻璃承载结构，能够强化晶圆结构进而降低晶圆翘曲避免因翘曲多大导致机台故障和晶圆破片等风险；并且该硅基板作为最终产品的一部分，对芯片提供硅基板的刚性支撑
扇出型封装方法

[发明专利]一种三维堆叠的扇出型封装结构及其制备方法-CN202211037844.4在审
发明人：陈彦亨;林正忠;杨进 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种三维堆叠的扇出型封装结构及其制备方法，该扇出型封装结构从上至下依次包括芯片堆叠体、硅转接层、传输芯片、包覆层及基板，并通过设置重新布线层或金属焊球实现硅转接层与基板的电连接从而进行信号传输其中，传输芯片设置于硅转接层的下表面，包含多个芯片的芯片堆叠体则设置于硅转接层的上表面，从而提高了整个结构的集成度，减小封装体积，节省了基板面积，使得在小面积的基板上也能容纳较多数量的芯片；采用堆叠式的设计使得芯片之间产生交叠
一种三维堆叠扇出型封装结构及其制备方法

[发明专利]阵列基板及阵列基板上扇出导线的制作方法、显示装置-CN201210454642.X有效
发明人：白金超;孙亮;丁向前;李梁梁;刘耀 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明实施例提供阵列基板及阵列基板上扇出导线的制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够减小阵列基板的扇出线路的线间距，制备出满足窄边框技术要求的阵列基板。本发明的阵列基板包括：基板；设置于基板上的栅绝缘层；设置于栅绝缘层上的扇出线路，扇出线路包括多条扇出导线，扇出导线包括设置于栅绝缘层上的非晶硅层、欧姆接触层以及源漏极层，扇出导线是通过在源漏极层上形成第一光刻胶，并对第一光刻胶进行半曝光显影工艺后，对非晶硅层、欧姆接触层、源漏极层、第一光刻胶采用刻蚀工艺，然后剥离第一光刻胶，形成第二光刻胶，对第二光刻胶进行全曝光显影工艺，以及对非晶硅层采用刻蚀工艺所形成的。
阵列基板上扇出导线制作方法显示装置

[发明专利]埋入硅基板扇出型封装方法-CN201510861886.3有效
发明人：于大全;翟玲玲 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种埋入硅基板扇出型封装方法，首先，在晶圆级水平将芯片埋入到硅基板圆片上，然后，在扇出工艺过程中，将若干硅基板圆片贴在一块面板上进行面板级封装，最后，在晶圆级水平进行凸点制备或植焊球；本发明先芯片埋入到硅基板圆片上再进行面板级封装在面板级工艺过程中激光直接曝光时，通过每个晶圆分别进行对准调整，提高了整体的对准精度，有利于细节距焊盘芯片的扇出封装加工。
埋入硅基板扇出型封装方法

[发明专利]一种基于硅基光电子集成芯片的光电共封装方法-CN202310231042.5有效
发明人：许广俊;陈享郭;王峻岭;廖斐;彭德军 -专利权人：深圳市光为光通信科技有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅基光电子集成芯片的光电共封装方法，包括步骤：S1：利用导电银胶将硅光芯片上固化的微型焊料凸点与扇出结构基板的引脚对准粘接；S2：对导电银胶进行高温固化加热，以实现硅光芯片与扇出结构基板的电学连接与固定第一个实施例中，本发明通过采用导电银胶来实现电连接，然后通过高温使导电银胶固化，完成硅光芯片和扇出结构基板的电连接，同时因为需要进行升温再降温，所以可以在加速导电银胶固化的同时实现硅光芯片和扇出结构基板的退火
一种基于光电子集成芯片光电封装方法

[发明专利]芯片后组装扇出型封装结构及其生产工艺-CN201510397407.7有效
发明人：郭学平;于中尧 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片后组装扇出型封装结构及其生产工艺，其特征是，包括扇出型封装基板，扇出型封装基板上表面设置焊盘，扇出型封装基板下表面设置阻焊层，阻焊层中布置RDL线路层，扇出型封装基板上设有连通上下表面的通孔，通孔中填充金属，RDL线路层和焊盘通过通孔中的金属互连，RDL线路层的焊盘上设有BGA球；在所述扇出型封装基板上表面设有介质材料，扇出型封装基板的焊盘嵌入介质材料中，介质材料上表面设有基板坝体，基板坝体的槽体中贴装芯片；所述芯片正面的芯片焊盘上设有凸点，芯片焊盘和凸点嵌入介质材料中，凸点与扇出型封装基板上表面的焊盘连接。本发明解决了芯片铝焊盘无法与基板工艺兼容的问题和扇出型装良率的问题，降低了封装成本。
芯片组装扇出型封装结构及其生产工艺

[发明专利]埋入硅基板扇出型3D封装结构-CN201610098740.2有效
发明人：于大全 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L23/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种埋入硅基板扇出型3D封装结构，该封装结构中，功能芯片嵌入到硅基板正面上的凹槽内，在硅基板正面凹槽外的区域制备有垂直导电通孔，通过导电通孔，功能芯片可以把电性导出至硅基板的背面，在硅基板的正面和背面可以制备有再布线和焊球这个结构的好处是：由于硅基板和芯片之间的热膨胀系数接近，封装结构具有良好的可靠性；该结构可以进行实现3D封装互连；采用硅基板，可以制作细线条，高密度布线，可以满足高密度互连的需要；该封装结构可以更容易实现小型化，薄型化，制备方法成熟，工艺可行。
埋入硅基板扇出型封装结构

[实用新型]埋入硅基板扇出型封装结构-CN201520597950.7有效
发明人：于大全 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种埋入硅基板扇出型封装结构，采用硅基体取代模塑料作为扇出的基体，充分利用硅基体的优势，能够制作精细布线。利用成熟的硅刻蚀工艺，可以精确刻蚀孔、槽等结构。通过将芯片埋入硅基体上的凹槽内，将聚合物胶填充芯片与凹槽侧壁之间的间隙，并把部分焊球扇出到硅基体表面，能够提高封装可靠性，工艺简单，成本低。由于硅基体的散热性好及具有更小的翘曲，有利于提高封装的散热性，克服不良翘曲，获得更小的布线线宽，适于高密度封装。
埋入硅基板扇出型封装结构

[实用新型]埋入硅基板扇出型3D封装结构-CN201620135677.0有效
发明人：于大全 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L23/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种埋入硅基板扇出型3D封装结构，该封装结构中，功能芯片嵌入到硅基板正面上的凹槽内，在硅基板正面凹槽外的区域制备有垂直导电通孔，通过导电通孔，功能芯片可以把电性导出至硅基板的背面，在硅基板的正面和背面可以制备有再布线和焊球这个结构的好处是：由于硅基板和芯片之间的热膨胀系数接近，封装结构具有良好的可靠性；该结构可以进行实现3D封装互连；采用硅基板，可以制作细线条，高密度布线，可以满足高密度互连的需要；该封装结构可以更容易实现小型化，薄型化，制备方法成熟，工艺可行。
埋入硅基板扇出型封装结构

[发明专利]一种扇出型封装结构及其制造方法-CN202210941380.3有效
发明人：陈彦亨;林正忠 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供一种扇出型封装结构及其制造方法，扇出型封装结构包括：扇出基板单元、二次扇出单元；扇出基板单元的第二顶面与二次扇出单元的第三底面通过第二焊料阵列形成有效电连接，扇出基板单元包括通过导电通孔柱进行连接的第一布线层和第二布线层本发明通过包括双层布线层的扇出基板单元作为扇出布线层的基板，缩小了被扇出的电路可达到的最小线宽，从而提高扇出封装可实现的线路密度，缩小扇出封装所需尺寸；同时利用双层布线层替代传统基板，且扇出基板单元和二次扇出单元分开制备后组合的集中制备方法
一种扇出型封装结构及其制造方法

[实用新型]一种降低晶圆翘曲的芯片扇出型封装结构-CN202221860030.6有效
发明人：张春尧;崔亚东;孙哲 -专利权人：铜陵鼎芯半导体有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种降低晶圆翘曲的芯片扇出型封装结构，包括基板、封装机构和收纳机构，所述基板的顶端镶嵌有芯片本体，所述封装机构安装在芯片本体的外壁顶端，所述基板的底端焊接有凸点，且基板的底端两侧均焊接有芯片针脚，所述基板的外壁两端均开设有安装引导槽，所述收纳机构安装在基板的外壁底端。该一种降低晶圆翘曲的芯片扇出型封装结构，通过设置的封装机构，这样便于在芯片本体封装时通过封盖与密封胶将芯片本体进行压紧，可以避免芯片本体上的晶圆翘曲，同时也可以起到密封效果，另外通过导热块与硅脂的设置可以在使用时通过硅脂将芯片本体散发的热量及时导出
一种降低晶圆翘曲芯片扇出型封装结构

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